[發(fā)明專利]一種OLED顯示裝置及其制備方法

有效

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• 申請日: 2020-07-29
• 公開（公告）號: CN111834434B
• 公開（公告）日: 2022-07-05
• 發(fā)明（設計）人: 孫德瑞
• 申請（專利權）人: 深圳富創(chuàng)通科技有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京華仁聯合知識產權代理有限公司 11588
• 代理人: 國紅

1.一種OLED顯示裝置的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

（1）提供一基板，接著在所述基板上沉積緩沖層；

（2）接著在所述緩沖層上形成半導體層，并對所述半導體層進行圖案化處理以形成多個半導體有源單元，接著刻蝕相鄰所述半導體有源單元之間的緩沖層和基板以形成第一凹槽，接著在所述第一凹槽中和所述緩沖層上沉積金屬材料以形成第一金屬塊；

（3）接著在所述緩沖層上形成柵極介質層，所述柵極介質層覆蓋所述第一金屬塊和所述半導體有源單元；

（4）接著在所述柵極介質層上形成多個間隔設置柵電極，每個所述柵電極與每個所述半導體有源單元一一對應；

（5）接著刻蝕所述柵極介質層以暴露所述第一金屬塊的一部分，進一步刻蝕所述第一金屬塊，以形成第二凹槽，所述第二凹槽的底面低于所述基板的上表面，接著在所述第二凹槽中和所述柵極介質層上沉積金屬材料以形成第二金屬塊，所述第二金屬塊的底部完全嵌入到所述第一金屬塊中；

（6）接著在所述柵極介質層和所述柵電極上形成層間介電層，接著刻蝕所述層間介電層和所述柵極介質層以形成暴露每個所述半導體有源單元的源極區(qū)的第一通孔以及所述半導體有源單元的漏極區(qū)的第二通孔，接著刻蝕所述層間介電層以暴露所述第二金屬塊的一部分，進一步刻蝕所述第二金屬塊，以形成第三凹槽，所述第三凹槽的底面低于所述柵極介質層的上表面，接著在所述層間介電層上、所述第一通孔中以及所述第二通孔中沉積金屬材料，并進行圖案化處理，以在所述層間介電層上形成源電極和漏電極以及在所述第一、第二通孔中分別形成源電極通孔以及漏電極通孔，且在所述第三凹槽中和所述層間介電層上沉積金屬材料以形成第三金屬塊，所述第三金屬塊的底部完全嵌入到所述第二金屬塊中；

（7）接著在所述層間介電層上形成平坦化層，接著刻蝕所述平坦化層以形成暴露所述漏電極的第一開孔，接著刻蝕所述平坦化層以暴露所述第三金屬塊的一部分，進一步刻蝕所述第三金屬塊，以形成第四凹槽，所述第四凹槽的底面低于所述層間介電層的上表面；

（8）接著在所述平坦化層上和所述第一開孔中形成像素電極，并在所述第四凹槽中和所述平坦化層上沉積金屬材料以形成第四金屬塊，所述第四金屬塊的底部完全嵌入到所述第三金屬塊中；

（9）接著在所述平坦化層上形成像素限定層，在所述像素限定層上形成暴露所述像素電極的第一開口，接著刻蝕所述像素限定層以暴露所述第四金屬塊的一部分，進一步刻蝕所述第四金屬塊，以形成第五凹槽，所述第五凹槽的底面低于所述平坦化層的上表面；

（10）接著在所述第一開口中形成一發(fā)光單元，接著在所述第五凹槽中沉積金屬材料以形成第五金屬塊，所述第五金屬塊的底部完全嵌入到所述第四金屬塊中，所述第五金屬塊的頂面低于所述像素限定層的上表面，接著形成一封裝層，所述封裝層覆蓋所述像素限定層、所述第五金屬塊和所述發(fā)光單元。

2.根據權利要求1所述的OLED顯示裝置的制備方法，其特征在于：在所述步驟（2）中，利用掩膜并通過濕法刻蝕或干法刻蝕形成所述第一凹槽，所述第一金屬塊的材料為銅、鋁、銀中的一種。

3.根據權利要求1所述的OLED顯示裝置的制備方法，其特征在于：在所述步驟（3）中，所述柵極介質層的材料為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，所述柵極介質層通過PECVD法形成。

4.根據權利要求1所述的OLED顯示裝置的制備方法，其特征在于：在所述步驟（4）中，所述柵電極的材料為銅、鋁以及鉬中的一種或多種的組合，所述柵電極通過化學鍍、電鍍、濺射或蒸鍍形成。

5.根據權利要求1所述的OLED顯示裝置的制備方法，其特征在于：在所述步驟（7）中，所述平坦化層的材料為環(huán)氧樹脂、有機硅樹脂、丙烯酸樹脂、聚酰亞胺、聚乙烯、聚碳酸酯以及酚醛樹脂中的一種或多種。

6.根據權利要求1所述的OLED顯示裝置的制備方法，其特征在于：在所述步驟（8）中，所述像素電極為金屬材料或透明導電氧化物。

7.根據權利要求1所述的OLED顯示裝置的制備方法，其特征在于：在所述步驟（9）中，所述像素限定層的材料為聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯、PMMA樹脂、酚醛樹脂、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中的一種或多種。

8.一種OLED顯示裝置，其特征在于，采用權利要求1-7任一項所述的方法制備形成的。