[發明專利]垂直存儲器件

在審

• 申請號: 202010743257.1
• 申請日: 2020-07-29
• 公開（公告）號: CN112310101A
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發明（設計）人: 金俊亨;權泰穆;禹映范
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11563
• 分類號: H01L27/11563;H01L27/11568;H01L27/11578;H01L27/11582;H01L27/11573
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 弋桂芬

1.一種垂直存儲器件，包括：

下電路圖案，在第一基板上，所述第一基板包括第一區域、至少部分地圍繞所述第一區域的第二區域以及至少部分地圍繞所述第二區域的第三區域，存儲單元形成在所述第一區域中，將電信號傳輸到所述存儲單元的接觸插塞形成在所述第二區域中，并且將電信號傳輸到所述下電路圖案的貫穿通路形成在所述第三區域中；

第二基板，在所述第一區域和所述第二區域中且在所述下電路圖案上；

電容器，在所述第三區域中在所述下電路圖案上，所述電容器包括：

第一導體，與所述第二基板間隔開，所述第一導體處于與所述第二基板的高度基本上相同的高度處；

在所述第一導體上的電介質層結構；以及

在所述電介質層結構上的第二導體；

柵電極，在所述第一區域和所述第二區域中、在所述第二基板上且在基本上垂直于所述第一基板的上表面的垂直方向上彼此間隔開；以及

溝道，在所述第一區域中在所述垂直方向上縱向地延伸穿過所述柵電極。

2.根據權利要求1所述的垂直存儲器件，其中所述第一導體包括與所述第二基板的材料基本上相同的材料。

3.根據權利要求2所述的垂直存儲器件，其中所述第二基板和所述第一導體包括摻雜的多晶硅。

4.根據權利要求1所述的垂直存儲器件，其中所述電介質層結構包括在所述垂直方向上順序地堆疊的第一層、第二層和第三層，并且所述第一層、所述第二層和所述第三層分別包括氧化物、氮化物和氧化物。

5.根據權利要求1所述的垂直存儲器件，其中所述電介質層結構在基本上平行于所述第一基板的所述上表面的水平方向上延伸以進一步形成在所述第二區域中。

6.根據權利要求1所述的垂直存儲器件，還包括：

犧牲層結構，在所述第二區域中在所述第二基板上且處于與所述電介質層結構的高度基本上相同的高度處，所述犧牲層結構與所述電介質層結構間隔開并且包括與所述電介質層結構的材料基本上相同的材料。

7.根據權利要求1所述的垂直存儲器件，還包括：

多個溝道，在所述第一區域中彼此間隔開，以及

溝道連接圖案，在所述第二基板上且在所述柵電極下面，所述溝道連接圖案將所述多個溝道連接到彼此。

8.根據權利要求7所述的垂直存儲器件，其中所述溝道連接圖案處于與所述電介質層結構的高度基本上相同的高度。

9.根據權利要求7所述的垂直存儲器件，還包括在所述溝道連接圖案和所述柵電極之間的支撐層，所述支撐層包括摻雜的多晶硅。

10.根據權利要求9所述的垂直存儲器件，其中所述第二導體與所述支撐層間隔開，形成在與所述支撐層的高度基本上相同的高度，并且包括與所述支撐層的材料基本上相同的材料。

11.根據權利要求1所述的垂直存儲器件，其中所述第一導體的部分在所述垂直方向上不與所述第二導體重疊。

12.根據權利要求11所述的垂直存儲器件，還包括：

第一接觸插塞，接觸所述第一導體的上表面并在所述垂直方向上縱向地延伸；以及

第二接觸插塞，接觸所述第二導體的上表面并在所述垂直方向上縱向地延伸。

13.根據權利要求12所述的垂直存儲器件，其中所述第一接觸插塞在所述垂直方向上接觸所述第一導體的不與所述第二導體重疊的所述部分。

14.根據權利要求12所述的垂直存儲器件，其中所述第一接觸插塞延伸穿過所述電介質層結構。

15.根據權利要求12所述的垂直存儲器件，其中所述第一接觸插塞不接觸所述電介質層結構。