[發明專利]一種P型摻雜空穴注入化合物及其應用

在審

• 申請號: 202010753301.7
• 申請日: 2020-07-30
• 公開（公告）號: CN111718280A
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發明（設計）人: 馬曉宇;王進政;張雪;趙賀;陳明;崔建勇;孫峰
• 申請（專利權）人: 吉林奧來德光電材料股份有限公司
• 主分類號: C07C255/31
• 分類號: C07C255/31;C07C255/35;C07C255/37;C07C255/47;C07C255/51;C07C255/54;C07C253/30;C07D213/61;C07D401/14;H01L51/54;H01L51/50
• 代理公司: 北京慕達星云知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11465
• 代理人: 趙徐平

1.一種P型摻雜空穴注入化合物，其特征在于，所述化合物的結構如化學式I所示：

其中，R₁＝R₇；R₂＝R₆；R₄＝R₁₀；R_5＝R₉；R₃＝R₈；且，R₁≠R₄；R₂≠R₅；

或，

R₁＝R₄＝R₇＝R₉；R₂＝R₅＝R₆＝R₁₀；且，R₃＝R₈；

R₁-R₁₀彼此獨立地選自氫、氘、鹵素、氰基、硝基、三氟甲基、羥基、磺酸基、磷酸基、OCF₃、SCF₃、C1-C10烷氧基、取代或非取代的C1-C30的烷基、取代或未取代的C2-C30的烯基、取代或未取代的C3-C30的環烷基、取代或非取代的C6-C30芳基、取代或非取代的C3-C30的雜芳基；

且，R₁-R₁₀至少一個不為氫。

2.根據權利要求1所述的一種P型摻雜空穴注入化合物，其特征在于，所述鹵素選自氟、氯、溴或碘。

3.根據權利要求1所述的一種P型摻雜空穴注入化合物，其特征在于，所述“取代或非取代”中的“取代”基團選自氘、鹵素、腈基、羥基、羰基或硝基中的一個或多個組合。

4.根據權利要求1-3任一項所述的一種P型摻雜空穴注入化合物的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1：在0℃下，將反應物B的四氫呋喃溶液緩慢滴加至氫化鋰的四氫呋喃溶液中，然后升溫至室溫反應30-60min后，再次冷卻至0℃；

S2：向S1獲得的溶液中滴加反應物A的四氫呋喃溶液，25-30℃下反應15-20h，然后倒入冰水中，調pH值到1.0-2.0，用乙酸乙酯萃取三次，合并有機相，依次用飽和食鹽水、水、碳酸氫鈉水溶液洗滌，硫酸鈉干燥，除去溶劑得到中間體C；

S3：將中間體C加入到四氫呋喃中，然后加入[雙(三氟乙酰氧基)碘]苯，在室溫下進行攪拌、濃縮溶劑，然后邊攪拌邊滴至冷乙醇中，將析出的固體抽濾、洗滌、烘干，得到粗品；

S4：經過甲苯重結晶以及真空升華得到化學式I所示的化合物；