[發明專利]半導體器件在審
| 申請號： | 202010741338.8 | 申請日： | 2020-07-29 |
| 公開（公告）號： | CN111739938A | 公開（公告）日： | 2020-10-02 |
| 發明（設計）人： | 韓廣濤;葛薇薇 | 申請（專利權）人： | 杰華特微電子（杭州）有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/73 | 分類號： | H01L29/73;H01L29/40;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京成創同維知識產權代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡純;李鎮江 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖區三墩鎮*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 | ||
1.一種半導體器件，其特征在于，包括：
襯底和位于所述襯底上的體區，所述體區的上表面包括依次連接的集電區、基區和發射區，其中，
在所述集電區和所述基區區域中包括場氧區，在所述場氧區上包括場板結構，所述場板結構為階梯場板結構，在所述集電區和所述基區區域中提供不同規格的調節電場。
2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，
在所述半導體器件的縱截面上，所述集電區的尺寸大于所述基區的尺寸。
3.根據權利要求1或2所述的半導體器件，其特征在于，
在所述半導體器件的縱截面上，所述基區的尺寸大于所述發射區尺寸。
4.根據權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，
在所述半導體器件的縱截面上，所述集電區和所述基區呈L型嵌套設置，所述發射區嵌套在所述基區的L型包圍空間中。
5.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，
所述基區與基極電連接，所述場板結構與所述基極電連接。
6.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，
所述發射區連接導線電引出為所述半導體器件的發射極。
7.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，
所述集電區包括位于上表面的集電極引出區，所述基區上表面包括基極引出區，所述場氧區位于所述集電極引出區與所述基極引出區之間，隔離所述集電極引出區與所述基極引出區。
8.根據權利要求1或4所述的半導體器件，其特征在于，
在所述半導體器件的俯視面上，所述場板結構的投影區域與所述基區和所述集電區均相交。
9.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，
所述半導體器件為NPN型雙極結型晶體管或PNP型雙極結型晶體管。
10.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，
所述場氧區上還包括氧化物區，所述場板結構位于所述氧化物區上，所述氧化物區為厚氧化物層。
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