[發(fā)明專利]多次可編程存儲單元及存儲裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010744694.5
• 申請日: 2020-07-29
• 公開（公告）號: CN111900172B
• 公開（公告）日: 2022-10-25
• 發(fā)明（設計）人: 王煒槐;胡濤;陸陽
• 申請（專利權）人: 杰華特微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524
• 代理公司: 杭州鈐韜知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 33329
• 代理人: 唐靈;趙杰香

1.一種多次可編程存儲單元，其特征在于，包括：

一第一襯底；

一第一阱，配置于所述第一襯底上；

一第二阱，配置于所述第一阱上；

一第一電極區(qū)，配置于所述第二阱上；

一第二電極區(qū)，配置于所述第二阱上；

一第一柵極，配置于所述第二阱上，位于所述第一電極區(qū)、所述第二電極區(qū)之間；

一第三電極區(qū)，配置于所述第二阱上，包括一第一子電極區(qū)、與所述第一子電極區(qū)相耦接的一第二子電極區(qū)，所述第一子電極區(qū)與所述第二子電極區(qū)的導電類型不同；

一第二柵極，配置于所述第二阱上，位于所述第二電極區(qū)、所述第二子電極區(qū)之間；

一第三阱，配置于所述第一阱上；

一第四電極區(qū)，配置于所述第三阱上，包括一第三子電極區(qū)、與所述第三子電極區(qū)相耦接的一第四子電極區(qū)，所述第三子電極區(qū)與所述第四子電極區(qū)的導電類型不同；以及

一第三柵極，配置于所述第三阱上，位于所述第三子電極區(qū)、所述第四子電極區(qū)之間，耦接于所述第一柵極，所述第三柵極與所述第三阱形成控制柵電容，其中

所述第一襯底配置為P型襯底；

所述第一阱配置為高壓N型阱；

所述第二阱配置為P型阱；

所述第三阱配置為P型阱；

所述第一電極區(qū)、所述第二電極區(qū)配置為N型重摻雜；

所述第一子電極區(qū)配置為P型重摻雜、第二子電極區(qū)配置為N型重摻雜；以及

所述第三子電極區(qū)配置為P型重摻雜、第四子電極區(qū)配置為N型重摻雜。

2.根據(jù)權利要求1所述的多次可編程存儲單元，其特征在于，所述第三柵極的面積大于所述第一柵極的面積。

3.根據(jù)權利要求2所述的多次可編程存儲單元，其特征在于，所述第三柵極的面積大于或等于所述第一柵極的面積的10倍。

4.根據(jù)權利要求1所述的多次可編程存儲單元，其特征在于，所述第一阱為高壓阱。

5.根據(jù)權利要求1所述的多次可編程存儲單元，其特征在于，包括：

當所述多次可編程存儲單元進行編程時，所述第一子電極區(qū)、所述第二子電極區(qū)接入負電位，所述第三子電極區(qū)、所述第四子電極區(qū)接入正電位；

當所述多次可編程存儲單元進行擦除時，所述第一子電極區(qū)、所述第二子電極區(qū)接入正電位，所述第三子電極區(qū)、所述第四子電極區(qū)接入負電位；

當所述多次可編程存儲單元進行讀取時，所述第一子電極區(qū)、所述第二子電極區(qū)接入0電位，所述第三子電極區(qū)、所述第四子電極區(qū)、所述第二柵極、所述第一電極區(qū)接入高電位。

6.根據(jù)權利要求1所述的多次可編程存儲單元，其特征在于，還包括：

一第四阱，位于所述第二阱與所述第三阱間，用于隔離所述第二阱與所述第三阱。

7.根據(jù)權利要求6所述的多次可編程存儲單元，其特征在于，還包括：

一第五電極區(qū)，配置于所述第四阱上。

8.一種存儲裝置，其特征在于，包括：

一如權利要求1至7中的任一項所述的多次可編程存儲單元。