[發(fā)明專利]顯示裝置及用于制造顯示裝置的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010765490.X | 申請(qǐng)日: | 2020-08-03 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112349755A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-02-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金振燁;金得鐘;宋河璟 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京金宏來(lái)專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人: | 李曉偉 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示裝置 用于 制造 方法 | ||
1.一種顯示裝置,包括:
發(fā)光元件,設(shè)置在顯示區(qū)域中;
驅(qū)動(dòng)元件,電連接到所述發(fā)光元件;
封裝層,覆蓋所述發(fā)光元件;以及
連接焊盤(pán),設(shè)置在非顯示區(qū)域的接合區(qū)域中,所述連接焊盤(pán)包括下導(dǎo)電層、中間導(dǎo)電層以及上導(dǎo)電層,所述中間導(dǎo)電層設(shè)置在所述下導(dǎo)電層上,所述上導(dǎo)電層設(shè)置在所述中間導(dǎo)電層上,其中,所述上導(dǎo)電層的下表面與所述中間導(dǎo)電層的上表面直接接觸,所述上導(dǎo)電層和所述中間導(dǎo)電層之間未設(shè)置中間構(gòu)件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述顯示裝置還包括:
觸摸感測(cè)部,設(shè)置在所述封裝層上,所述觸摸感測(cè)部包括感測(cè)導(dǎo)電圖案;
其中,所述驅(qū)動(dòng)元件包括:
柵極金屬圖案,包括柵電極;以及
源極金屬圖案,包括漏電極,所述漏電極通過(guò)連接電極連接到所述發(fā)光元件。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置,其中,所述下導(dǎo)電層與所述柵極金屬圖案設(shè)置在相同的層中,所述中間導(dǎo)電層與所述源極金屬圖案設(shè)置在相同的層中,并且所述上導(dǎo)電層與所述感測(cè)導(dǎo)電圖案設(shè)置在相同的層中。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置,其中,
所述源極金屬圖案包括第一源極金屬圖案和第二源極金屬圖案,所述第一源極金屬圖案包括所述漏電極,所述第二源極金屬圖案包括所述連接電極;以及
其中,所述中間導(dǎo)電層包括第一中間導(dǎo)電層和第二中間導(dǎo)電層,所述第一中間導(dǎo)電層與所述第一源極金屬圖案設(shè)置在相同的層中,所述第二中間導(dǎo)電層與所述第二源極金屬圖案設(shè)置在相同的層中。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,還包括:
觸摸感測(cè)部,設(shè)置在所述封裝層上;
其中,所述觸摸感測(cè)部包括第一感測(cè)導(dǎo)電圖案、觸摸中間絕緣層以及第二感測(cè)導(dǎo)電圖案,所述觸摸中間絕緣層覆蓋所述第一感測(cè)導(dǎo)電圖案,所述第二感測(cè)導(dǎo)電圖案設(shè)置在所述觸摸中間絕緣層上;并且
其中,所述上導(dǎo)電層與所述第二感測(cè)導(dǎo)電圖案設(shè)置在相同的層中。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述上導(dǎo)電層直接接觸并覆蓋所述中間導(dǎo)電層的上表面和側(cè)表面的整體。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述上導(dǎo)電層的整個(gè)下表面與所述中間導(dǎo)電層接觸。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述中間導(dǎo)電層包括鋁層和鈦層,所述鈦層設(shè)置在所述鋁層上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置,其中,所述發(fā)光元件的第一電極包括銀。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,還包括接合到所述連接焊盤(pán)的驅(qū)動(dòng)部,其中,所述連接焊盤(pán)通過(guò)至少一個(gè)導(dǎo)電接合構(gòu)件電連接到所述驅(qū)動(dòng)部。
11.一種用于制造顯示裝置的方法,所述方法包括:
形成發(fā)光元件、驅(qū)動(dòng)元件以及封裝層,所述發(fā)光元件設(shè)置在顯示區(qū)域中,所述驅(qū)動(dòng)元件電連接到所述發(fā)光元件,所述封裝層覆蓋所述發(fā)光元件;
在非顯示區(qū)域的接合區(qū)域中形成連接焊盤(pán)的下導(dǎo)電層;
形成所述連接焊盤(pán)的中間導(dǎo)電層,所述中間導(dǎo)電層電連接到所述下導(dǎo)電層;
形成包覆層,所述包覆層覆蓋所述中間導(dǎo)電層的側(cè)表面并且暴露所述中間導(dǎo)電層的上表面;以及
在形成所述發(fā)光元件和所述封裝層之后,去除所述包覆層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,其中,
所述下導(dǎo)電層由與所述驅(qū)動(dòng)元件的柵電極相同的層形成;并且
所述中間導(dǎo)電層由與所述驅(qū)動(dòng)元件的漏電極或連接電極相同的層形成,所述連接電極構(gòu)造為將所述漏電極電連接到所述發(fā)光元件。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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