[發明專利]一種基于熱電材料的太赫茲波探測器

在審

• 申請號: 202010749821.0
• 申請日: 2020-07-30
• 公開（公告）號: CN111854941A
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 中山科立特光電科技有限公司
• 主分類號: G01J1/42
• 分類號: G01J1/42
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明提供了一種基于熱電材料的太赫茲波探測器，第一石墨烯層置于襯底上，微納顆粒層置于第一石墨烯層上，第二石墨烯層置于微納顆粒層上，熱電材料層置于第二石墨烯層上，源極連接第一石墨烯層和第二石墨烯層的一側，漏極連接第一石墨烯層和第二石墨烯層的另一側。太赫茲波穿透熱電材料層，被第一石墨烯層和第二石墨烯層吸收并產生熱，熱電材料層中的溫度差造成了晶格結構極化，從而導致熱電材料層中產生局域電場。該局域電場改變第一石墨烯層和第二石墨烯層的導電特性，從而實現太赫茲波探測。在本發明中，第一石墨烯層和第二石墨烯層置于熱電材料層的下側，外界環境對太赫茲波探測器的影響小，提高了太赫茲波探測器的可靠性。

技術領域

本發明涉及太赫茲波探測領域，具體涉及一種基于熱電材料的太赫茲波探測器。

背景技術

太赫茲波是指頻率在0.1THz-10THz范圍內的電磁波。太赫茲技術是非常重要的交叉前沿領域，為技術創新、國民經濟發展和國家安全提供了新機遇。太赫茲波探測是太赫茲技術中的重要環節。在傳統太赫茲波探測中，敏感材料置于表面，容易受到外界環境的影響，降低了探測器的可靠性。

發明內容

為解決以上問題，本發明提供了一種基于熱電材料的太赫茲波探測器，該太赫茲波探測器包括襯底、第一石墨烯層、微納顆粒層、第二石墨烯層、熱電材料層、源極、漏極；襯底為絕緣材料，第一石墨烯層置于襯底上，微納顆粒層置于第一石墨烯層上，第二石墨烯層置于微納顆粒層上，熱電材料層置于第二石墨烯層上，源極連接第一石墨烯層和第二石墨烯層的一側，漏極連接第一石墨烯層和第二石墨烯層的另一側。

更進一步地，微納顆粒層包括微納顆粒。

更進一步地，微納顆粒不接觸。

更進一步地，微納顆粒的材料為貴金屬。

更進一步地，微納顆粒的材料為半導體。

更進一步地，微納顆粒的尺寸不同。

更進一步地，第一石墨烯層中石墨烯的層數少于6層。

更進一步地，第二石墨烯層中石墨烯的層數少于10層。

更進一步地，熱電材料層的材料為鋯鈦酸鉛、鉭酸鋰、鈮酸鋰、氮化鎵、硝酸銫。

更進一步地，第一石墨烯層中設有孔洞。

本發明的有益效果：本發明提供了一種基于熱電材料的太赫茲波探測器，襯底為絕緣材料，第一石墨烯層置于襯底上，微納顆粒層置于第一石墨烯層上，第二石墨烯層置于微納顆粒層上，熱電材料層置于第二石墨烯層上，源極連接第一石墨烯層和第二石墨烯層的一側，漏極連接第一石墨烯層和第二石墨烯層的另一側。太赫茲波穿透熱電材料層，被第一石墨烯層和第二石墨烯層吸收并產生熱，熱電材料層中的溫度差造成了晶格結構極化，從而導致熱電材料層中產生局域電場。該局域電場改變第一石墨烯層和第二石墨烯層的導電特性，從而實現太赫茲波探測。在本發明中，第一石墨烯層和第二石墨烯層置于熱電材料層的下側，外界環境對太赫茲波探測器的影響小，提高了太赫茲波探測器的可靠性。

以下將結合附圖對本發明做進一步詳細說明。

附圖說明

圖1是基于熱電材料的太赫茲波探測器的示意圖。

圖2是又一種基于熱電材料的太赫茲波探測器的示意圖。

圖中：1、襯底；2、第一石墨烯層；3、微納顆粒層；4、第二石墨烯層；5、熱電材料層、6、源極；7、漏極；31、微納顆粒。

具體實施方式

為進一步闡述本發明達成預定目的所采取的技術手段及功效，以下結合附圖及實施例對本發明的具體實施方式、結構特征及其功效，詳細說明如下。

實施例1