[發(fā)明專利]微影裝置、安裝光罩保護膜的方法及晶圓的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010741816.5 | 申請日: | 2020-07-29 |
| 公開(公告)號: | CN112305854A | 公開(公告)日: | 2021-02-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 林雲(yún)躍 | 申請(專利權(quán))人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/48 | 分類號: | G03F1/48;G03F1/62;G03F1/64;G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 裝置 安裝 保護膜 方法 制造 | ||
1.一種用于半導(dǎo)體微影制程的裝置,其特征在于,包括:
一光罩,定義將被轉(zhuǎn)移的一電路圖案;
一光罩保護膜,包含一圖案,形成在該光罩保護膜的一第一表面中,其中該光罩保護膜的該第一表面是貼附至該光罩;及
一粘著材料層,設(shè)置在該光罩與該第一表面之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體微影制程裝置,其特征在于,該光罩包括一邊界區(qū)域及一電路區(qū)域,該光罩保護膜是貼附至該光罩的該邊界區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體微影制程裝置,其特征在于,該光罩保護膜包括一框架及一薄膜,該第一表面為該框架的一第一表面,該框架包括相對于該第一表面的一第二表面,且該光罩保護膜是貼附至該框架的該第二表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體微影制程裝置,其特征在于,該粘著材料層包括一粘著劑,且該粘著劑的一玻璃轉(zhuǎn)化溫度大于該光罩的一最大操作溫度。
5.一種方法,以自一光罩-光罩保護膜系統(tǒng)中卸下一光罩保護膜,其特征在于,該方法包含:
提供該光罩-光罩保護膜系統(tǒng),該光罩-光罩保護膜系統(tǒng)包括:
一光罩,定義將被轉(zhuǎn)移的一電路圖案;
一光罩保護膜,包含形成在一第一表面中的一圖案,其中該光罩保護膜的該第一表面是貼附至該光罩;以及
一粘著劑,設(shè)置在該光罩及該第一表面間,其中該粘著劑的一玻璃轉(zhuǎn)化溫度大于室溫;
加熱該光罩-光罩保護膜系統(tǒng)至一第一溫度,其中該第一溫度是等于或大于該玻璃轉(zhuǎn)化溫度;及
自該光罩卸下該光罩保護膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于,該加熱該光罩-光罩保護膜系統(tǒng)至該第一溫度的操作是自該光罩移動該粘著劑的至少一部分至該圖案。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,該圖案包含多個毛細管,且該粘著劑通過一毛細管力移動至所述多個毛細管內(nèi)。
8.一種半導(dǎo)體晶圓的制造方法,其特征在于,包含:
裝載一光罩-光罩保護膜系統(tǒng)至一微影系統(tǒng),其中該光罩-光罩保護膜系統(tǒng)包含:
一光罩,定義將被轉(zhuǎn)移至該半導(dǎo)體晶圓一電路圖案;
一光罩保護膜,包含一圖案,形成在一第一表面內(nèi),其中該光罩保護膜的該第一表面是貼附至該光罩;以及
一粘著劑,設(shè)置在該光罩及該第一表面之間;
裝載該半導(dǎo)體晶圓至該微影系統(tǒng);及
進行一曝光制程,以利用該光罩轉(zhuǎn)移該電路圖案至該半導(dǎo)體晶圓。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于,進一步包括:
自該微影系統(tǒng)卸下該光罩-光罩保護膜系統(tǒng);
加熱該光罩-光罩保護膜系統(tǒng)至一溫度,其中該溫度是等于或大于該粘著劑的一玻璃轉(zhuǎn)化溫度,以自該光罩移動該粘著劑的至少一部分至該圖案;以及
自該光罩卸下該光罩保護膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于,進一步包括:
將該粘著劑涂在該第一表面;以及
通過設(shè)置該第一表面接觸該光罩的一邊界區(qū)域,安裝該光罩保護膜至該光罩,借以形成該光罩-光罩保護膜系統(tǒng)。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備





