[發(fā)明專(zhuān)利]一種紫外LED芯片保護(hù)結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010761694.6
• 申請(qǐng)日: 2020-07-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111769184B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-03-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周啟航
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 佛山紫熙慧眾科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/06
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/06;H01L33/14;H01L33/12;H01L33/44
• 代理公司: 佛山市海融科創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44377
• 代理人: 陳志超;唐敏珊

1.一種紫外LED芯片保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括由下至上依次設(shè)置的襯底、緩沖層、n型導(dǎo)電層、多量子阱區(qū)、p型層和電流擴(kuò)展層，在電流擴(kuò)展層上表面沉積一層紫外光可穿透的芯片保護(hù)層結(jié)構(gòu)，所述芯片保護(hù)層由外層材料層、不吸收紫外光的透明結(jié)構(gòu)夾層、AlN/AlGaN應(yīng)力釋放異質(zhì)結(jié)構(gòu)層和空氣層/真空層夾層組成，所述外層材料層為非摻雜的絕緣金剛石單晶或非摻雜的絕緣碳化硅單晶或非摻雜的絕緣鈣鈦礦或非摻雜的絕緣氮化鋁單晶或絕緣石英。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫外LED芯片保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片保護(hù)層結(jié)構(gòu)為絕緣材料層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫外LED芯片保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述緩沖層為氮化鋁緩沖層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫外LED芯片保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多量子阱區(qū)為紫外波段有源區(qū)多量子阱區(qū)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一所述的紫外LED芯片保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的芯片保護(hù)層結(jié)構(gòu)覆蓋在紫外LED芯片的表面及側(cè)壁區(qū)域。