[發(fā)明專利]半導體裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010748865.1
• 申請日: 2020-07-30
• 公開（公告）號: CN112490360A
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發(fā)明（設計）人: 顏孝璁;陳家源
• 申請（專利權）人: 瑞昱半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L49/02
• 分類號: H01L49/02
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷;鄭特強

一種半導體裝置包含一第一線圈、一第二線圈以及一第三線圈。第二線圈相對于第一線圈設置。第三線圈用以感應第一線圈的信號。第三線圈與第一線圈于一投影平面的第一重疊面積大于第三線圈與第二線圈于投影平面的一第二重疊面積。

技術領域

本公開中所述實施例內(nèi)容涉及一種半導體技術，特別涉及一種半導體裝置。

背景技術

隨著半導體技術的發(fā)展，電感器/變壓器已應用于許多電子設備。以變壓器為例，其兩個線圈的圈數(shù)可能不同。而線圈的圈數(shù)將會影響到信號的耦合。

發(fā)明內(nèi)容

本公開的一些實施方式涉及一種半導體裝置。半導體裝置包含一第一線圈、一第二線圈以及一第三線圈。第二線圈相對于第一線圈設置。第三線圈用以感應第一線圈的信號。第三線圈與第一線圈于一投影平面的第一重疊面積大于第三線圈與第二線圈于投影平面的一第二重疊面積。

本公開的一些實施方式涉及一種半導體裝置。半導體裝置包含一第一線圈、一第二線圈以及一第三線圈。第三線圈用以感應該第一線圈的信號。第三線圈與第一線圈之間的一第一電容值大于第三線圈與第二線圈之間的一第二電容值。

綜上所述，在本公開的半導體裝置中，感應線圈(例如：第三線圈)與其中一線圈(例如：第一線圈)的重疊面積較大。因此，可在較不影響其他線圈(例如：第二線圈)的情況下，強化感應線圈與該其中一線圈(例如：第一線圈)間的耦合。

附圖說明

為讓本公開的上述和其他目的、特征、優(yōu)點與實施例能夠更明顯易懂，附圖的說明如下：

圖1是依照本公開一些實施例所示出的一半導體裝置的示意圖；

圖2是依照本公開一些實施例所示出的圖1中兩個線圈的示意圖；

圖3是依照本公開一些實施例所示出的圖1中一線圈的示意圖；

圖4是依照本公開一些實施例所示出的圖3的線圈的分解圖；

圖5是依照本公開一些實施例所示出的一半導體裝置的示意圖；

圖6是依照本公開一些實施例所示出的一半導體裝置的示意圖；

圖7是依照本公開一些實施例所示出的一半導體裝置的示意圖；

圖8A是一些相關技術的信號強度與頻率的關系圖；以及

圖8B是依照本公開一些實施例所示出的信號強度與頻率的關系圖。

符號說明

100：半導體結構

120：第一線圈

121：第一走線

1211：第一端

1212：第二端

122：第二走線

1221：第一端

1222：第二端

123：第三走線

1231：第一端

1232：第二端

140：第二線圈

141：第一走線

1411：第一端

1412：第二端

142：第二走線

1421：第一端

1422：第二端

143：第三走線