[發明專利]低壓降(LDO)電壓調節器電路在審
| 申請號: | 202010743199.2 | 申請日: | 2020-07-29 |
| 公開(公告)號: | CN112306130A | 公開(公告)日: | 2021-02-02 |
| 發明(設計)人: | 劉慶;Y·格唐 | 申請(專利權)人: | 意法半導體亞太私人有限公司 |
| 主分類號: | G05F1/56 | 分類號: | G05F1/56 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 董莘 |
| 地址: | 新加*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 低壓 ldo 電壓 調節器 電路 | ||
1.一種低壓降(LDO)電壓調節器電路,包括:
功率晶體管,具有被配置為接收控制信號的控制端子和耦合至輸出節點的輸出端子;
電流調節回路,被配置為感測流過所述功率晶體管的電流并調制所述控制信號,以使所述功率晶體管向所述輸出節點輸出恒定電流;以及
電壓調節回路,被配置為感測所述輸出節點處的電壓并調制所述控制信號,以使所述功率晶體管將電流輸送至所述輸出節點,從而所述輸出節點處的輸出電壓被調節;
其中所述電流調節回路包括雙極晶體管,所述雙極晶體管具有第一導電端子和基極端子,所述第一導電端子連接至所述功率晶體管的所述控制端子,并且所述基極端子由取決于流過所述功率晶體管的感測電流與基準之間的差的信號驅動。
2.根據權利要求1所述的電路,其中所述雙極晶體管的所述第一導電端子是發射極端子。
3.根據權利要求1所述的電路,其中所述功率晶體管是MOSFET器件。
4.根據權利要求3所述的電路,其中所述功率晶體管MOSFET器件的所述輸出端子是源極端子。
5.根據權利要求1所述的電路,其中所述電壓調節回路包括:
差分輸入電路,具有被配置為接收所述輸出節點處的感測電壓的第一輸入和被配置為接收電壓調節基準電壓的第二輸入;以及
增益電路,具有耦合至所述差分輸入電路的輸出的輸入和被配置為生成用于施加至所述功率晶體管的所述控制端子的所述控制信號的輸出;
其中所述增益電路包括具有串聯耦合的電阻器和電容器的反饋電路,其中所述電阻器的電阻和所述電容器的電容設置零點,以用于消除所述輸出節點處的極點。
6.根據權利要求5所述的電路,其中所述輸出節點處的所述極點由連接到所述輸出節點的負載電路設置。
7.根據權利要求5所述的電路,其中所述電阻器是可變電阻器,并且所述電容器是可變電容器。
8.根據權利要求5所述的電路,其中所述增益電路包括:
第一增益級,具有耦合到所述差分輸入電路的所述輸出的輸入;以及
第二增益級,具有耦合到所述第一增益級的輸出的輸入;
其中所述反饋電路耦合在所述第二增益級的所述輸出和所述第二增益級的所述輸入之間。
9.根據權利要求8所述的電路,其中所述第二增益級包括具有限流源電路的輸出驅動電路。
10.根據權利要求9所述的電路,其中所述限流源電路是限流電阻器。
11.根據權利要求1所述的電路,其中所述電壓調節回路包括:
差分輸入電路,具有被配置為接收所述輸出節點處的感測電壓的第一輸入和被配置為接收電壓調節基準電壓的第二輸入;以及
增益電路,具有耦合至所述差分輸入電路的輸出的輸入和被配置為生成用于施加至所述功率晶體管的所述控制端子的所述控制信號的輸出;
其中所述增益電路包括電容器,所述電容器具有將極點設置在不超過所述輸出節點處的零點的頻率處的電容。
12.根據權利要求11所述的電路,其中所述輸出節點處的所述零點由連接至所述輸出節點的負載電路設置。
13.根據權利要求11所述的電路,其中所述增益電路包括:
第一增益級,具有耦合到所述差分輸入電路的所述輸出的輸入;以及
第二增益級,具有耦合到所述第一增益級的輸出的輸入;
其中所述電容器具有連接到所述第一增益級的所述輸出的第一端子和連接到電源基準電壓的第二端子。
14.根據權利要求13所述的電路,其中所述電源基準電壓是接地。
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