[發明專利]一種OLED顯示裝置及其制備方法

有效

• 申請號: 202010743077.3
• 申請日: 2020-07-29
• 公開（公告）號: CN111834434B
• 公開（公告）日: 2022-07-05
• 發明（設計）人: 孫德瑞
• 申請（專利權）人: 深圳富創通科技有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京華仁聯合知識產權代理有限公司 11588
• 代理人: 國紅

本發明涉及一種OLED顯示裝置及其制備方法，該方法包括以下步驟：在基板上沉積緩沖層、半導體有源單元、柵極介質層、柵電極、層間介電層、源電極、漏電極、平坦化層、像素電極、像素限定層、發光單元以及封裝層，且在相鄰所述半導體有源單元之間的區域形成依次連接的第一金屬塊、第二金屬塊、第三金屬塊、第四金屬塊以及第五金屬塊，所述封裝層覆蓋所述像素限定層、所述第五金屬塊和所述發光單元。

技術領域

本發明涉及半導體顯示封裝技術領域，尤其是涉及一種OLED顯示裝置及其制備方法。

背景技術

OLED器件(有機發光二極管)通常包括：基板、設于基板上的陽極、設于陽極上的空穴注入層、設于空穴注入層上的空穴傳輸層、設于空穴傳輸層上的發光層、設于發光層上的電子傳輸層、設于電子傳輸層上的電子注入層、及設于電子注入層上的陰極。現有的OLED器件通常采用氧化銦錫(ITO)電極和金屬電極分別作為器件的陽極和陰極，在一定電壓驅動下，電子和空穴分別從陰極和陽極注入到電子傳輸層和空穴傳輸層，電子和空穴分別經過電子傳輸層和空穴傳輸層遷移到發光層，并在發光層中相遇，形成激子并使發光分子激發，后者經過輻射弛豫而發出可見光。基于OLED器件的OLED顯示裝置具有自發光、驅動電壓低、發光效率高、響應時間短、清晰度與對比度高、視角寬、使用溫度范圍寬等諸多優點，被業界公認為是最有發展潛力的顯示裝置。如何改善OLED顯示裝置的結構，以提高其結構穩定性，這是業界的熱點問題。

發明內容

本發明的目的是克服上述現有技術的不足，提供一種OLED顯示裝置及其制備方法。

為實現上述目的，一種OLED顯示裝置的制備方法，包括以下步驟：

(1)提供一基板，接著在所述基板上沉積緩沖層。

(2)接著在所述緩沖層上形成半導體層，并對所述半導體層進行圖案化處理以形成多個半導體有源單元，接著刻蝕相鄰所述半導體有源單元之間的緩沖層和基板以形成第一凹槽，接著在所述第一凹槽中和所述緩沖層上沉積金屬材料以形成第一金屬塊。

(3)接著在所述緩沖層上形成柵極介質層，所述柵極介質層覆蓋所述第一金屬塊和所述半導體有源單元。

(4)接著在所述柵極介質層上形成多個間隔設置柵電極，每個所述柵電極與每個所述半導體有源單元一一對應。

(5)接著刻蝕所述柵極介質層以暴露所述第一金屬塊的一部分，進一步刻蝕所述第一金屬塊，以形成第二凹槽，所述第二凹槽的底面低于所述基板的上表面，接著在所述第二凹槽中和所述柵極介質層上沉積金屬材料以形成第二金屬塊。

(6)接著在所述柵極介質層和所述柵電極上形成層間介電層，接著刻蝕所述層間介電層和所述柵極介質層以形成暴露每個所述半導體有源單元的源極區的第一通孔以及所述半導體單元的漏極區的第二通孔，接著刻蝕所述層間介電層以暴露所述第二金屬塊的一部分，進一步刻蝕所述第二金屬塊，以形成第三凹槽，所述第三凹槽的底面低于所述柵極介質層的上表面，接著在所述層間介電層上、所述第一通孔中以及所述第二通孔中沉積金屬材料，并進行圖案化處理，以在所述層間介電層上形成源電極和漏電極以及在所述第一、第二通孔中分別形成源電極通孔以及漏電極通孔，且在所述第三凹槽中和所述層間介電層上沉積金屬材料以形成第三金屬塊。

(7)接著在所述層間介電層上形成平坦化層，接著刻蝕所述平坦化層以形成暴露所述漏電極的第一開孔，接著刻蝕所述平坦化層以暴露所述第三金屬塊的一部分，進一步刻蝕所述第三金屬塊，以形成第四凹槽，所述第四凹槽的底面低于所述層間介電層的上表面。

(8)接著在所述平坦化層上和所述第一開孔中形成像素電極，并在所述第四凹槽中和所述平坦化層上沉積金屬材料以形成第四金屬塊。

(9)接著在所述平坦化層上形成像素限定層，在所述像素限定層上形成暴露所述像素電極的第一開口，接著刻蝕所述像素限定層以暴露所述第四金屬塊的一部分，進一步刻蝕所述第四金屬塊，以形成第五凹槽，所述第五凹槽的底面低于所述平坦化層的上表面。