[發明專利]薄膜晶體管的制備方法、顯示面板及顯示裝置

有效

• 申請號: 202010762035.4
• 申請日: 2020-07-31
• 公開（公告）號: CN111668102B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發明（設計）人: 倪柳松;丁遠奎;王明;趙策;宋威;胡迎賓;徐純潔
• 申請（專利權）人: 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/786;H10K59/12
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 戴冬瑾

本發明公開了一種薄膜晶體管的制備方法，該薄膜晶體管的制備方法包括：在基板上形成遮光層；將具有遮光層的基板置于腔室內，并向腔室內通入前處理氣體，并對基板進行前處理；向腔室內通入第一緩沖層氣體，以去除殘留的前處理氣體；向腔室內通入第一緩沖層氣體和第二緩沖層氣體，以在遮光層遠離基板的一側形成緩沖層；在緩沖層遠離基板的一側形成有源層，有源層是由金屬氧化物半導體材料形成的。通過避免前處理氣體與第二緩沖層氣體的接觸，減少了雜質顆粒的形成，提高了薄膜晶體管的良品率。

技術領域

本發明涉及顯示領域，具體地，涉及薄膜晶體管的制備方法、顯示面板及顯示裝置。

背景技術

有機發光二級管或有機發光顯示(OrganicLightEmitTIng?Diode，OLED)是自20世紀中期發展起來的一種新型顯示技術。OLED作為一種電流型發光器件已越來越多地被應用于高性能顯示中。根據其自發光的特性，OLED按驅動方式分為有源驅動(Active?MatrixOrganic?Light?Emitting?Diode,AMOLED)和無源驅動(Passive?Matrix?Organic?LightEmitting?Diode,PMOLED)兩種模式。AMOLED是通過驅動電路來驅動發光二極管，最大程度的減少了控制線路的數量，使其具備低能耗，高分辨率，快速響應和其他優良光電特性。此外，AMOLED還具有高對比度、超輕薄、可彎曲等諸多優點。因此AMOLED逐漸成為OLED顯示的主流技術。薄膜晶體管(Thin?Film?Transistor，TFT)陣列基板是目前AMOLED裝置中的主要組成部件，直接關系到其發展方向。然而，目前的AMOLED產品具有亮點高發，產品良品率較低的問題。

因此，目前的薄膜晶體管制備方法、顯示面板和顯示裝置仍有待改進。

發明內容

本申請是基于發明人對以下問題的發現而做出的：

發明人發現，基于氧化物的薄膜晶體管(TFT)包括遮光層、有源層、源漏極及柵極等結構。遮光層用于保護有源層不被外界光照影響。并且，為了防止氫元素對氧化物薄膜晶體管的有源層(例如可以是IGZO材料形成的)造成影響，需要在遮光層和有源層之間加入緩沖層，確保AMOLED產品的特性。但目前緩沖層的制備極易導致緩沖層產生顆粒，顆粒處的有源層材料被顆粒頂起，造成該位置處的有源層和柵極發生短路，進而導致AMOLED產品亮點高發，降低了產品良品率。并且發明人發現，緩沖層顆粒(或稱為雜質顆粒)的化學組分多為氮化硅。

本申請旨在一定程度上解決相關技術中的技術問題之一。

在本申請的一個方面，本發明提出了一種薄膜晶體管的制備方法，包括：在基板上形成遮光層；將具有所述遮光層的所述基板置于腔室內，并向所述腔室內通入前處理氣體，并對所述基板進行前處理；向所述腔室內通入第一緩沖層氣體，以去除殘留的所述前處理氣體；向所述腔室內通入所述第一緩沖層氣體和所述第二緩沖層氣體，以在所述遮光層遠離所述基板的一側形成緩沖層；在所述緩沖層遠離所述基板的一側形成有源層，所述有源層是由金屬氧化物半導體材料形成的。通過避免前處理氣體與第二緩沖層氣體的接觸，減少了雜質顆粒的形成，提高了薄膜晶體管的良品率。

根據本發明的實施例，進行所述前處理時，所述腔室內NH₃含量小于千分之一，即前處理氣體中NH₃氣體的體積比小于千分之一。由此，可減少腔室氮元素的含量，降低雜質顆粒形成的可能。

根據本發明的實施例，所述第一緩沖層氣體Si含量小于萬分之一，所述第二緩沖層氣體中含有Si。由此，可降低氮元素與硅元素接觸形成氮化硅雜質顆粒的可能。

根據本發明的實施例，所述第一緩沖層氣體為N₂O，所述第二緩沖層氣體中含有SiH₄，所述第一緩沖層氣體以及所述第二緩沖層氣體的體積比范圍為(90:1)～(40:1)。由此，可形成穩定的二氧化硅緩沖層。