[發明專利]基板表面的拋光方法在審
| 申請號： | 202010765312.7 | 申請日： | 2020-08-03 |
| 公開（公告）號： | CN114068299A | 公開（公告）日： | 2022-02-18 |
| 發明（設計）人： | 黃海冰 | 申請（專利權）人： | 東莞新科技術研究開發有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝傳鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 表面 拋光 方法 | ||
1.一種基板表面的拋光方法，其特征在于，包括：
將基板固定在工藝腔的樣品臺的基座上；
用化學液對所述基板的表面進行處理；其中，所述化學液為溶有二氧化碳氣體的氫氟酸溶液；
在用化學液對所述基板的表面進行處理的同時，向所述工藝腔通入混合氣體；其中，所述混合氣體由二氟甲烷、氮氣和氧氣組成，所述混合氣體中的二氟甲烷、氮氣和氧氣的體積比為16:3:1。
2.如權利要求1所述的基板表面的拋光方法，其特征在于，在所述用化學液對所述基板的表面進行處理之前，所述方法還包括：
控制所述樣品臺轉動，以帶動所述基板以預設轉速旋轉。
3.如權利要求2所述的基板表面的拋光方法，其特征在于，所述預設轉速為3000-3500rpm。
4.如權利要求1所述的基板表面的拋光方法，其特征在于，所述用化學液對所述基板的表面進行處理，具體為：
向所述基板的表面噴灑化學液，以在所述基板的表面形成一層液體薄膜。
5.如權利要求1或4所述的基板表面的拋光方法，其特征在于，所述氫氟酸溶液由氫氟酸和去離子水組成，所述氫氟酸溶液中的氫氟酸與去離子水的體積比為1：45000。
6.如權利要求1或4所述的基板表面的拋光方法，其特征在于，所述化學溶液的溫度為20-25℃。
7.如權利要求1所述的基板表面的拋光方法，其特征在于，所述混合氣體的供給量為4400SCCM。
8.如權利要求7所述的基板表面的拋光方法，其特征在于，所述混合氣體的通入時間為10-40分鐘。
9.如權利要求1所述的基板表面的拋光方法，其特征在于，所述工藝腔內的壓力為800-1000mTorr。
10.如權利要求1所述的基板表面的拋光方法，其特征在于，所述基座的溫度為80-100℃。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
