[發明專利]調節支撐元件的方法和設備

在審

• 申請號: 202010743820.5
• 申請日: 2020-07-29
• 公開（公告）號: CN112309910A
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發明（設計）人: P·D·雪利
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/687
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

本申請涉及用于調節支撐元件的方法和設備。一種設備包括一組相互橫向相鄰的支撐元件，每個相互橫向相鄰的支撐元件被配置成至少豎直地獨立地移動并且包括上表面。所述設備進一步包含可操作地耦合到所述相互橫向的支撐元件中的每一個的熱能傳遞裝置，以及可操作地耦合到所述支撐元件中的每一個以選擇性地豎直地移動所述相互橫向的支撐元件中的一或多個的致動器系統。

優先權要求

此申請要求于2019年8月1日提交的美國專利申請序列第16/529,439號，名稱為“用于調節基底支撐設備的表面形貌的方法和設備”的優先權。

技術領域

本公開的實施例涉及調節基底支撐設備的上表面的表面形貌以匹配由支撐設備支撐的物體的非線性表面，更具體地，涉及調節晶片支撐設備的一或多個支撐元件的上表面位置。更具體地，一些實施例涉及用于調節一或多個支撐元件以匹配半導體晶片的非線性后側表面的方法。

背景技術

在半導體晶片處理領域中，通常的做法是使晶片經受蝕刻工藝，所述蝕刻工藝從多層裝置選擇性地去除部分材料。在半導體晶片處理技術中使用各種類型的蝕刻工藝和蝕刻設備來制造微電子集成電路。在半導體晶片處理技術中，通過順序地沉積和蝕刻集成電路組件來形成微電子裝置。濕法和干法蝕刻圖案化工藝均被使用，其中材料的部分作為工藝的一部分被選擇性地去除，以制造微電子裝置的特征或組件。在濕法和干法蝕刻工藝中，期望在半導體晶片表面上均勻地并且精確對準地選擇性地去除材料，以維持圖案化結構的臨界尺寸(CD)，并且避免損害后續工藝，例如進一步的光刻圖案化工藝。在某些情況下，微電子裝置結構形成有在設計規范之外不可接受的CD，導致處理晶片的高成本廢棄。

半導體晶片工藝可以包含在例如半導體晶片(其最初是平坦的)之類的基底上提供光致抗蝕劑膜(例如，電阻膜)，并且隨后烘烤(例如，施加后烘烤(PAB))基底和光致抗蝕劑膜。電阻膜的烘烤在晶片上生成應力。此應力可能導致晶片的彎曲(例如，正彎曲和/或負彎曲)或翹曲。

在蝕刻工藝中解決翹曲或彎曲的晶片的一種常規解決方案是在烘烤工藝(例如，施加后烘烤)期間使用通過加熱板施加到晶片后側的真空將晶片固定到加熱板。真空的力“吸”或“拉”晶片(包含電阻膜)使其與加熱板的平坦頂表面接觸，使得晶片平坦。然而，當在加熱板和晶片之間施加真空時，此解決方案導致空氣流動。空氣流動可能導致晶片上的溫度不均勻，并且導致電阻膜的不均勻烘烤/固化，這又可能導致由隨后的蝕刻工藝產生的不可接受的CD。

此外，例如三維(3-D)分層集成電路的各種技術使用比其它常規技術更厚的電阻膜涂層。因此，對于3-D分層集成電路，晶片的彎曲或翹曲可能比使用其它常規技術處理的晶片的彎曲或翹曲更嚴重。具有此些嚴重彎曲或翹曲的晶片可能不能被真空充分地“拉”到與加熱板接觸。另外，增加的真空力將具有大彎曲的晶片拉到加熱板增加電阻膜的不均勻烘烤/固化。

發明內容

在一些實施例中，一種設備包括一組相互橫向相鄰的支撐元件，每個相互橫向相鄰的支撐元件被配置成至少豎直地獨立地移動并且包括上表面；熱能傳遞裝置，所述熱能傳遞裝置可操作地耦合到所述橫向相鄰的支撐元件中的每一個；以及致動器系統，所述致動器系統可操作地耦合到所述相互橫向相鄰的支撐元件中的每一個，以選擇性地豎直地移動所述相互橫向相鄰的支撐元件中的一或多個。

在另外的實施例中，晶片支撐設備包括連續柔性支撐層，所述連續柔性支撐層包括接收晶片的底表面的上表面，其中所述連續柔性支撐層包括一組相鄰的溫度區；致動器系統，其可操作地耦合到所述連續柔性支撐層并且被配置成使所述連續柔性支撐層的所述上表面彎曲以與所述晶片的所述底表面適形；以及熱能傳遞裝置，其可操作地耦合到所述連續柔性支撐層并且被配置成獨立地向或從所述溫度區中的每一個傳遞熱能。