[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010741338.8
• 申請日: 2020-07-29
• 公開（公告）號: CN111739938A
• 公開（公告）日: 2020-10-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韓廣濤;葛薇薇
• 申請（專利權(quán)）人: 杰華特微電子（杭州）有限公司
• 主分類號: H01L29/73
• 分類號: H01L29/73;H01L29/40;H01L29/08
• 代理公司: 北京成創(chuàng)同維知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;李鎮(zhèn)江

公開了一種半導(dǎo)體器件，包括襯底和位于襯底上的體區(qū)，體區(qū)上表面包括依次連接的集電區(qū)、基區(qū)和發(fā)射區(qū)，在集電區(qū)和基區(qū)區(qū)域中包括場氧區(qū)，在該場氧區(qū)上包括場板結(jié)構(gòu)，該場板結(jié)構(gòu)為階梯場板結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的場板結(jié)構(gòu)在集電區(qū)與基區(qū)之間的PN結(jié)反偏時(shí)，可以調(diào)節(jié)集電區(qū)電場，輔助耗盡集電區(qū)，在不影響集電區(qū)的尺寸和摻雜濃度的情況下，提升器件的耐壓，并且階梯場板結(jié)構(gòu)在集電區(qū)和基區(qū)區(qū)域中提供不同規(guī)格的調(diào)節(jié)電場，針對不同位置提供不同的調(diào)節(jié)電場，提升了場板結(jié)構(gòu)的應(yīng)用效果，提升器件性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)

BJT(Bipolar Junction Transistor，雙極結(jié)型晶體管)器件為一種常用的半導(dǎo)體器件，包括基地、集電極和發(fā)射極，一般工作在低壓情況下，例如集電極接5V電壓，基極接一電流，在發(fā)射極輸出電流，有時(shí)需要將BJT器件應(yīng)用在高壓場合，提升集電極電壓，集電極電壓提升就需要提升集電極與基極之間的耐壓，即BJT器件的共基極組態(tài)的擊穿電壓BVcbo(發(fā)射極開路時(shí)，基極與集電極之間所能承受的最高反向電壓)。

在傳統(tǒng)技術(shù)中，提升BVcbo一般采用降低集電區(qū)摻雜濃度或制作更大的集電區(qū)來提升耐壓，降低集電區(qū)摻雜濃度會影響B(tài)JT器件的電流能力，制作更大的集電區(qū)域會增大器件體積，占用芯片面積。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體器件，從而在不改變集電區(qū)域的摻雜濃度和芯片占用面積的情況下提升器件性能。

根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種半導(dǎo)體器件，包括：

襯底和位于所述襯底上的體區(qū)，所述體區(qū)的上表面包括依次連接的集電區(qū)、基區(qū)和發(fā)射區(qū)，其中，

在所述集電區(qū)和所述基區(qū)區(qū)域中包括場氧區(qū)，在所述場氧區(qū)上包括場板結(jié)構(gòu)，所述場板結(jié)構(gòu)為階梯場板結(jié)構(gòu)，在所述集電區(qū)和所述基區(qū)區(qū)域中提供不同規(guī)格的調(diào)節(jié)電場。

可選地，在所述半導(dǎo)體器件的縱截面上，所述集電區(qū)的尺寸大于所述基區(qū)的尺寸。

可選地，在所述半導(dǎo)體器件的縱截面上，所述基區(qū)的尺寸大于所述發(fā)射區(qū)尺寸。

可選地，在所述半導(dǎo)體器件的縱截面上，所述集電區(qū)和所述基區(qū)呈L型嵌套設(shè)置，所述發(fā)射區(qū)嵌套在所述基區(qū)的L型包圍空間中。

可選地，所述基區(qū)與基極電連接，所述場板結(jié)構(gòu)與所述基極電連接。

可選地，所述發(fā)射區(qū)連接導(dǎo)線電引出為所述半導(dǎo)體器件的發(fā)射極。

可選地，所述集電區(qū)包括位于上表面的集電極引出區(qū)，所述基區(qū)上表面包括基極引出區(qū)，所述場氧區(qū)位于所述集電極引出區(qū)與所述基極引出區(qū)之間，隔離所述集電極引出區(qū)與所述基極引出區(qū)。

可選地，在所述半導(dǎo)體器件的俯視面上，所述場板結(jié)構(gòu)的投影區(qū)域與所述基區(qū)和所述集電區(qū)均相交。

可選地，所述半導(dǎo)體器件為NPN型雙極結(jié)型晶體管或PNP型雙極結(jié)型晶體管。

可選地，所述場氧區(qū)上還包括氧化物區(qū)，所述場板結(jié)構(gòu)位于所述氧化物區(qū)上，所述氧化物區(qū)為厚氧化物層。

本發(fā)明提供的半導(dǎo)體器件包括襯底和位于襯底上的體區(qū)，體區(qū)上表面包括依次連接的集電區(qū)、基區(qū)和發(fā)射區(qū)，在集電區(qū)和基區(qū)區(qū)域中包括場氧區(qū)，在該場氧區(qū)上包括場板結(jié)構(gòu)，該場板結(jié)構(gòu)為階梯場板結(jié)構(gòu)，在集電區(qū)與基區(qū)之間的PN結(jié)反偏時(shí)，場板結(jié)構(gòu)在集電區(qū)和基區(qū)區(qū)域中提供不同規(guī)格的調(diào)節(jié)電場，對不同的位置提供不同的調(diào)節(jié)電場調(diào)節(jié)集電區(qū)電場，輔助提升場板結(jié)構(gòu)耗盡集電區(qū)的效果，提升器件的耐壓，提升性能。

提高集電區(qū)尺寸，提高集電區(qū)的載流子濃度，提高器件的電流能力，降低溝道電阻，提升耐壓。

降低發(fā)射區(qū)尺寸，為集電區(qū)提供尺寸拓展空間，保障集電區(qū)尺寸的提升，提升器件性能。