[發明專利]一種半導體結構及其制造方法

在審

• 申請號: 202010752651.1
• 申請日: 2020-07-30
• 公開（公告）號: CN114093869A
• 公開（公告）日: 2022-02-25
• 發明（設計）人: 安勝璟;楊濤;盧一泓;胡艷鵬
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所;真芯(北京)半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108
• 代理公司: 北京天達知識產權代理事務所(普通合伙) 11386
• 代理人: 叢洪杰

1.一種半導體結構，其特征在于，包括半導體襯底、位于半導體襯底上的數據線以及位于數據線兩側的側墻結構，所述側墻結構包括第一側墻、第二側墻和第三側墻三層結構，所述第二側墻為氧化物，其余兩層中至少其中之一的材料為低介電常數材料。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述低介電常數材料為SiBN或SiCN。

3.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第一側墻的材料為低介電常數材料或所述第三側墻的材料為低介電常數材料。

4.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述數據線包括接觸部、位于接觸部上的數據線主體和位于數據線主體上的蓋層，所述數據線主體包括阻擋層和導線層。

5.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體襯底進一步包括有源區，所述接觸部與所述有源區接觸。

6.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第一側墻和所述第三側墻延伸到所述數據線的頂部，所述第二側墻的頂部低于所述數據線的頂部。

7.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第一側墻的下部側壁與所述半導體襯底之間形成溝槽，所述溝槽中包括基部氧化物，所述基部氧化物的頂部與所述半導體襯底表面基本持平，所述第二側墻和所述第三側墻位于所述基部氧化物上。

8.一種半導體結構的制造方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底上包括有源區；

在所述有源區上形成數據線和位于數據線兩側的側墻結構，其中所述側墻結構包括第一側墻、第二側墻和第三側墻三層結構，所述第二側墻為氧化物，其余兩層中至少其中之一的材料為低介電常數材料。

9.根據權利要求8所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述在所述有源區上形成數據線和位于數據線兩側的側墻結構包括：

在所述有源區上形成接觸部；

在所述接觸部上形成數據線主體層；

在所述數據線主體層上形成蓋層材料層；

對所述蓋層材料層、數據線主體層進行圖案化形成數據線；

在所述數據線兩側形成側墻結構。

10.根據權利要求9所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述在所述數據線兩側形成側墻結構包括：

在所述數據線的側壁和頂部上形成第一側墻，其中，第一側墻的材料為低介電常數材料；

在所述第一側墻的側壁上形成氧化物層；

在所述氧化物層的側壁和頂部上形成第三側墻。

11.根據權利要求9所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述在所述數據線兩側形成側墻結構包括：

在所述數據線和所述有源區域上形成第一側墻材料層，并通過各向異性刻蝕形成第一側墻；

在所述第一側墻的側壁上形成第一氧化物層；

刻蝕所述第一氧化物層，以形成基部氧化物層，所述基部氧化物層與所述半導體襯底表面持平；

在所述基部氧化物層上形成第二氧化物層；

刻蝕所述第二氧化物層以去除所述第二氧化物層的上部并露出所述第一側墻的上部，從而形成第二側墻；

在所述第二側墻和露出的所述第一側墻層的上部上形成第三側墻材料層，并通過各異性刻蝕形成位于所述第二側墻側壁和第一側墻頂部的第三側墻。