[發(fā)明專利]一種可拉伸OLED面板及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010743088.1 | 申請(qǐng)日: | 2020-07-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111834293B | 公開(公告)日: | 2022-09-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 孫德瑞 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 攀枝花美斯特光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/77 | 分類號(hào): | H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32;G09F9/30;G09F9/33 |
| 代理公司: | 北京和信華成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11390 | 代理人: | 胡闊雷 |
| 地址: | 617000 四川省攀枝花市*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 拉伸 oled 面板 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明涉及一種可拉伸OLED面板及其制備方法,該方法包括以下步驟:在臨時(shí)載板上設(shè)置一柔性基底,在所述柔性基底上形成島基體以及拉伸區(qū),在每個(gè)所述島基體的上表面的四周邊緣區(qū)域形成一環(huán)形凹槽且在每個(gè)所述島基體的中間區(qū)域形成第一溝槽,在每個(gè)所述拉伸區(qū)中形成多個(gè)平行排列的第二溝槽,接著在所述環(huán)形凹槽中形成一環(huán)形阻擋塊,并在所述第一溝槽的形成承載金屬塊,接著在所述柔性基底上形成緩沖材料層、TFT器件以及OLED器件,接著形成無機(jī)封裝介質(zhì)層以及有機(jī)彈性封裝層,所述有機(jī)彈性封裝層覆蓋多個(gè)所述無機(jī)封裝介質(zhì)層以及所述拉伸區(qū),其中,部分的所述有機(jī)彈性封裝層嵌入到所述第二溝槽中,最后去除所述臨時(shí)載板。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其是涉及一種可拉伸OLED面板及其制備方法。
背景技術(shù)
OLED顯示面板是利用有機(jī)發(fā)光二極管制成的顯示屏。由于同時(shí)具備自發(fā)光有機(jī)電激發(fā)光二極管,不需背光源、對(duì)比度高、厚度薄、視角廣、反應(yīng)速度快、可用于撓曲性面板、使用溫度范圍廣、構(gòu)造及制程較簡單等優(yōu)異之特性,被認(rèn)為是下一代的平面顯示器新興應(yīng)用技術(shù)。其中,可拉伸OLED顯示面板由于其具有可拉伸的特性,其擁有更加廣泛的應(yīng)用范圍,例如可以用于折疊式智能設(shè)備、穿戴式設(shè)備以及飛機(jī)和汽車中,在設(shè)計(jì)上具有更大的自由度和發(fā)揮空間,如何改變可拉伸OLED顯示面板的結(jié)構(gòu),以增加其使用壽命,這是業(yè)界的技術(shù)熱點(diǎn)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種可拉伸OLED面板及其制備方法。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,一種可拉伸OLED面板的制備方法,包括以下步驟:
步驟(1)提供一臨時(shí)載板,在所述臨時(shí)載板上設(shè)置一柔性基底,接著對(duì)所述柔性基底進(jìn)行刻蝕處理,以在所述柔性基底上形成多個(gè)呈陣列排布的島基體以及位于相鄰兩個(gè)島基體之間的拉伸區(qū)。
步驟(2)接著在每個(gè)所述島基體的上表面的四周邊緣區(qū)域形成一環(huán)形凹槽,接著在每個(gè)所述島基體的中間區(qū)域形成第一溝槽;所述環(huán)形凹槽的深度小于所述第一溝槽的深度,接著在每個(gè)所述拉伸區(qū)中形成多個(gè)平行排列的第二溝槽。
步驟(3)接著在所述環(huán)形凹槽和所述第一溝槽中沉積金屬材料,以在每個(gè)所述環(huán)形凹槽中形成一環(huán)形阻擋塊,并在每個(gè)所述第一溝槽的形成承載金屬塊。
步驟(4)接著在所述柔性基底上形成緩沖材料層,所述緩沖材料層覆蓋所述島基體的上表面、所述環(huán)形阻擋塊、所述承載金屬塊、所述拉伸區(qū)的上表面以及所述第二溝槽。
步驟(5)接著在每個(gè)所述島基體的上方設(shè)置一TFT器件,所述TFT器件包括半導(dǎo)體有源層、柵電極、源電極以及漏電極。
步驟(6)接著在每個(gè)所述TFT器件的上方形成一OLED器件,所述OLED器件包括陽極、發(fā)光層以及陰極。
步驟(7)接著在每個(gè)所述島基體上均形成一無機(jī)封裝介質(zhì)層,所述無機(jī)封裝介質(zhì)層封裝相應(yīng)的所述TFT器件和所述OLED器件。
步驟(8)接著在所述柔性基底上形成有機(jī)彈性封裝層,所述有機(jī)彈性封裝層覆蓋多個(gè)所述無機(jī)封裝介質(zhì)層以及所述拉伸區(qū),其中,部分的所述有機(jī)彈性封裝層嵌入到所述第二溝槽中。
步驟(9)去除所述臨時(shí)載板。
作為優(yōu)選,在所述步驟(1)中,首先在所述臨時(shí)載板上設(shè)置一臨時(shí)粘結(jié)層,接著在所述臨時(shí)粘結(jié)層上設(shè)置所述柔性基底,所述柔性基底的材料為聚酰亞胺、熱塑性聚氨酯或聚二甲基硅氧烷。
作為優(yōu)選,在所述步驟(2)中,通過干法刻蝕工藝形成所述環(huán)形凹槽、所述第一溝槽以及所述第二溝槽,所述環(huán)形凹槽的深度與所述第一溝槽的深度的比值為0.6-0.9。
作為優(yōu)選,在所述步驟(3)中,所述金屬材料為金、銀、銅、鋁、鈦、鎳、鈷、鐵中的一種或多種,所述環(huán)形阻擋塊和所述承載金屬塊通過蒸鍍、磁控濺射、化學(xué)氣相沉積、電鍍或化學(xué)鍍的工藝形成。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





