[發(fā)明專利]垂直存儲器裝置及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010744122.7 | 申請日： | 2020-07-29 |
| 公開（公告）號： | CN112310110A | 公開（公告）日： | 2021-02-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 金斐悟;金侑瞋;南泌旭;孫榮鮮;安敬源;尹柱美;張祐賑 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L27/1157 | 分類號： | H01L27/1157;H01L27/11582;H01L29/792 |
| 代理公司： | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人： | 趙南;張帆 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 垂直 存儲器 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種垂直存儲器裝置，包括：
在襯底上的溝道，所述溝道在垂直于所述襯底的上表面的垂直方向上延伸；
在所述溝道的外側(cè)壁上的電荷存儲結(jié)構(gòu)，所述電荷存儲結(jié)構(gòu)包括在水平方向上順序地堆疊的隧道絕緣圖案、電荷俘獲圖案和第一阻擋圖案，所述水平方向平行于所述襯底的上表面；以及
在所述垂直方向上彼此間隔開的柵電極，所述柵電極中的每一個柵電極圍繞所述電荷存儲結(jié)構(gòu)，
其中，所述電荷存儲結(jié)構(gòu)包括在所述垂直方向上彼此間隔開的電荷俘獲圖案，所述電荷俘獲圖案中的每一個電荷俘獲圖案在所述水平方向上面向所述柵電極之一，并且
其中，所述電荷俘獲圖案中的至少一個電荷俘獲圖案的面向所述隧道絕緣圖案的內(nèi)側(cè)壁在所述垂直方向上的第一長度小于所述電荷俘獲圖案中的相應(yīng)至少一個電荷俘獲圖案的面向所述第一阻擋圖案的外側(cè)壁在所述垂直方向上的第二長度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直存儲器裝置，其中，所述電荷俘獲圖案中的所述至少一個電荷俘獲圖案的所述第一長度大于所述柵電極中的相應(yīng)一個柵電極在所述垂直方向上的第三長度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直存儲器裝置，其中，所述電荷俘獲圖案中的每一個電荷俘獲圖案的上表面相對于所述襯底的上表面的斜率的絕對值從所述隧道絕緣圖案朝著所述第一阻擋圖案逐漸減小。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直存儲器裝置，其中，所述電荷存儲結(jié)構(gòu)位于所述電荷俘獲圖案當(dāng)中的在所述垂直方向上鄰近并接觸所述隧道絕緣圖案和所述第一阻擋圖案的電荷俘獲圖案之間，并且其中，所述電荷存儲結(jié)構(gòu)還包括包含氧化硅的分隔圖案。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的垂直存儲器裝置，其中，所述分隔圖案的上表面相對于所述襯底的上表面的斜率的絕對值從所述隧道絕緣圖案朝著所述第一阻擋圖案逐漸減小。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直存儲器裝置，其中，所述隧道絕緣圖案和所述第一阻擋圖案中的每一個在所述垂直方向上延伸，并且所述電荷俘獲圖案位于所述隧道絕緣圖案和所述第一阻擋圖案之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直存儲器裝置，其中，所述電荷俘獲圖案包括氮化硅，并且所述隧道絕緣圖案和所述第一阻擋圖案中的每一個包括氧化硅。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直存儲器裝置，還包括：
第二阻擋圖案，其覆蓋所述柵電極中的每一個柵電極的下表面、上表面和側(cè)壁，所述第二阻擋圖案包括金屬氧化物，所述側(cè)壁在所述水平方向上面向所述電荷存儲結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直存儲器裝置，還包括：
在所述襯底上的虛設(shè)電荷存儲結(jié)構(gòu)，所述虛設(shè)電荷存儲結(jié)構(gòu)在所述垂直方向上與所述電荷存儲結(jié)構(gòu)間隔開，所述虛設(shè)電荷存儲結(jié)構(gòu)包括從所述溝道的底表面和下外側(cè)壁順序地堆疊的虛設(shè)隧道絕緣圖案、虛設(shè)電荷俘獲圖案和虛設(shè)第一阻擋圖案。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的垂直存儲器裝置，其中
所述虛設(shè)隧道絕緣圖案和所述虛設(shè)第一阻擋圖案分別包括與所述隧道絕緣圖案和所述第一阻擋圖案的材料實質(zhì)上相同的材料，并且
所述虛設(shè)電荷俘獲圖案包括與所述電荷俘獲圖案的材料不同的材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的垂直存儲器裝置，其中，所述虛設(shè)電荷俘獲圖案包括以下中的至少一者：碳氮化硅、硼氮化硅、硅、以及摻雜有氮和碳中的至少一種的硅。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的垂直存儲器裝置，其中，所述柵電極中的最下一個柵電極被配置為用作接地選擇線，所述柵電極中的最上一個柵電極和直接在所述最上一個柵電極下方的至少一個柵電極分別被配置為用作串選擇線，并且介于所述接地選擇線和所述串選擇線之間的各柵電極分別被配置為用作字線。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
