[發(fā)明專利]黑矩陣及其制作方法、彩膜基板及其制作方法和顯示屏在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010762361.5 | 申請(qǐng)日: | 2020-07-31 |
| 公開(公告)號(hào): | CN114063336A | 公開(公告)日: | 2022-02-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李健 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京小米移動(dòng)軟件有限公司 |
| 主分類號(hào): | G02F1/1335 | 分類號(hào): | G02F1/1335;H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京博思佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11415 | 代理人: | 林祥 |
| 地址: | 100085 北京市海淀*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 矩陣 及其 制作方法 彩膜基板 顯示屏 | ||
本發(fā)明提供一種黑矩陣及其制作方法、彩膜基板及其制作方法和顯示屏,所述黑矩陣的制作方法包括:提供基板;在所述基板上形成犧牲層,所述犧牲層包括多個(gè)犧牲圖形;在所述犧牲層上形成遮光膜層,所述遮光膜層包括多個(gè)第一遮光圖形和多個(gè)第二遮光圖形,所述第二遮光圖形與相鄰的第一遮光圖形通過所述犧牲圖形間隔開;去除所述犧牲層及所述第二遮光圖形,形成黑矩陣。通過設(shè)置犧牲圖形,使第一遮光圖形和第二遮光圖形間隔設(shè)置,使得第二遮光圖形能夠和犧牲層一起去除,從而實(shí)現(xiàn)遮光膜層的圖形化,獲得位置精度較高的黑矩陣。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域,尤其涉及一種黑矩陣及其制作方法、彩膜基板及其制作方法和顯示屏。
背景技術(shù)
黑矩陣(Black Matrix)是顯示領(lǐng)域中常用的一種遮光結(jié)構(gòu)。在黑矩陣的制作過程中,由于黑矩陣的材料為黑色,因而會(huì)遮擋對(duì)位結(jié)構(gòu),因而難以對(duì)黑矩陣進(jìn)行準(zhǔn)確的對(duì)位,導(dǎo)致工藝窗口小,黑矩陣的位置精度低,進(jìn)而會(huì)影響到顯示效果。目前主要通過改進(jìn)材料,并結(jié)合不同的曝光對(duì)位形式進(jìn)行改善,但這依賴于材料廠商的開發(fā)進(jìn)度,實(shí)際改善效果也有限,而且改變對(duì)位方式對(duì)設(shè)備也有限制。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決相關(guān)技術(shù)中存在的問題,本發(fā)明提供一種黑矩陣及其制作方法、彩膜基板及其制作方法和顯示屏。
本發(fā)明提供一種黑矩陣的制作方法,所述黑矩陣的制作方法包括:提供基板;在所述基板上形成犧牲層,所述犧牲層包括多個(gè)犧牲圖形;在所述犧牲層上形成遮光膜層,所述遮光膜層包括多個(gè)第一遮光圖形和多個(gè)第二遮光圖形,所述第二遮光圖形與相鄰的第一遮光圖形通過所述犧牲圖形間隔開;去除所述犧牲層及所述第二遮光圖形,形成黑矩陣。
進(jìn)一步的,在所述基板上形成犧牲層的步驟,包括:在所述基板上涂布負(fù)性光刻膠;對(duì)負(fù)性光刻膠進(jìn)行局部曝光處理;對(duì)未進(jìn)行曝光處理的負(fù)性光刻膠進(jìn)行腐蝕處理,并去除未進(jìn)行曝光處理的負(fù)性光刻膠,形成所述多個(gè)犧牲圖形。
進(jìn)一步的,所述犧牲圖形包括第一犧牲圖形及位于第一犧牲圖形上的第二犧牲圖形,所述第一犧牲圖形在所述基板上的正投影,位于所述第二犧牲圖形在基板上的正投影的內(nèi)部。
進(jìn)一步的,所述第一犧牲圖形位于相鄰的兩個(gè)第一遮光圖形之間,所述第二遮光圖形位于所述第二犧牲圖形上。
進(jìn)一步的,在所述基板上形成犧牲層的步驟,包括:在所述基板上形成第一子膜層,所述第一子膜層包括所述多個(gè)第一犧牲圖形;在所述第一子膜層上形成第二子膜層,所述第二子膜層包括所述多個(gè)第二犧牲圖形。
進(jìn)一步的,所述遮光膜層在第一方向上的尺寸小于所述第一犧牲圖形在第一方向上的尺寸,所述第一方向?yàn)樗龌搴退鰻奚鼘拥呐帕蟹较颉?/p>
進(jìn)一步的,所述黑矩陣的制作方法還包括:在所述犧牲層上形成遮光膜層之后,通過灰化處理工藝去除位于所述第一遮光圖形和所述第二遮光圖形之間的部分遮光膜層。
進(jìn)一步的,去除所述犧牲層及所述第二遮光圖形的步驟,包括:通過顯影液對(duì)所述犧牲層進(jìn)行溶解,清洗并剝離所述犧牲層及所述犧牲層上的第二遮光圖形。
進(jìn)一步的,所述犧牲層的材料包括聚異戊二烯,所述顯影液的材料包括二甲苯或四甲基氫氧化銨。
本發(fā)明還提供一種彩膜基板的制作方法,所述彩膜基板的制作方法包括:通過如前所述的黑矩陣的制作方法制作黑矩陣;在所述黑矩陣上形成彩膜層,所述彩膜層包括多個(gè)色阻,各個(gè)所述色阻位于相鄰的兩個(gè)第一遮光圖形之間。
進(jìn)一步的,所述基板包括OLED顯示基板或液晶顯示基板。
本發(fā)明還提供一種黑矩陣,其通過前述任一種黑矩陣的制作方法制作。
本發(fā)明還提供一種彩膜基板,所述彩膜基板包括如前所述的黑矩陣。
本發(fā)明還提供一種顯示屏,所述顯示屏包括如前所述的彩膜基板。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京小米移動(dòng)軟件有限公司,未經(jīng)北京小米移動(dòng)軟件有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010762361.5/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
G02F 用于控制光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào),上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來修改的;用于上述操作的技術(shù)或工藝;變頻;非線性光學(xué);光學(xué)
G02F1-00 控制來自獨(dú)立光源的光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學(xué)
G02F1-01 .對(duì)強(qiáng)度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的
- 在集成電路器件中求解線性矩陣
- 矩陣計(jì)算裝置、矩陣計(jì)算方法
- 一種數(shù)據(jù)聚類的方法、裝置及Spark大數(shù)據(jù)平臺(tái)
- 適用于黑白圖片的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)學(xué)習(xí)方法以及訓(xùn)練方法
- 適用于灰度圖片的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)學(xué)習(xí)方法以及訓(xùn)練方法
- 矩陣
- 矩陣/密鑰生成裝置、矩陣/密鑰生成系統(tǒng)、矩陣結(jié)合裝置、矩陣/密鑰生成方法、程序
- 矩陣運(yùn)算電路、矩陣運(yùn)算裝置及矩陣運(yùn)算方法
- 矩陣乘法計(jì)算方法和裝置
- 數(shù)據(jù)讀取方法、裝置、介質(zhì)和計(jì)算設(shè)備





