[發(fā)明專利]DRAM內(nèi)存顆粒的測試方法及裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010740446.3
• 申請日: 2020-07-28
• 公開（公告）號: CN111951875B
• 公開（公告）日: 2023-07-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳曉良
• 申請（專利權(quán)）人: 銳捷網(wǎng)絡(luò)股份有限公司
• 主分類號: G11C29/12
• 分類號: G11C29/12;G11C29/08;G11C11/401
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• 代理人: 暫無信息

1.一種DRAM內(nèi)存顆粒的測試方法，應(yīng)用于測試設(shè)備包括的控制單元中，所述測試設(shè)備還包括與所述控制單元連接的交互單元、電壓調(diào)節(jié)單元、電壓采集單元和待測試DRAM內(nèi)存顆粒，所述電壓采集單元、所述電壓調(diào)節(jié)單元分別與所述待測試DRAM內(nèi)存顆粒連接，其特征在于，所述方法包括：

獲取所述交互單元接收到的所述待測試DRAM內(nèi)存顆粒的固有參數(shù)和設(shè)定參數(shù)；

基于所述固有參數(shù)、所述設(shè)定參數(shù)和預(yù)設(shè)的初始工作時(shí)序確定所述待測試DRAM內(nèi)存顆粒的選定工作時(shí)序集合；其中，固有參數(shù)是待測試DRAM內(nèi)存顆粒自身固有的物理參數(shù)；

在所述選定工作時(shí)序集合中的每個(gè)選定工作時(shí)序下分別調(diào)用所述待測試DRAM內(nèi)存顆粒執(zhí)行預(yù)定測試項(xiàng)、調(diào)用所述電壓采集單元獲取所述待測試DRAM內(nèi)存顆粒的當(dāng)前電壓后調(diào)用所述電壓調(diào)節(jié)單元基于所述當(dāng)前電壓和預(yù)設(shè)的電壓范圍調(diào)節(jié)所述待測試DRAM內(nèi)存顆粒的工作電壓；

基于在每個(gè)選定工作時(shí)序下的測試結(jié)果確定所述待測試DRAM內(nèi)存顆粒是否正常。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，基于所述固有參數(shù)、所述設(shè)定參數(shù)和預(yù)設(shè)的初始工作時(shí)序確定所述待測試DRAM內(nèi)存顆粒的選定工作時(shí)序集合，具體包括：

組合所述固有參數(shù)的各個(gè)參數(shù)值和所述設(shè)定參數(shù)的各個(gè)參數(shù)值，得到各個(gè)參數(shù)值組合；

分別將各個(gè)參數(shù)值組合代入預(yù)設(shè)的初始工作時(shí)序，得到所述待測試DRAM內(nèi)存顆粒的初始工作時(shí)序集合；

按照設(shè)定規(guī)則從所述初始工作時(shí)序集合中獲取選定工作時(shí)序，得到選定工作時(shí)序集合。

3.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，基于在每個(gè)選定工作時(shí)序下的測試結(jié)果確定所述待測試DRAM內(nèi)存顆粒是否正常，具體包括：

獲取每個(gè)選定工作時(shí)序的測試結(jié)果；

確定每個(gè)選定工作時(shí)序的測試結(jié)果是否均為正常；

若確定每個(gè)選定工作時(shí)序的測試結(jié)果均為正常，則確定所述待測試DRAM內(nèi)存顆粒正常。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，還包括：

若確定至少一個(gè)選定工作時(shí)序的測試結(jié)果為異常，則確定所述待測試DRAM內(nèi)存顆粒異常。

5.一種DRAM內(nèi)存顆粒的測試裝置，應(yīng)用于測試設(shè)備包括的控制單元中，所述測試設(shè)備還包括與所述控制單元連接的交互單元、電壓調(diào)節(jié)單元、電壓采集單元和待測試DRAM內(nèi)存顆粒，所述電壓采集單元、所述電壓調(diào)節(jié)單元分別與所述待測試DRAM內(nèi)存顆粒連接，所述裝置包括：

獲取模塊，用于獲取所述交互單元接收到的所述待測試DRAM內(nèi)存顆粒的固有參數(shù)和設(shè)定參數(shù)；

第一確定模塊，用于基于所述固有參數(shù)、所述設(shè)定參數(shù)和預(yù)設(shè)的初始工作時(shí)序確定所述待測試DRAM內(nèi)存顆粒的選定工作時(shí)序集合；其中，固有參數(shù)是待測試DRAM內(nèi)存顆粒自身固有的物理參數(shù)；

調(diào)用模塊，用于在所述選定工作時(shí)序集合中的每個(gè)選定工作時(shí)序下分別調(diào)用所述待測試DRAM內(nèi)存顆粒執(zhí)行預(yù)定測試項(xiàng)、調(diào)用所述電壓采集單元獲取所述待測試DRAM內(nèi)存顆粒的當(dāng)前電壓后調(diào)用所述電壓調(diào)節(jié)單元基于所述當(dāng)前電壓和預(yù)設(shè)的電壓范圍調(diào)節(jié)所述待測試DRAM內(nèi)存顆粒的工作電壓；

第二確定模塊，用于基于在每個(gè)選定工作時(shí)序下的測試結(jié)果確定所述待測試DRAM內(nèi)存顆粒是否正常。

6.如權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述第一確定模塊，用于基于所述固有參數(shù)、所述設(shè)定參數(shù)和預(yù)設(shè)的初始工作時(shí)序確定所述待測試DRAM內(nèi)存顆粒的選定工作時(shí)序集合，具體用于：

組合所述固有參數(shù)的各個(gè)參數(shù)值和所述設(shè)定參數(shù)的各個(gè)參數(shù)值，得到各個(gè)參數(shù)值組合；

分別將各個(gè)參數(shù)值組合代入預(yù)設(shè)的初始工作時(shí)序，得到所述待測試DRAM內(nèi)存顆粒的初始工作時(shí)序集合；

按照設(shè)定規(guī)則從所述初始工作時(shí)序集合中獲取選定工作時(shí)序，得到選定工作時(shí)序集合。