[發明專利]一種可拉伸OLED面板及其制備方法有效
| 申請號: | 202010743088.1 | 申請日: | 2020-07-29 |
| 公開(公告)號: | CN111834293B | 公開(公告)日: | 2022-09-20 |
| 發明(設計)人: | 孫德瑞 | 申請(專利權)人: | 攀枝花美斯特光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32;G09F9/30;G09F9/33 |
| 代理公司: | 北京和信華成知識產權代理事務所(普通合伙) 11390 | 代理人: | 胡闊雷 |
| 地址: | 617000 四川省攀枝花市*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 拉伸 oled 面板 及其 制備 方法 | ||
1.一種可拉伸OLED面板的制備方法,其特征在于:包括以下步驟:
步驟(1)提供一臨時載板,在所述臨時載板上設置一柔性基底,接著對所述柔性基底進行刻蝕處理,以在所述柔性基底上形成多個呈陣列排布的島基體以及位于相鄰兩個島基體之間的拉伸區;
步驟(2)接著在每個所述島基體的上表面的四周邊緣區域形成一環形凹槽,接著在每個所述島基體的中間區域形成第一溝槽;所述環形凹槽的深度小于所述第一溝槽的深度,接著在每個所述拉伸區中形成多個平行排列的第二溝槽;
步驟(3)接著在所述環形凹槽和所述第一溝槽中沉積金屬材料,以在每個所述環形凹槽中形成一環形阻擋塊,并在每個所述第一溝槽的形成承載金屬塊;
步驟(4)接著在所述柔性基底上形成緩沖材料層,所述緩沖材料層覆蓋所述島基體的上表面、所述環形阻擋塊、所述承載金屬塊、所述拉伸區的上表面以及所述第二溝槽; 步驟(5)接著在每個所述島基體的上方設置一TFT器件,所述TFT器件包括半導體有源層、柵電極、源電極以及漏電極;
步驟(6)接著在每個所述TFT器件的上方形成一OLED器件,所述OLED器件包括陽極、發光層以及陰極;
步驟(7)接著在每個所述島基體上均形成一無機封裝介質層,所述無機封裝介質層封裝相應的所述TFT器件和所述OLED器件;
步驟(8)接著在所述柔性基底上形成有機彈性封裝層,所述有機彈性封裝層覆蓋多個所述無機封裝介質層以及所述拉伸區,其中,部分的所述有機彈性封裝層嵌入到所述第二溝槽中;
步驟(9)去除所述臨時載板。
2.根據權利要求1所述的可拉伸OLED面板的制備方法,其特征在于:在所述步驟(1)中,首先在所述臨時載板上設置一臨時粘結層,接著在所述臨時粘結層上設置所述柔性基底,所述柔性基底的材料為聚酰亞胺、熱塑性聚氨酯或聚二甲基硅氧烷。
3.根據權利要求1所述的可拉伸OLED面板的制備方法,其特征在于:在所述步驟(2)中,通過干法刻蝕工藝形成所述環形凹槽、所述第一溝槽以及所述第二溝槽,所述環形凹槽的深度與所述第一溝槽的深度的比值為0.6-0.9。
4.根據權利要求1所述的可拉伸OLED面板的制備方法,其特征在于:在所述步驟(3)中,所述金屬材料為金、銀、銅、鋁、鈦、鎳、鈷、鐵中的一種或多種,所述環形阻擋塊和所述承載金屬塊通過蒸鍍、磁控濺射、化學氣相沉積、電鍍或化學鍍的工藝形成。
5.根據權利要求1所述的可拉伸OLED面板的制備方法,其特征在于:在所述步驟(4)中,所述緩沖材料層為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅,所述緩沖材料層通過PECVD法形成。
6.根據權利要求1所述的可拉伸OLED面板的制備方法,其特征在于:在所述步驟(7)中,所述無機封裝介質層的材料是氧化硅、氧化鋁、氮化硅、氮化鋁、碳化硅、氧化鋯、氧化鉿、氮氧化硅中的一種或多種。
7.根據權利要求1所述的可拉伸OLED面板的制備方法,其特征在于:在所述步驟(8)中,所述有機彈性封裝層為硅橡膠、EVA、丙烯酸樹脂、聚二甲基硅氧烷或熱塑性聚氨酯。
8.一種可拉伸OLED面板,其特征在于,采用權利要求1-7任一項所述的方法制備形成的。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





