[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010758933.2 | 申請日: | 2020-07-31 |
| 公開(公告)號: | CN112447217A | 公開(公告)日: | 2021-03-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 遠(yuǎn)藤真人;有園大介;原田佳和 | 申請(專利權(quán))人: | 鎧俠股份有限公司 |
| 主分類號: | G11C8/08 | 分類號: | G11C8/08;G11C8/14 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿軍 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 存儲 裝置 | ||
半導(dǎo)體存儲裝置具備存儲晶體管、字線和外圍電路。外圍電路與寫入命令的輸入對應(yīng)地,在寫入命令是與存儲晶體管對應(yīng)的從第n1次到第n2次的寫入命令的情況下,執(zhí)行第1寫入序列,其執(zhí)行1次以上向字線轉(zhuǎn)送第1程序電壓的第1程序動作。此外,外圍電路在寫入命令是與存儲晶體管對應(yīng)的從第n2+1次到第n3次的寫入命令的情況下,執(zhí)行第2寫入序列,其執(zhí)行1次以上將向字線轉(zhuǎn)送第2程序電壓的第2程序動作。此外,第2寫入序列的第k次的第2程序動作的第2程序電壓比第1寫入序列的第k次的第1程序動作的第1程序電壓小。
本申請以2019年09月02日提出申請的日本專利申請第2019-159655號主張優(yōu)先權(quán),這里引用其全部內(nèi)容。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲裝置。
背景技術(shù)
已知有具備存儲晶體管、連接在存儲晶體管的柵極電極的字線和連接在字線的外圍電路的半導(dǎo)體存儲裝置。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種長壽命且高速的半導(dǎo)體存儲裝置。
有關(guān)一個技術(shù)方案的半導(dǎo)體存儲裝置具備:存儲晶體管;字線,與存儲晶體管的柵極電極連接;外圍電路,與字線連接;以及多個電極,與外圍電路連接,能夠用于數(shù)據(jù)的輸入輸出。外圍電路與經(jīng)由多個電極的寫入命令的輸入對應(yīng)地,在寫入命令是與存儲晶體管對應(yīng)的從第n1(n1為自然數(shù))次到第n2(n2為比n1大的自然數(shù))次的寫入命令的情況下,執(zhí)行第1寫入序列,該第1寫入序列執(zhí)行1次或多次向字線轉(zhuǎn)送第1程序電壓的第1程序動作。此外,外圍電路與經(jīng)由多個電極的寫入命令的輸入對應(yīng)地,在寫入命令是與存儲晶體管對應(yīng)的從第n2+1次到第n3(n3為比n2大的自然數(shù))次的寫入命令的情況下,執(zhí)行第2寫入序列,該第2寫入序列執(zhí)行1次或多次向字線轉(zhuǎn)送第2程序電壓的第2程序動作。此外,第2寫入序列的第k(k為自然數(shù))次的第2程序動作的第2程序電壓比第1寫入序列的第k次的第1程序動作的第1程序電壓小。
有關(guān)一個技術(shù)方案的半導(dǎo)體存儲裝置具備:存儲晶體管;字線,與存儲晶體管的柵極電極連接;外圍電路,與字線連接;以及多個電極,與外圍電路連接,能夠用于數(shù)據(jù)的輸入輸出。外圍電路與經(jīng)由多個電極的第1寫入命令的輸入對應(yīng)地,執(zhí)行第1寫入序列,該第1寫入序列執(zhí)行1次或多次向字線轉(zhuǎn)送第1程序電壓的第1程序動作。此外,外圍電路與經(jīng)由多個電極的第2寫入命令的輸入對應(yīng)地,執(zhí)行第2寫入序列,該第2寫入序列執(zhí)行1次或多次向字線轉(zhuǎn)送第2程序電壓的第2程序動作。此外,第2寫入序列的第k(k為自然數(shù))次的第2程序動作的第2程序電壓比第1寫入序列的第k次的第1程序動作的第1程序電壓小。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu),能夠提供長壽命且高速的半導(dǎo)體存儲裝置。
附圖說明
圖1是表示存儲系統(tǒng)10的結(jié)構(gòu)的示意性的框圖。
圖2是表示存儲裸片MD的結(jié)構(gòu)的示意性的框圖。
圖3是表示存儲單元陣列MCA的結(jié)構(gòu)的示意性的電路圖。
圖4是表示動作電壓生成單元35的結(jié)構(gòu)的示意性的等價電路圖。
圖5是表示動作電壓生成單元35的結(jié)構(gòu)的示意性的等價電路圖。
圖6是表示動作電壓生成單元35的結(jié)構(gòu)的示意性的等價電路圖。
圖7是表示存儲裸片MD的結(jié)構(gòu)的示意性的俯視圖。
圖8是表示存儲單元陣列MCA的結(jié)構(gòu)的示意性的俯視圖。
圖9是表示存儲單元陣列MCA的結(jié)構(gòu)的示意性的剖面圖。
圖10是表示存儲單元MC的結(jié)構(gòu)的示意性的剖面圖。
圖11是用來對記錄在存儲單元MC的數(shù)據(jù)進(jìn)行說明的示意性的圖。
圖12是用來對讀取動作進(jìn)行說明的示意性的剖面圖。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于鎧俠股份有限公司,未經(jīng)鎧俠股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010758933.2/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:骨密度測定裝置和骨密度測定方法
- 下一篇:有源光纜裝置及其運行控制方法





