[發(fā)明專利]薄膜晶體管的制備方法、顯示面板及顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010762035.4
• 申請(qǐng)日: 2020-07-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111668102B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-04-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 倪柳松;丁遠(yuǎn)奎;王明;趙策;宋威;胡迎賓;徐純潔
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L29/786;H10K59/12
• 代理公司: 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 戴冬瑾

1.一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括：

在基板上形成遮光層；

將具有所述遮光層的所述基板置于腔室內(nèi)，并向所述腔室內(nèi)通入前處理氣體，并對(duì)所述基板進(jìn)行前處理；所述前處理氣體中NH₃氣體的體積比小于千分之一；

向所述腔室內(nèi)通入第一緩沖層氣體，以去除殘留的所述前處理氣體；所述第一緩沖層氣體Si含量小于萬(wàn)分之一；

向所述腔室內(nèi)通入所述第一緩沖層氣體和第二緩沖層氣體，以在所述遮光層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)形成緩沖層；所述第二緩沖層氣體中含有Si；

在所述緩沖層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)形成有源層，所述有源層是由金屬氧化物半導(dǎo)體材料形成的。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一緩沖層氣體為N₂O，所述第二緩沖層氣體中含有SiH₄，所述第一緩沖層氣體以及所述第二緩沖層氣體的體積比范圍為(90:1)～(40:1)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，去除殘留的所述前處理氣體時(shí)所述第一緩沖層氣體的流量，和形成所述緩沖層時(shí)所述第一緩沖層氣體的流量一致。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述去除殘留的所述前處理氣體時(shí)，向所述腔室內(nèi)通入所述第一緩沖層氣體的時(shí)間為3-8s。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述前處理包括：形成N₂等離子體，并利用所述N₂等離子體對(duì)所述基板進(jìn)行所述前處理，

所述前處理氣體為N₂。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述前處理包括：

向所述腔室內(nèi)通入所述N₂的流量為30000-60000毫托；

隨后打開(kāi)等離子體電源，以形成所述N₂等離子體，利用所述N₂等離子體對(duì)所述基板進(jìn)行所述前處理的時(shí)間為15-25s。

7.一種顯示面板，其特征在于，包括：

基板，以及位于所述基板上的薄膜晶體管和有機(jī)發(fā)光二極管，所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極與所述薄膜晶體管的源漏極相連，

所述薄膜晶體管是利用權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的方法制備的。

8.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求7所述的顯示面板。