[發明專利]垂直存儲器裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 202010744122.7
• 申請日: 2020-07-29
• 公開（公告）號: CN112310110A
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發明（設計）人: 金斐悟;金侑瞋;南泌旭;孫榮鮮;安敬源;尹柱美;張祐賑
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/1157
• 分類號: H01L27/1157;H01L27/11582;H01L29/792
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;張帆

一種垂直存儲器裝置包括：溝道，其在襯底上在垂直方向上延伸；電荷存儲結構，其在溝道的外側壁上并且包括在水平方向上順序地堆疊的隧道絕緣圖案、電荷俘獲圖案和第一阻擋圖案；以及在垂直方向上彼此間隔開的柵電極，每一個柵電極圍繞電荷存儲結構。電荷存儲結構包括電荷俘獲圖案，每一個電荷俘獲圖案在水平方向上面向柵電極之一。每一個電荷俘獲圖案的面向隧道絕緣圖案的內側壁在垂直方向上的長度小于其面向第一阻擋圖案的外側壁在垂直方向上的長度。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2019年7月30日在韓國知識產權局(KIPO)提交的韓國專利申請No.10-2019-0092525的優先權，其內容整體以引用方式并入本文中。

技術領域

本發明構思涉及一種垂直存儲器裝置和/或其制造方法。

背景技術

在VNAND閃存裝置中，垂直溝道的外側壁上的電荷俘獲層可在垂直方向上延伸，因此電荷俘獲層中俘獲的電荷可通過分別在多個水平處的多個柵電極在垂直方向上移動。結果，VNAND閃存裝置的保持特性可能劣化，這可能導致可靠性問題。

發明內容

一些示例實施例提供了一種具有改進的特性的垂直存儲器裝置。

一些示例實施例提供了一種制造具有改進的特性的垂直存儲器裝置的方法。

根據一些示例實施例，提供了一種垂直存儲器裝置，包括：在襯底上的溝道，該溝道在垂直于襯底的上表面的垂直方向上延伸；在溝道的外側壁上的電荷存儲結構，該電荷存儲結構包括在水平方向上順序地堆疊的隧道絕緣圖案、電荷俘獲圖案和第一阻擋圖案，該水平方向平行于襯底的上表面；以及在垂直方向上彼此間隔開的柵電極，柵電極中的每一個柵電極圍繞電荷存儲結構。電荷存儲結構包括在垂直方向上彼此間隔開的電荷俘獲圖案，電荷俘獲圖案中的每一個在水平方向上面向柵電極之一。電荷俘獲圖案中的至少一個電荷俘獲圖案的面向隧道絕緣圖案的內側壁在垂直方向上的第一長度小于電荷俘獲圖案中的相應至少一個電荷俘獲圖案的面向第一阻擋圖案的外側壁在垂直方向上的第二長度。

根據一些示例實施例，提供了一種垂直存儲器裝置，包括：在襯底上的溝道，該溝道在垂直于襯底的上表面的垂直方向上延伸；在溝道的外側壁上的電荷存儲結構，該電荷存儲結構包括在平行于襯底的上表面的水平方向上順序地堆疊的隧道絕緣圖案、電荷俘獲圖案結構和阻擋圖案；以及在垂直方向上彼此間隔開的柵電極，柵電極中的每一個柵電極圍繞電荷存儲結構。電荷存儲結構包括在垂直方向上彼此間隔開的電荷俘獲圖案結構，電荷俘獲圖案結構中的每一個電荷俘獲圖案結構在水平方向上面向柵電極中的對應一個柵電極。電荷俘獲圖案結構中的每一個電荷俘獲圖案結構包括在隧道絕緣圖案的外側壁上在水平方向上順序地堆疊的第一電荷俘獲圖案和第二電荷俘獲圖案，該第一電荷俘獲圖案和第二俘獲圖案包括彼此不同的材料。

根據一些示例實施例，提供了一種垂直存儲器裝置，包括：在襯底上的溝道，該溝道在垂直于襯底的上表面的垂直方向上延伸；在溝道的外側壁上的電荷存儲結構，該電荷存儲結構包括在平行于襯底的上表面的水平方向上順序地堆疊的隧道絕緣圖案、電荷俘獲圖案和阻擋圖案；在襯底上與電荷存儲結構在垂直方向上間隔開的虛設電荷存儲結構，該虛設電荷存儲結構包括順序地堆疊的虛設隧道絕緣圖案、虛設電荷俘獲圖案和虛設阻擋圖案；以及在垂直方向上彼此間隔開的柵電極，柵電極中的每一個柵電極圍繞電荷存儲結構。電荷存儲結構包括在垂直方向上彼此間隔開的電荷俘獲圖案，電荷俘獲圖案中的每一個電荷俘獲圖案在水平方向上面向柵電極中的對應一個柵電極。虛設隧道絕緣圖案和虛設阻擋圖案分別包括與隧道絕緣圖案和阻擋圖案的材料實質上相同的材料，并且虛設電荷俘獲圖案包括與電荷俘獲圖案的材料不同的材料。