[發(fā)明專利]一種晶圓熱盤結(jié)構(gòu)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010761246.6 | 申請日: | 2020-07-31 |
| 公開(公告)號: | CN111863670A | 公開(公告)日: | 2020-10-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 許志雄 | 申請(專利權(quán))人: | 芯米(廈門)半導體設(shè)備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司: | 廈門仕誠聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 35227 | 代理人: | 吳圳添 |
| 地址: | 361000 福建省廈門市火炬*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 晶圓熱 盤結(jié) | ||
本發(fā)明公開了一種晶圓熱盤結(jié)構(gòu),其結(jié)構(gòu)包括主體、頂蓋、把手、調(diào)節(jié)機構(gòu)、電源線、工控模塊、加熱盤體、加熱絲和溫度控制器,通過設(shè)置了調(diào)節(jié)機構(gòu)在主體內(nèi)部左端,可通過轉(zhuǎn)動絲桿帶動第一連桿轉(zhuǎn)動,第一連桿通過第二連桿帶動頂板向上端移動,頂板帶動支撐桿向上端移動,使晶圓底部與加熱盤體相分離,便于對晶圓的轉(zhuǎn)移和提高轉(zhuǎn)移速率,節(jié)約時間,降低對晶圓表面的接觸,而且操作簡單,節(jié)省人力。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導體薄膜沉積應用及制造技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種晶圓熱盤結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
晶圓是指制作硅半導體積體電路所用的硅晶片,其原始材料是硅,高純度的多晶硅溶解后摻入硅晶體晶種,然后慢慢拉出,形成圓柱形的單晶硅,硅晶棒在經(jīng)過研磨,拋光,切片后,形成硅晶圓片,也就是晶圓,目前國內(nèi)晶圓生產(chǎn)線以8英寸和12英寸為主,現(xiàn)階段,中國半導體制造業(yè)是國家重大戰(zhàn)略支持產(chǎn)業(yè),是高端技術(shù)制造業(yè),是國家核心競爭力,發(fā)展我國自主研發(fā)的晶圓生產(chǎn)設(shè)備尤為關(guān)鍵,晶圓制程中如果控制晶圓溫度,是晶圓刻蝕、物理沉積過程中重要步驟。
晶圓可放置在加熱盤上加熱,晶圓在加熱完后,需將晶圓從加熱盤體端取出,晶圓整體較為平整,且晶圓底部與加熱盤接觸較為完整,在取出晶圓時,需耗費較多時間,且容易對晶圓表面產(chǎn)生接觸。
發(fā)明內(nèi)容
(一)要解決的技術(shù)問題
為了克服現(xiàn)有技術(shù)不足,現(xiàn)提出一種晶圓熱盤結(jié)構(gòu),解決了晶圓可放置在加熱盤上加熱,晶圓在加熱完后,需將晶圓從加熱盤體端取出,晶圓整體較為平整,且晶圓底部與加熱盤接觸較為完整,在取出晶圓時,需耗費較多時間,且容易對晶圓表面產(chǎn)生接觸的問題。
(二)技術(shù)方案
本發(fā)明通過如下技術(shù)方案實現(xiàn):本發(fā)明提出了一種晶圓熱盤結(jié)構(gòu),包括主體、頂蓋、把手、調(diào)節(jié)機構(gòu)、電源線、工控模塊、加熱盤體、加熱絲和溫度控制器,所述主體頂部通過合頁與頂蓋鉸接,所述主體頂部固定連接有把手,所述主體內(nèi)端連接有電源線,所述主體右側(cè)面設(shè)有工控模塊,所述主體內(nèi)部左端設(shè)有加熱盤體,所述加熱盤體內(nèi)固定連接有加熱絲,所述主體右端設(shè)有溫度控制器,所述電源線、加熱盤體、加熱絲和溫度控制器均與工控模塊電連接,所述調(diào)節(jié)機構(gòu)固定安裝于加熱盤體內(nèi)下端。
進一步的,所述調(diào)節(jié)機構(gòu)包括轉(zhuǎn)動桿、絲桿、底板、第一連桿、第二連桿、頂板和支撐機構(gòu),所述轉(zhuǎn)動桿右端與加熱盤體轉(zhuǎn)動連接,所述轉(zhuǎn)動桿右端與絲桿同軸轉(zhuǎn)動,所述底板固定安裝于加熱盤體內(nèi)底端,所述第一連桿下端與底板轉(zhuǎn)動連接,并且第一連桿下端與絲桿螺紋連接,所述第二連桿中端與第一連桿轉(zhuǎn)動連接,所述頂板底端與第一連桿轉(zhuǎn)動連接,所述支撐機構(gòu)固定安裝于頂板頂端。
進一步的,所述支撐機構(gòu)包括支撐桿、彈簧和接觸板,所述支撐桿底部與頂板固定連接,所述彈簧一端與支撐桿固定連接,所述接觸板與彈簧另一端固定連接。
進一步的,所述加熱盤體下端設(shè)有一安裝槽,且加熱盤體左端連接有一輔助孔。
進一步的,所述絲桿無外力迫使時,支撐桿頂端面與加熱盤體頂端面相持平。
進一步的,所述頂板與支撐桿垂直連接,且頂板與上端呈圓柱形結(jié)構(gòu)。
進一步的,所述彈簧無外力迫使時,接觸板側(cè)面與加熱盤體相互接觸,并且接觸板上下兩端與支撐桿緊密相連接。
進一步的,所述支撐桿呈等距安裝于頂板頂部,且支撐桿與加熱盤體內(nèi)側(cè)面之間的間隔為0.1CM。
進一步的,所述彈簧呈對稱安裝于接觸板上下兩端,且接觸板固定安裝于支撐桿左右兩端。
進一步的,所述支撐桿具有肩部,所述接觸板固定安裝于所述支撐桿肩部的左右兩端。
進一步的,所述彈簧材質(zhì)為琴鋼絲。
進一步的,所述第一連桿材質(zhì)為鋁合金。
(三)有益效果
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





