[發明專利]黑矩陣及其制作方法、彩膜基板及其制作方法和顯示屏

在審

• 申請號: 202010762361.5
• 申請日: 2020-07-31
• 公開（公告）號: CN114063336A
• 公開（公告）日: 2022-02-18
• 發明（設計）人: 李健
• 申請（專利權）人: 北京小米移動軟件有限公司
• 主分類號: G02F1/1335
• 分類號: G02F1/1335;H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京博思佳知識產權代理有限公司 11415
• 代理人: 林祥

1.一種黑矩陣的制作方法，其特征在于，所述黑矩陣的制作方法包括：

提供基板；

在所述基板上形成犧牲層，所述犧牲層包括多個犧牲圖形；

在所述犧牲層上形成遮光膜層，所述遮光膜層包括多個第一遮光圖形和多個第二遮光圖形，所述第二遮光圖形與相鄰的第一遮光圖形通過所述犧牲圖形間隔開；

去除所述犧牲層及所述第二遮光圖形，形成黑矩陣。

2.根據權利要求1所述的黑矩陣的制作方法，其特征在于，在所述基板上形成犧牲層的步驟，包括：

在所述基板上涂布負性光刻膠；

對負性光刻膠進行局部曝光處理；

對未進行曝光處理的負性光刻膠進行腐蝕處理，并去除未進行曝光處理的負性光刻膠，形成所述多個犧牲圖形。

3.根據權利要求1所述的黑矩陣的制作方法，其特征在于，所述犧牲圖形包括第一犧牲圖形及位于第一犧牲圖形上的第二犧牲圖形，所述第一犧牲圖形在所述基板上的正投影，位于所述第二犧牲圖形在基板上的正投影的內部。

4.根據權利要求3所述的黑矩陣的制作方法，其特征在于，所述第一犧牲圖形位于相鄰的兩個第一遮光圖形之間，所述第二遮光圖形位于所述第二犧牲圖形上。

5.根據權利要求4所述的黑矩陣的制作方法，其特征在于，在所述基板上形成犧牲層的步驟，包括：

在所述基板上形成第一子膜層，所述第一子膜層包括所述多個第一犧牲圖形；

在所述第一子膜層上形成第二子膜層，所述第二子膜層包括所述多個第二犧牲圖形。

6.根據權利要求4所述的黑矩陣的制作方法，其特征在于，所述遮光膜層在第一方向上的尺寸小于所述第一犧牲圖形在第一方向上的尺寸，所述第一方向為所述基板和所述犧牲層的排列方向。

7.根據權利要求6所述的黑矩陣的制作方法，其特征在于，所述黑矩陣的制作方法還包括：

在所述犧牲層上形成遮光膜層之后，通過灰化處理工藝去除位于所述第一遮光圖形和所述第二遮光圖形之間的部分遮光膜層。

8.根據權利要求1所述的黑矩陣的制作方法，其特征在于，去除所述犧牲層及所述第二遮光圖形的步驟包括：

通過顯影液對所述犧牲層進行溶解，清洗并剝離所述犧牲層及所述犧牲層上的第二遮光圖形。

9.根據權利要求8所述的黑矩陣的制作方法，其特征在于，所述犧牲層的材料包括聚異戊二烯，所述顯影液的材料包括二甲苯或四甲基氫氧化銨。

10.一種彩膜基板的制作方法，其特征在于，所述彩膜基板的制作方法包括：

通過如權利要求1至9中任一項所述的黑矩陣的制作方法制作黑矩陣；

在所述黑矩陣上形成多個色阻，各個所述色阻位于相鄰的兩個第一遮光圖形之間。

11.根據權利要求10所述的彩膜基板的制作方法，其特征在于，所述基板包括OLED顯示基板或液晶顯示基板。

12.一種黑矩陣，其特征在于，所述黑矩陣通過如權利要求1至9中任一項所述的黑矩陣的制作方法制作。

13.一種彩膜基板，其特征在于，所述彩膜基板包括如權利要求12所述的黑矩陣。

14.一種顯示屏，其特征在于，所述顯示屏包括如權利要求13所述的彩膜基板。

15.一種電子設備，其特征在于，所述電子設備包括如權利要求14所述的顯示屏。