[發明專利]一種紫外LED芯片保護結構

有效

• 申請號: 202010761694.6
• 申請日: 2020-07-31
• 公開（公告）號: CN111769184B
• 公開（公告）日: 2022-03-15
• 發明（設計）人: 周啟航
• 申請（專利權）人: 佛山紫熙慧眾科技有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/14;H01L33/12;H01L33/44
• 代理公司: 佛山市海融科創知識產權代理事務所(普通合伙) 44377
• 代理人: 陳志超;唐敏珊

本發明公開了一種紫外LED芯片保護結構，包括由下至上依次設置的襯底、緩沖層、n型導電層、多量子阱區、p型層和電流擴展層，在電流擴展層上表面沉積一層紫外光可穿透的芯片保護層結構；本技術方案中，通過在電流擴展層上表面沉積一層紫外光可穿透的絕緣的芯片保護層結構，可以實現對紫外LED芯片的靜電保護，有效規避空氣或其他物質給芯片帶來的經典損傷，提高紫外LED芯片的壽命及可靠性，推動氮化物基紫外LED的應用。

技術領域

本發明涉及光電子器件技術領域，尤其涉及的是一種紫外LED芯片保護結構。

背景技術

紫外發光二極管（light emitting diode，以下簡稱LED），因其波長短、光子能量高、光束均勻等優點，在物理殺菌、高顯色指數的照明以及高密度光存儲等領域有著重要的應用。目前，大量的研究已經在晶體質量、高A1組分和短波長結構設計等技術方面取得了重要突破，成功制備300納米以下的深紫外LED器件，實現毫瓦級的功率輸出，并在可靠性方面取得很大進展。

但是，現有的紫外LED在使用時間長了以后，紫外LED的芯片因缺少保護容易被空氣或其他物質損傷，影響紫外LED芯片的使用壽命及可靠性。

因此，現有的技術還有待于改進和發展。

發明內容

本發明的目的在于提供一種紫外LED芯片保護結構，旨在解決現有的紫外LED芯片因缺少保護容易被空氣或其他物質損傷，影響芯片使用壽命及可靠性的問題。

本發明的技術方案如下：一種紫外LED芯片保護結構，其中，包括由下至上依次設置的襯底、緩沖層、n型導電層、多量子阱區、p型層和電流擴展層，在電流擴展層上表面沉積一層紫外光可穿透的芯片保護層結構。

所述的紫外LED芯片保護結構，其中，所述芯片保護層結構為絕緣材料層。

所述的紫外LED芯片保護結構，其中，所述緩沖層為氮化鋁緩沖層。

所述的紫外LED芯片保護結構，其中，所述多量子阱區為紫外波段有源區多量子阱區。

所述的紫外LED芯片保護結構，其中，所述的芯片保護層結構為非摻雜的絕緣金剛石單晶或非摻雜的絕緣碳化硅單晶或非摻雜的絕緣鈣鈦礦或非摻雜的絕緣氮化鋁單晶或絕緣石英。

所述的紫外LED芯片保護結構，其中，所述的芯片保護層結構覆蓋在紫外LED芯片的表面及側壁區域。

所述的紫外LED芯片保護結構，其中，所述芯片保護層結構中包裹著AlN/AlGaN應力釋放異質結構層。

所述的紫外LED芯片保護結構，其中，所述芯片保護層結構中包裹著空氣層或真空層夾層結構。

所述的紫外LED芯片保護結構，其中，所述芯片保護層結構包括外層材料層和不吸收紫外光的透明結構夾層，所述透明結構夾層被包裹在外層材料內。

本發明的有益效果：本發明通過提供一種紫外LED芯片保護結構，通過在電流擴展層上表面沉積一層紫外光可穿透的絕緣的芯片保護層結構，可以實現對紫外LED芯片的靜電保護，有效規避空氣或其他物質給芯片帶來的經典損傷，提高紫外LED芯片的壽命及可靠性，推動氮化物基紫外LED的應用。

附圖說明

圖1是本發明中紫外LED芯片保護結構的示意圖。

具體實施方式

下面詳細描述本發明的實施方式，所述實施方式的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施方式是示例性的，僅用于解釋本發明，而不能理解為對本發明的限制。