[發明專利]一種新型的紫外LED芯片電極制備方法

在審

• 申請號: 202010761690.8
• 申請日: 2020-07-31
• 公開（公告）號: CN111769188A
• 公開（公告）日: 2020-10-13
• 發明（設計）人: 周啟航
• 申請（專利權）人: 佛山紫熙慧眾科技有限公司
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36;H01L33/32;H01L33/00
• 代理公司: 佛山市海融科創知識產權代理事務所(普通合伙) 44377
• 代理人: 陳志超;唐敏珊

本發明公開了一種新型的紫外LED芯片電極制備方法，具體包括以下步驟：S1：在紫外LED芯片的p型層表面打印出金屬圖形電極；S2：將金屬圖形電極融化，使得金屬圖形電極向紫外LED芯片的半導體層內擴散，在寬禁帶的p型AlGaN與金屬圖形電極之間形成良好的歐姆接觸，以降低接觸電阻；本技術方案中，在寬禁帶的p型AlGaN與金屬圖形電極之間形成良好的歐姆接觸，最終降低接觸電阻，提高空穴向紫外LED多量子阱內注入效率，提升紫外LED的發光效率。

技術領域

本發明涉及光電子器件技術領域，尤其涉及的是一種新型的紫外LED芯片電極制備方法。

背景技術

紫外發光二極管（light emitting diode，以下簡稱LED），因其波長短、光子能量高、光束均勻等優點，在物理殺菌、高顯色指數的照明以及高密度光存儲等領域有著重要的應用。目前，大量的研究已經在晶體質量、高A1組分和短波長結構設計等技術方面取得了重要突破，成功制備300納米以下的深紫外LED器件，實現毫瓦級的功率輸出，并在可靠性方面取得很大進展。

然而，高A1組分的AlGaN材料會降低載流子濃度和載流子遷移率。隨著A1組分的增加，Mg原子的受主激活能線性增加，使得p型摻雜激活率很低，室溫下空穴濃度很低，因此，p型歐姆接觸的制備變得非常困難。而良好的歐姆接觸決定著電注入效率，從而直接影響半導體器件的整體性能。所以，亟待一種能提高空穴向紫外LED多量子阱內注入效率、提升紫外LED發光效率的方法。

因此，現有的技術還有待于改進和發展。

發明內容

本發明的目的在于提供一種新型的紫外LED芯片電極制備方法，以提高空穴向紫外LED多量子阱內的注入效率，提升紫外LED的發光效率。

本發明的技術方案如下：一種新型的紫外LED芯片電極制備方法，其中，具體包括以下步驟：

S1：在紫外LED芯片的p型層表面打印出金屬圖形電極；

S2：將金屬圖形電極融化，使得金屬圖形電極向紫外LED芯片的半導體層內擴散，在寬禁帶的p型AlGaN與金屬圖形電極之間形成良好的歐姆接觸。

所述的新型的紫外LED芯片電極制備方法，其中，所述S1中，通過3D打印技術在紫外LED芯片的p型層表面打印出金屬圖形電極。

所述的新型的紫外LED芯片電極制備方法，其中，所述S2中，利用激光對金屬圖形電極進行熔融擴散。

所述的新型的紫外LED芯片電極制備方法，其中，所述S1中，紫外LED芯片的p型層包括P型氮化鋁鎵或P型氮化鎵或P型銦鎵氮或P型氮化鋁或p型金剛石或p型石墨烯或p型硅或p型鍺化硅或p型鈣鈦礦材料或p型硅碳或P型氮化硼。

所述的新型的紫外LED芯片電極制備方法，其中，所述S1中，紫外LED芯片的p型層的制備方法包括激光濺射、或化學氣相沉積外延、或3D打印或溶膠凝膠制備。

本發明的有益效果：本發明通過提供一種新型的紫外LED芯片電極制備方法，具體包括以下步驟：S1：在紫外LED芯片的p型層表面打印出金屬圖形電極；S2：將金屬圖形電極融化，使得金屬圖形電極向紫外LED芯片的半導體層內擴散，在寬禁帶的p型AlGaN與金屬圖形電極之間形成良好的歐姆接觸，以降低接觸電阻；本技術方案中，在寬禁帶的p型AlGaN與金屬圖形電極之間形成良好的歐姆接觸，最終降低接觸電阻，提高空穴向紫外LED多量子阱內注入效率，提升紫外LED的發光效率。

附圖說明

圖1是本發明中新型的紫外LED芯片電極制備方法的步驟流程圖。

具體實施方式