[發(fā)明專利]一種芯片互連方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010740336.7
• 申請日: 2020-07-28
• 公開（公告）號: CN111863719B
• 公開（公告）日: 2022-07-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳品忠;繆小勇
• 申請（專利權(quán)）人: 南通通富微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280
• 代理人: 黎堅怡

1.一種芯片互連方法，其特征在于，包括：

將第一芯片的非功能面一側(cè)黏貼于第一封裝體的一側(cè)表面，所述第一封裝體包括主芯片和第一電連接結(jié)構(gòu)，所述第一電連接結(jié)構(gòu)與所述主芯片的功能面上的焊盤電連接，且所述第一電連接結(jié)構(gòu)具有從所述第一封裝體的側(cè)面外露的部分，所述主芯片的非功能面與所述第一芯片的非功能面相對設(shè)置；

利用彎折的電連接件將從所述第一封裝體的側(cè)面外露的所述第一電連接結(jié)構(gòu)與所述第一芯片的功能面上的部分焊盤電連接，包括：將所述電連接件一端通過導(dǎo)電膠從所述第一封裝體的側(cè)面外露的所述第一電連接結(jié)構(gòu)粘合，以及將所述電連接件的另一端通過所述導(dǎo)電膠與所述第一芯片的所述部分焊盤粘合；將所述電連接件的所述一端和所述另一端之間的區(qū)域通過非導(dǎo)電膠與所述第一封裝體和所述第一芯片壓緊貼合；

在所述第一芯片的功能面上形成第二電連接結(jié)構(gòu)，并將所述第二電連接結(jié)構(gòu)與封裝基板電連接，其中，所述第二電連接結(jié)構(gòu)與所述第一芯片的其余部分焊盤電連接；

所述將第一芯片的非功能面一側(cè)黏貼于第一封裝體的一側(cè)表面的步驟之前，還包括：將多個所述主芯片的非功能面一側(cè)間隔黏貼于載板上；在所述載板黏貼有所述主芯片的一側(cè)表面形成第二塑封層，第二導(dǎo)電柱遠離所述載板的一側(cè)表面以及位于所述主芯片的功能面上的焊盤從所述第二塑封層中露出；在所述第二塑封層遠離所述載板的一側(cè)形成第一電連接層，所述第二導(dǎo)電柱、所述主芯片的所述焊盤和所述第一電連接層形成電連接；移除所述載板并切割掉相鄰所述主芯片之間的部分所述第二導(dǎo)電柱，以獲得包含單顆所述主芯片的所述第一封裝體，其中，所述第一封裝體的側(cè)面保留有所述第二導(dǎo)電柱；其中，所述第二導(dǎo)電柱和所述第一電連接層形成所述第一電連接結(jié)構(gòu)；

或者，形成所述第一電連接結(jié)構(gòu)的步驟還包括：在多個所述主芯片的側(cè)面和功能面一側(cè)形成第四塑封層，且所述主芯片的功能面上的焊盤從所述第四塑封層中露出；在所述第四塑封層上形成第二電連接層，所述第二電連接層與所述主芯片的所述焊盤電連接；在所述第二電連接層上對應(yīng)相鄰所述主芯片之間的位置以及邊緣位置形成第三導(dǎo)電柱，所述第三導(dǎo)電柱通過所述第二電連接層與所述主芯片的所述焊盤電連接；切割掉相鄰所述主芯片之間的部分所述第四塑封層、部分所述第二電連接層和部分所述第三導(dǎo)電柱，以獲得包含單顆所述主芯片的所述第一封裝體，其中，所述第一封裝體的側(cè)面保留有所述第三導(dǎo)電柱；其中，所述第三導(dǎo)電柱和所述第二電連接層形成所述第一電連接結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片互連方法，其特征在于，

所述電連接件為柔性的導(dǎo)電基帶，所述導(dǎo)電基帶的第一表面設(shè)置有外露的導(dǎo)電部，所述導(dǎo)電部與從所述第一封裝體的側(cè)面外露的所述第一電連接結(jié)構(gòu)以及所述第一芯片的所述部分焊盤電連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片互連方法，其特征在于，

所述電連接件為L型硅橋，所述第一封裝體的側(cè)面和所述第一芯片的側(cè)面齊平；或者，所述第一封裝體的側(cè)面超出所述第一芯片的側(cè)面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片互連方法，其特征在于，所述在所述第一芯片的功能面上形成第二電連接結(jié)構(gòu)的步驟包括：

在所述第一芯片的功能面上形成圖案化的光阻涂層，所述光阻涂層對應(yīng)于所述第一芯片的所述其余部分焊盤設(shè)置有第一通孔；

在所述第一通孔內(nèi)形成第一導(dǎo)電柱，所述第一導(dǎo)電柱與所述第一芯片的所述其余部分焊盤電連接，所述第二電連接結(jié)構(gòu)包括所述第一導(dǎo)電柱；

去除所述光阻涂層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的芯片互連方法，其特征在于，所述將所述第二電連接結(jié)構(gòu)與封裝基板電連接的步驟之后，還包括：

在所述第一芯片和所述封裝基板之間形成底填膠，所述底填膠包裹所述第一導(dǎo)電柱和所述電連接件的與所述第一芯片的所述部分焊盤電連接的一端。