[發明專利]一種新型的紫外LED芯片電極制備方法在審
| 申請號： | 202010761690.8 | 申請日： | 2020-07-31 |
| 公開（公告）號： | CN111769188A | 公開（公告）日： | 2020-10-13 |
| 發明（設計）人： | 周啟航 | 申請（專利權）人： | 佛山紫熙慧眾科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/36 | 分類號： | H01L33/36;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 佛山市海融科創知識產權代理事務所(普通合伙) 44377 | 代理人： | 陳志超;唐敏珊 |
| 地址： | 528226 廣東省佛山市南海區獅山鎮羅*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 新型 紫外 led 芯片 電極 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種新型的紫外LED芯片電極制備方法，其特征在于，具體包括以下步驟：
S1：在紫外LED芯片的p型層表面打印出金屬圖形電極；
S2：將金屬圖形電極融化，使得金屬圖形電極向紫外LED芯片的半導體層內擴散，在寬禁帶的p型AlGaN與金屬圖形電極之間形成良好的歐姆接觸。
2.根據權利要求1所述的新型的紫外LED芯片電極制備方法，其特征在于，所述S1中，通過3D打印技術在紫外LED芯片的p型層表面打印出金屬圖形電極。
3.根據權利要求1所述的新型的紫外LED芯片電極制備方法，其特征在于，所述S2中，利用激光對金屬圖形電極進行熔融擴散。
4.根據權利要求1所述的新型的紫外LED芯片電極制備方法，其特征在于，所述S1中，紫外LED芯片的p型層包括P型氮化鋁鎵或P型氮化鎵或P型銦鎵氮或P型氮化鋁或p型金剛石或p型石墨烯或p型硅或p型鍺化硅或p型鈣鈦礦材料或p型硅碳或P型氮化硼。
5.根據權利要求1所述的新型的紫外LED芯片電極制備方法，其特征在于，所述S1中，紫外LED芯片的p型層的制備方法包括激光濺射、或化學氣相沉積外延、或3D打印或溶膠凝膠制備。
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