[發(fā)明專利]一種P型摻雜空穴注入化合物及其應(yīng)用在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010753301.7 | 申請(qǐng)日： | 2020-07-30 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN111718280A | 公開（公告）日： | 2020-09-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 馬曉宇;王進(jìn)政;張雪;趙賀;陳明;崔建勇;孫峰 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 吉林奧來德光電材料股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C07C255/31 | 分類號(hào)： | C07C255/31;C07C255/35;C07C255/37;C07C255/47;C07C255/51;C07C255/54;C07C253/30;C07D213/61;C07D401/14;H01L51/54;H01L51/50 |
| 代理公司： | 北京慕達(dá)星云知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 趙徐平 |
| 地址： | 130012 吉林省長(zhǎng)春市*** | 國(guó)省代碼： | 吉林;22 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 摻雜 空穴 注入 化合物 及其 應(yīng)用 | ||
本發(fā)明公開了一種P型摻雜空穴注入化合物，所述化合物的結(jié)構(gòu)如化學(xué)式I所示：化學(xué)式I；其中，R1＝R7；R2＝R6；R4＝R10；R5＝R9；R3＝R8；且，R1≠R4；R2≠R5；或，R1＝R4＝R7＝R9；R2＝R5＝R6＝R10；且，R3＝R8；R1?R10彼此獨(dú)立地選自氫、氘、鹵素、氰基、硝基、三氟甲基、羥基、磺酸基、磷酸基、OCF3、SCF3、C1?C10烷氧基、取代或非取代的C1?C30的烷基、取代或未取代的C2?C30的烯基、取代或未取代的C3?C30的環(huán)烷基、取代或非取代的C6?C30芳基、取代或非取代的C3?C30的雜芳基；且，R1?R10至少一個(gè)不為氫。摻雜了本發(fā)明提供的p型摻雜空穴注入化合物的空穴注入層制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)電壓更低，發(fā)光效率更高，使用壽命更長(zhǎng)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于光電材料領(lǐng)域，涉及一種P型摻雜空穴注入化合物及其應(yīng)用。
背景技術(shù)
與傳統(tǒng)技術(shù)相比，OLED器件擁有開啟電壓低、發(fā)光效率高、對(duì)比度高、色飽和度高、視角廣、及響應(yīng)時(shí)間快等諸多優(yōu)點(diǎn)。OLED器件的結(jié)構(gòu)一般為：陰極(Cathode)/電子注入層(EIL)/電子傳輸層(ETL)/發(fā)光層(EML)/空穴傳輸層(HTL)/空穴注入層(HIL)/陽(yáng)極(Anode)。能級(jí)匹配對(duì)于有機(jī)電致發(fā)光器件至關(guān)重要，然而有機(jī)空穴傳輸材料本身具有的空穴遷移率偏低、導(dǎo)電性偏差以及與金屬電極接觸不良導(dǎo)致的注入勢(shì)壘偏高等諸多問題限制了器件性能的提高。因此需要開發(fā)一種具有較強(qiáng)還原電位，空穴注入性能優(yōu)異，且與空穴傳輸層能級(jí)匹配的空穴注入層。
從現(xiàn)有技術(shù)可知，有機(jī)材料通過摻雜可影響其電導(dǎo)性能。P型摻雜劑的特點(diǎn)是具有強(qiáng)氧化性，接受電子的能力很強(qiáng)，通過P型摻雜技術(shù)將P型摻雜劑摻雜到空穴傳輸層中構(gòu)成的P型摻雜空穴注入層，可顯著地提高載流子遷移率和載流子濃度，還可以使界面能帶發(fā)生彎曲，空穴就能夠以穿隧的方式注入。常用的有機(jī)小分子P摻雜材料包括HATCN,F4-TCNQ，AlPcCl等。
p型摻雜一般是通過摻雜劑與空穴傳輸材料一起共摻雜的方法實(shí)現(xiàn)，這種方式也有一定的缺點(diǎn)：如摻雜比例難以精確控制；共摻雜層在高濃度摻雜的情形下存在著摻雜劑分子的聚集甚至相分離等現(xiàn)象致使共摻雜薄膜不均勻等問題。含有本發(fā)明提供的p型摻雜空穴注入化合物的空穴注入層，能夠獲得低驅(qū)動(dòng)電壓，高發(fā)光效率的有機(jī)電致發(fā)器件，推測(cè)是因?yàn)楸旧暾?qǐng)?zhí)峁┑膒型摻雜空穴注入化合物接枝有吸電子基團(tuán)，配合雙鍵，使得接受電子的區(qū)域能夠擴(kuò)展至更大范圍，此時(shí)，大量電子從空穴傳輸材料的HOMO能級(jí)跳至摻雜材料的LUMO能級(jí)，使得空穴傳輸材料形成更多的自由空穴，從而提高了器件的發(fā)光效率。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種空穴注入化合物及其應(yīng)用，空穴傳輸層中摻雜所述化合物的有機(jī)發(fā)光元件的開啟電壓低，能有效改善器件壽命。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：
一種P型摻雜空穴注入化合物，所述化合物的結(jié)構(gòu)如化學(xué)式I所示：
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