[發明專利]垂直存儲器件

在審

• 申請號: 202010743257.1
• 申請日: 2020-07-29
• 公開（公告）號: CN112310101A
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發明（設計）人: 金俊亨;權泰穆;禹映范
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11563
• 分類號: H01L27/11563;H01L27/11568;H01L27/11578;H01L27/11582;H01L27/11573
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 弋桂芬

一種垂直存儲器件包括下電路圖案、第二基板、電容器、柵電極和溝道。下電路圖案形成在包括第一區域、第二區域和第三區域的第一基板上。接觸插塞形成在第二區域中。貫穿通路形成在第三區域中。第二基板形成在下電路圖案上。電容器形成在下電路圖案上，并且包括第一導體、電介質層結構和第二導體。第一導體與第二基板間隔開并且在與第二基板相同的高度處。電介質層結構形成在第一導體上。第二導體形成在電介質層結構上。柵電極在第二基板上在垂直方向上彼此間隔開。溝道在垂直方向上延伸穿過柵電極。

技術領域

示例實施方式涉及垂直存儲器件。

背景技術

在VNAND快閃存儲器件中，電容器可以通過在外圍電路區域上的接觸插塞形成，然而，在外圍電路區域上不具有接觸插塞的外圍上單元(COP)結構中，電容器可能僅通過貫穿孔通路(THV)形成。隨著VNAND快閃存儲器件中堆疊的柵電極的數量增加，包括柵電極的模子的高度可能增大，如果形成大量THV以便獲得足夠的電容，則可能在模子中產生裂紋。

發明內容

示例實施方式提供一種具有改善的電特性的垂直存儲器件。

根據示例實施方式，提供一種垂直存儲器件。該垂直存儲器件可以包括下電路圖案、第二基板、電容器、柵電極和溝道。下電路圖案可以形成在第一基板上，該第一基板包括第一區域、至少部分地圍繞第一區域的第二區域以及至少部分地圍繞第二區域的第三區域。存儲單元可以形成在第一區域中。將電信號傳輸到存儲單元的接觸插塞可以形成在第二區域中。將電信號傳輸到下電路圖案的貫穿通路可以形成在第三區域中。第二基板可以在第一區域和第二區域中形成在下電路圖案上。電容器可以在第三區域中形成在下電路圖案上，并且可以包括第一導體、電介質層結構和第二導體。第一導體可以與第二基板間隔開，并且可以處于與第二基板的高度基本上相同的高度。電介質層結構可以形成在第一導體上。第二導體可以形成在電介質層結構上。柵電極可以在第一區域和第二區域中在第二基板上在基本上垂直于第一基板的上表面的垂直方向上彼此間隔開。溝道可以在第一區域中在垂直方向上縱向地延伸穿過柵電極。

根據示例實施方式，提供一種垂直存儲器件。該垂直存儲器件可以包括柵電極、溝道、溝道連接圖案和電容器。柵電極可以在基板上在基本上垂直于基板的上表面的垂直方向上彼此間隔開。溝道可以在基板上在垂直方向上延伸穿過柵電極。溝道連接圖案可以形成在基板上在柵電極下面，并且可以接觸溝道的下部從而將溝道連接到彼此。電容器可以包括第一導體、電介質層結構和第二導體。第一導體可以在與基板的上表面基本上平行的水平方向上與基板間隔開。電介質層結構可以包括順序堆疊在第一導體上的第一層、第二層和第三層，第一層、第二層和第三層可以分別包括氧化物、氮化物和氧化物。第二導體可以形成在電介質層結構上。電介質層結構和溝道連接圖案可以形成在彼此基本上相同的高度處。

根據示例實施方式，提供一種垂直存儲器件。該垂直存儲器件可以包括晶體管、下電路圖案、絕緣夾層、第二基板、電容器、柵電極、溝道、電荷存儲結構、上布線、第一接觸插塞、第二接觸插塞和貫穿通路。晶體管可以形成在第一基板上。下電路圖案可以形成在第一基板上以電連接到晶體管。絕緣夾層可以形成在第一基板上以覆蓋晶體管和下電路圖案。第二基板可以形成在絕緣夾層上。電容器可以形成在絕緣夾層上并且包括第一導體和第二導體以及電介質層結構。第一導體可以與第二基板間隔開以處于與第二基板的高度基本上相同的高度。電介質層結構可以形成在第一導體上。第二導體可以形成在電介質層結構上。柵電極可以在第二基板上在基本上垂直于第一基板的上表面的垂直方向上彼此間隔開。溝道可以在第二基板上在垂直方向上延伸穿過柵電極。電荷存儲結構可以形成在每個溝道的外側壁上。上布線可以形成在柵電極上以分別電連接到柵電極。第一接觸插塞可以電連接到第一導體。第二接觸插塞可以電連接到第二導體。貫穿通路可以在與第一基板的上表面基本上平行的水平方向上與電容器間隔開以電連接到下電路圖案。