[發明專利]半導體裝置在審
| 申請號： | 202010748865.1 | 申請日： | 2020-07-30 |
| 公開（公告）號： | CN112490360A | 公開（公告）日： | 2021-03-12 |
| 發明（設計）人： | 顏孝璁;陳家源 | 申請（專利權）人： | 瑞昱半導體股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L49/02 | 分類號： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 黃艷;鄭特強 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 | ||
1.一種半導體裝置，包含：
一第一線圈；
一第二線圈，相對于該第一線圈設置；以及
一第三線圈，用以感應該第一線圈的信號，其中該第三線圈與該第一線圈于一投影平面的一第一重疊面積大于該第三線圈與該第二線圈于該投影平面的一第二重疊面積。
2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該第一線圈的圈數小于該第二線圈的圈數。
3.如權利要求2所述的半導體裝置，其中該第一重疊面積與該第二重疊面積的比例大于或等于1.5。
4.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該第三線圈包含：
一第一走線；
一第二走線；
一第三走線，耦接于該第一走線與該第二走線之間；
一第四走線；
一第五走線；
一第六走線，耦接于該第四走線與該第五走線之間；以及
一第七走線，耦接該第一走線與該第四走線之間。
5.如權利要求4所述的半導體裝置，其中該第二走線、該第三走線、該第五走線以及該第六走線具有一線寬，該第一走線以及該第四走線的各者具有一第一次走線以及一第二次走線，該第一次走線以及該第二次走線具有該線寬，且該第一次走線以及該第二次走線與該第一線圈于該投影平面重疊。
6.如權利要求4所述的半導體裝置，其中該第一走線、該第二走線、該第三走線、該第四走線、該第五走線以及該第六走線設置于一第一金屬層，且該第七走線設置于一第二金屬層。
7.如權利要求4所述的半導體裝置，其中該第一走線、該第二走線、該第三走線、該第四走線、該第五走線以及該第六走線為多層結構。
8.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該第三線圈中的第一部分走線具有一第一線寬，該第三線圈中的第二部分走線具有一第二線寬，其中該第一線寬大于該第二線寬。
9.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該第三線圈圍繞該第一線圈以及該第二線圈。
10.一種半導體裝置，包含：
一第一線圈；
一第二線圈，相對于該第一線圈設置；以及
一第三線圈，用以感應該第一線圈的信號，其中該第三線圈與該第一線圈之間的一第一電容值大于該第三線圈與該第二線圈之間的一第二電容值。
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