[發(fā)明專利]一種基于熱電材料的太赫茲波探測器

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• 申請日: 2020-07-30
• 公開（公告）號: CN111854941A
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發(fā)明（設計）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權）人: 中山科立特光電科技有限公司
• 主分類號: G01J1/42
• 分類號: G01J1/42
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種基于熱電材料的太赫茲波探測器，其特征在于，包括：襯底、第一石墨烯層、微納顆粒層、第二石墨烯層、熱電材料層、源極、漏極；所述襯底為絕緣材料，所述第一石墨烯層置于所述襯底上，所述微納顆粒層置于所述第一石墨烯層上，所述第二石墨烯層置于所述微納顆粒層上，所述熱電材料層置于所述第二石墨烯層上，所述源極連接所述第一石墨烯層和所述第二石墨烯層的一側，所述漏極連接所述第一石墨烯層和所述第二石墨烯層的另一側。

2.如權利要求1所述的基于熱電材料的太赫茲波探測器，其特征在于：所述微納顆粒層包括微納顆粒。

3.如權利要求2所述的基于熱電材料的太赫茲波探測器，其特征在于：所述微納顆粒不接觸。

4.如權利要求3所述的基于熱電材料的太赫茲波探測器，其特征在于：所述微納顆粒的材料為貴金屬。

5.如權利要求3所述的基于熱電材料的太赫茲波探測器，其特征在于：所述微納顆粒的材料為半導體。

6.如權利要求1-5任一項所述的基于熱電材料的太赫茲波探測器，其特征在于：所述微納顆粒的尺寸不同。

7.如權利要求6所述的基于熱電材料的太赫茲波探測器，其特征在于：所述第一石墨烯層中石墨烯的層數少于6層。

8.如權利要求7所述的基于熱電材料的太赫茲波探測器，其特征在于：所述第二石墨烯層中石墨烯的層數少于10層。

9.如權利要求8所述的基于熱電材料的太赫茲波探測器，其特征在于：所述熱電材料層的材料為鋯鈦酸鉛、鉭酸鋰、鈮酸鋰、氮化鎵、硝酸銫。

10.如權利要求9所述的基于熱電材料的太赫茲波探測器，其特征在于：所述第一石墨烯層中設有孔洞。