[發(fā)明專利]掉電時(shí)校驗(yàn)數(shù)據(jù)的方法、裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)及電子設(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010742942.2 | 申請(qǐng)日: | 2020-07-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111897685A | 公開(公告)日: | 2020-11-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 孫成思;孫日欣;李振華;李家敏 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳佰維存儲(chǔ)科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G06F11/22 | 分類號(hào): | G06F11/22 |
| 代理公司: | 深圳市博銳專利事務(wù)所 44275 | 代理人: | 鄭昱 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市南山區(qū)桃*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 掉電 校驗(yàn) 數(shù)據(jù) 方法 裝置 存儲(chǔ) 介質(zhì) 電子設(shè)備 | ||
1.一種掉電時(shí)校驗(yàn)數(shù)據(jù)的方法,其特征在于,包括步驟:
對(duì)待測(cè)試的硬盤盤片獨(dú)立上電,當(dāng)接收到所述待測(cè)試的硬盤盤片被成功識(shí)別的指令時(shí),構(gòu)建包含預(yù)設(shè)參數(shù)的寫命令,所述預(yù)設(shè)參數(shù)包括起始邏輯區(qū)塊地址、數(shù)據(jù)寫入地址范圍以及數(shù)據(jù)模型;
根據(jù)所述寫命令對(duì)所述待測(cè)試的硬盤盤片進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入,并對(duì)寫入成功的寫命令對(duì)應(yīng)的預(yù)設(shè)參數(shù)進(jìn)行存儲(chǔ);
在數(shù)據(jù)寫入過(guò)程中,對(duì)所述待測(cè)試的硬盤盤片單獨(dú)掉電;
對(duì)所述待測(cè)試的硬盤盤片重新獨(dú)立上電,當(dāng)接收到所述待測(cè)試的硬盤盤片被成功識(shí)別的指令時(shí),根據(jù)所述存儲(chǔ)的寫命令對(duì)應(yīng)的預(yù)設(shè)參數(shù)從所述待測(cè)試的硬盤盤片讀取數(shù)據(jù)并進(jìn)行數(shù)據(jù)校驗(yàn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種掉電時(shí)校驗(yàn)數(shù)據(jù)的方法,其特征在于,所述寫命令為IO寫命令,并且通過(guò)并發(fā)執(zhí)行所述IO寫命令進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種掉電時(shí)校驗(yàn)數(shù)據(jù)的方法,其特征在于,對(duì)所述待測(cè)試的硬盤盤片單獨(dú)掉電和重新獨(dú)立上電之間間隔預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng),所述預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)可動(dòng)態(tài)設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種掉電時(shí)校驗(yàn)數(shù)據(jù)的方法,其特征在于,所述在數(shù)據(jù)寫入過(guò)程中,對(duì)所述待測(cè)試的硬盤盤片單獨(dú)掉電包括:
在數(shù)據(jù)寫入過(guò)程中,判斷所述待測(cè)試的硬盤盤片是否支持掉電保護(hù),若是,則對(duì)所述待測(cè)試的硬盤盤片單獨(dú)掉電;
若否,則在對(duì)所述待測(cè)試的硬盤盤片單獨(dú)掉電之前執(zhí)行:
對(duì)所述待測(cè)試的硬盤盤片的cache進(jìn)行刷盤,刷盤后對(duì)寫入成功的寫命令對(duì)應(yīng)的預(yù)設(shè)參數(shù)不進(jìn)行存儲(chǔ)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的一種掉電時(shí)校驗(yàn)數(shù)據(jù)的方法,其特征在于,根據(jù)所述寫命令對(duì)所述待測(cè)試的硬盤盤片進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入包括:
根據(jù)所述寫命令和預(yù)設(shè)的扇區(qū)的數(shù)據(jù)格式對(duì)所述待測(cè)試的硬盤盤片對(duì)應(yīng)的扇區(qū)進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入;
所述根據(jù)所述存儲(chǔ)的寫命令對(duì)應(yīng)的預(yù)設(shè)參數(shù)從所述待測(cè)試的硬盤盤片讀取數(shù)據(jù)并進(jìn)行數(shù)據(jù)校驗(yàn)包括:
根據(jù)所述存儲(chǔ)的寫命令對(duì)應(yīng)的預(yù)設(shè)參數(shù)和所述預(yù)設(shè)的扇區(qū)的數(shù)據(jù)格式從所述待測(cè)試的硬盤盤片對(duì)應(yīng)的扇區(qū)讀取數(shù)據(jù)并進(jìn)行數(shù)據(jù)校驗(yàn)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種掉電時(shí)校驗(yàn)數(shù)據(jù)的方法,其特征在于,不同扇區(qū)預(yù)設(shè)的數(shù)據(jù)格式不同。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的一種掉電時(shí)校驗(yàn)數(shù)據(jù)的方法,其特征在于,所述根據(jù)所述存儲(chǔ)的寫命令對(duì)應(yīng)的預(yù)設(shè)參數(shù)從所述待測(cè)試的硬盤盤片讀取數(shù)據(jù)并進(jìn)行數(shù)據(jù)校驗(yàn)包括:
根據(jù)所述存儲(chǔ)的寫命令對(duì)應(yīng)的起始邏輯區(qū)塊地址和數(shù)據(jù)寫入地址范圍從所述待測(cè)試的硬盤盤片對(duì)應(yīng)的區(qū)域讀取數(shù)據(jù),將讀取的數(shù)據(jù)與所述數(shù)據(jù)模型進(jìn)行比較,判斷寫入的數(shù)據(jù)與讀取的數(shù)據(jù)是否一致。
8.一種掉電時(shí)校驗(yàn)數(shù)據(jù)的裝置,其特征在于,包括:
上電模塊,用于對(duì)待測(cè)試的硬盤盤片獨(dú)立上電;
命令構(gòu)建模塊,用于在所述上電模塊對(duì)待測(cè)試的硬盤盤片獨(dú)立上電后,當(dāng)接收到所述待測(cè)試的硬盤盤片被成功識(shí)別的指令時(shí),構(gòu)建包含預(yù)設(shè)參數(shù)的寫命令,所述預(yù)設(shè)參數(shù)包括起始邏輯區(qū)塊地址、數(shù)據(jù)寫入地址范圍以及數(shù)據(jù)模型;
數(shù)據(jù)寫入模塊,用于根據(jù)所述寫命令對(duì)所述待測(cè)試的硬盤盤片進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入,并對(duì)寫入成功的寫命令對(duì)應(yīng)的預(yù)設(shè)參數(shù)進(jìn)行存儲(chǔ);
掉電模塊,用于在數(shù)據(jù)寫入過(guò)程中,對(duì)所述待測(cè)試的硬盤盤片單獨(dú)掉電;
數(shù)據(jù)讀取模塊,用于在所述上電模塊對(duì)所述待測(cè)試的硬盤盤片重新獨(dú)立上電后,當(dāng)接收到所述待測(cè)試的硬盤盤片被成功識(shí)別的指令時(shí),根據(jù)所述存儲(chǔ)的寫命令對(duì)應(yīng)的預(yù)設(shè)參數(shù)從所述待測(cè)試的硬盤盤片讀取數(shù)據(jù)并進(jìn)行數(shù)據(jù)校驗(yàn)。
9.一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì),其上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序,其特征在于:所述計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1-7任意一項(xiàng)所述的一種掉電時(shí)校驗(yàn)數(shù)據(jù)的方法中的各個(gè)步驟。
10.一種電子設(shè)備,包括存儲(chǔ)器、處理器及存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器上并可在處理器上運(yùn)行的計(jì)算機(jī)程序,其特征在于,所述處理器執(zhí)行所述計(jì)算機(jī)程序時(shí)實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1-7任意一項(xiàng)所述的一種掉電時(shí)校驗(yàn)數(shù)據(jù)的方法中的各個(gè)步驟。
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