[發明專利]基板表面的拋光方法

在審

• 申請號: 202010765312.7
• 申請日: 2020-08-03
• 公開（公告）號: CN114068299A
• 公開（公告）日: 2022-02-18
• 發明（設計）人: 黃海冰
• 申請（專利權）人: 東莞新科技術研究開發有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫

本發明涉及微電子技術領域，公開了一種基板表面的拋光方法，該方法包括：將基板固定在工藝腔的樣品臺的基座上；用化學液對所述基板的表面進行處理；其中，所述化學液為溶有二氧化碳氣體的氫氟酸溶液；在用化學液對所述基板的表面進行處理的同時，向所述工藝腔通入混合氣體；其中，所述混合氣體由二氟甲烷、氮氣和氧氣組成，所述混合氣體中的二氟甲烷、氮氣和氧氣的體積比為16:3:1。采用本發明實施例，能夠在保護基板內的銅結構的同時，可有效去除刻蝕后基片表面產生的殘余物，具有良好的拋光效果。

技術領域

本發明涉及微電子技術領域，特別是涉及一種基板表面的拋光方法。

背景技術

基板，也稱為基片，其材質一般是玻璃或者陶瓷等。在微電子行業中，在采取液體化學液、反應氣體和等離子體對基板進行刻蝕后，會在基板表面產生氮化物等殘余雜質，影響基板表面的清潔度和光滑度，從而導致最終器件的良率下降，因此，為了防止最終器件的良率下降，刻蝕后產生的氮化物等殘余雜質必須在下一段工藝開始前去除。目前，通常是利用酸和氧化劑的液態混和液來去除基板表面的氮化物等殘余雜質，從而對基板表面進行拋光，然而，這種方法的拋光效果不好。

發明內容

本發明實施例的目的是提供一種基板表面的拋光方法，在保護基板內的銅結構的同時，可有效去除刻蝕后基片表面產生的殘余物，具有良好的拋光效果。

為了解決上述技術問題，本發明實施例提供一種基板表面的拋光方法，包括：

將基板固定在工藝腔的樣品臺的基座上；

用化學液對所述基板的表面進行處理；其中，所述化學液為溶有二氧化碳氣體的氫氟酸溶液；

在用化學液對所述基板的表面進行處理的同時，向所述工藝腔通入混合氣體；其中，所述混合氣體由二氟甲烷、氮氣和氧氣組成，所述混合氣體中的二氟甲烷、氮氣和氧氣的體積比為16:3:1。

作為上述方案的改進，在所述用化學液對所述基板的表面進行處理之前，所述方法還包括：

控制所述樣品臺轉動，以帶動所述基板以預設轉速旋轉。

作為上述方案的改進，所述預設轉速為3000-3500rpm。

作為上述方案的改進，所述用化學液對所述基板的表面進行處理，具體為：

向所述基板的表面噴灑化學液，以在所述基板的表面形成一層液體薄膜。

作為上述方案的改進，所述氫氟酸溶液由氫氟酸和去離子水組成，所述氫氟酸溶液中的氫氟酸與去離子水的體積比為1：45000。

作為上述方案的改進，所述化學溶液的溫度為20～25℃。

作為上述方案的改進，所述混合氣體的供給量為4400SCCM。

作為上述方案的改進，所述混合氣體的通入時間為10-40分鐘。

作為上述方案的改進，所述工藝腔內的壓力為800-1000mTorr。

作為上述方案的改進，所述基座的溫度為80-100℃。

實施本發明實施例，具有如下有益效果：