[發(fā)明專利]微影裝置、安裝光罩保護膜的方法及晶圓的制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010741816.5
• 申請日: 2020-07-29
• 公開（公告）號: CN112305854A
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林雲(yún)躍
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F1/48
• 分類號: G03F1/48;G03F1/62;G03F1/64;G03F7/20
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

本揭露提供一種微影裝置、安裝光罩保護膜的方法及晶圓的制造方法，半導(dǎo)體微影制程的裝置包含定義要被轉(zhuǎn)移的電路圖案的光罩。裝置還包含包括形成在第一表面內(nèi)的圖案的光罩保護膜，其中光罩保護膜的第一表面是貼附至光罩。裝置亦包含設(shè)置在光罩及第一表面之間的粘著材料層。圖案可包含多個毛細管。每一個毛細管在第一表面的平面內(nèi)具有約1μm至約500μm的尺寸。每一個毛細管的深度對寬度的比例是大于或等于約100。粘著材料層包括粘著劑，且粘著劑的玻璃轉(zhuǎn)化溫度(T_g)是大于室溫。

技術(shù)領(lǐng)域

本揭露是關(guān)于一種半導(dǎo)體微影制程裝置，特別是關(guān)于一種半導(dǎo)體微影制程裝置、自光罩-光罩保護膜系統(tǒng)中安裝光罩保護膜的方法及半導(dǎo)體晶圓的制造方法。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體集成電路(Integrated Circuit，IC)產(chǎn)業(yè)中，IC材料及設(shè)計在科技進步下已產(chǎn)出IC世代，每一個世代相較于前一個世代，都具有更小且更復(fù)雜的電路。在IC進化的過程中，功能密度(例如：單位晶片面積的內(nèi)連接的裝置數(shù))通常隨著幾何尺寸(換言之，利用制程所能制作的最小元件(或線))的減少而增加。尺度縮小制程提供了增加生產(chǎn)效率和減少相關(guān)成本的效益。但是上述尺度縮小制程也增加制造和生產(chǎn)IC的復(fù)雜度。

為了各種圖案化制程(例如蝕刻或離子植入)，微影制程形成被圖案化的光阻層。可通過微影制程被圖案化的最小特征尺寸是受投射光源的波長所限制。微影機器已經(jīng)歷使用具有波長為365納米的紫外光至使用深紫外光(deep ultraviolet，DUV)(包含248納米的氪氟激光(KrF laser)及193納米的氬氟激光(ArF laser))，及至使用波長為13.5納米的極紫外光(extreme ultraviolet，EUV)，以在每一個步驟中提高解析度。

在微影制程中，使用光罩(或罩幕)。光罩包含基材及定義集成電路的圖案化層，集成電路在微影制程時將被轉(zhuǎn)移至半導(dǎo)體基材。光罩典型地包含透明光罩保護膜及光罩保護膜框架，光罩保護膜是安裝在光罩保護膜框架上。光罩保護膜保護光罩以避免遭受掉落的粒子，并使粒子失焦而不會產(chǎn)生圖案化影像，此圖案化影像在使用光罩時造成缺陷。可通過光罩、光罩保護膜及光罩保護膜框架形成內(nèi)部空間。用于安裝及卸下光罩保護膜的結(jié)構(gòu)及材料的缺陷可造成粘著劑殘留物在卸下光罩保護膜之后殘留在光罩上。由于殘留物是靠近關(guān)鍵的圖案區(qū)域且可能刮傷光罩表面，故需要人工清理會造成光罩缺陷風(fēng)險的粘著劑殘留物，因此，制造光罩-光罩保護膜系統(tǒng)的現(xiàn)有技術(shù)未被證實可完全滿足所有方面。

發(fā)明內(nèi)容

本揭露的一態(tài)樣是提供一種裝置。此裝置包含定義有要被轉(zhuǎn)移的電路圖案的光罩；包括有形成在第一表面中的圖案的光罩保護膜，其中光罩保護膜的第一表面是貼附至光罩；以及設(shè)置在光罩及第一表面間的粘著材料層。

本揭露的另一態(tài)樣是提供一種自光罩-光罩保護膜系統(tǒng)中卸下光罩保護膜的方法。此方法包含提供光罩-光罩保護膜系統(tǒng)，其是包含定義要被轉(zhuǎn)移的電路圖案的光罩；包括形成在第一表面中的圖案的光罩保護膜，其中光罩保護膜的第一表面是貼附至光罩；以及設(shè)置在光罩及第一表面間的粘著劑，其中粘著劑的玻璃轉(zhuǎn)化溫度大于室溫；加熱光罩-光罩保護膜系統(tǒng)至等于或大于玻璃轉(zhuǎn)化溫度的溫度；以及自光罩卸下光罩保護膜。

本揭露的再一態(tài)樣是提供一種半導(dǎo)體晶圓的制造方法。此方法包含裝載光罩-光罩保護膜系統(tǒng)至微影系統(tǒng)，其中光罩-光罩保護膜系統(tǒng)包含：定義將被轉(zhuǎn)移至半導(dǎo)體晶圓的電路圖案的光罩；包括形成在第一表面內(nèi)的圖案的光罩保護膜，其中光罩保護膜的第一表面是貼附至光罩；以及設(shè)置在光罩及第一表面之間的粘著劑；裝載半導(dǎo)體晶圓至微影系統(tǒng)；以及進行曝光制程，以利用光罩轉(zhuǎn)移電路圖案至半導(dǎo)體晶圓。

附圖說明

根據(jù)以下詳細說明并配合附圖閱讀，使本揭露的態(tài)樣獲致較佳的理解。需注意的是，如同業(yè)界的標(biāo)準(zhǔn)作法，許多特征并不是按照比例繪示的。事實上，為了進行清楚討論，許多特征的尺寸可以經(jīng)過任意縮放。

圖1是繪示根據(jù)一些實施例的微影系統(tǒng)的示意圖；