[發明專利]一種芯片互連方法在審
| 申請號: | 202010740324.4 | 申請日: | 2020-07-28 |
| 公開(公告)號: | CN111863718A | 公開(公告)日: | 2020-10-30 |
| 發明(設計)人: | 李駿;戴穎 | 申請(專利權)人: | 南通通富微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/768 | 分類號: | H01L21/768;H01L21/48;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/48;H01L25/16 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 黎堅怡 |
| 地址: | 226000 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 芯片 互連 方法 | ||
1.一種芯片互連方法,其特征在于,所述芯片互連方法包括:
將多個第一封裝元件層疊設置在基板上,所述第一封裝元件包括至少一個主芯片和電連接結構,所述電連接結構與所述主芯片的功能面上的焊盤電連接且具有外露的位于所述第一封裝元件側面的部分;
在層疊設置的所述多個第一封裝元件的側面設置彎折的電連接件,以使得所述多個第一封裝元件通過所述電連接件與所述基板電連接;其中,所述電連接件的包括第一連接部以及自所述第一連接部非平行延伸的第二連接部,所述第一連接部與所述多個第一封裝元件的側面的所述電連接結構電連接,所述第二連接部與所述基板電連接。
2.根據權利要求1所述的芯片互連方法,其特征在于,
所述電連接件為柔性的導電基帶,所述導電基帶的第一表面設置有外露的導電部,所述導電部與所述基板和所述多個第一封裝元件的電連接結構電連接。
3.根據權利要求2所述的芯片互連方法,其特征在于,所述在層疊設置的所述多個第一封裝元件的側面設置彎折的電連接件,包括:
將所述導電基帶的一端與最遠離所述基板的所述第一封裝元件的上表面通過導電膠或非導電膠粘合;
將所述導電基帶另一端與所述基板表面通過所述導電膠粘合;其中,所述導電基帶的所述另一端形成所述第二連接部;
將所述導電基帶兩端之間的表面與層疊設置的所述多個第一封裝元件的側面通過所述導電膠壓緊粘合;其中,所述導電基帶的兩端之間的部分形成所述第一連接部。
4.根據權利要求3所述的芯片互連方法,其特征在于,所述將所述導電基帶兩端之間的表面與層疊設置的所述多個第一封裝元件的側面通過所述導電膠壓緊粘合之后,包括:
在所述導電基帶的所述另一端與所述基板表面之間形成底填膠。
5.根據權利要求2-4任一項所述的芯片互連方法,其特征在于,
所述基板設置有所述多個第一封裝元件的表面平整。
6.根據權利要求1所述的芯片互連方法,其特征在于,
所述基板設置有所述多個第一封裝元件的表面設有凹槽,所述電連接件為L型硅橋。
7.根據權利要求6所述的芯片互連方法,其特征在于,
所述將多個第一封裝元件層疊設置在基板上,包括:將多個所述第一封裝元件層疊設置于與所述凹槽相鄰的所述基板的表面上,且所述多個第一封裝元件的側面與鄰近所述凹槽的側壁對齊;
所述在層疊設置的所述多個第一封裝元件的側面設置彎折的電連接件包括:將所述L型硅橋的所述第一連接部與所述多個第一封裝元件的側面通過導電膠粘合;將所述L型硅橋的所述第二連接部與所述凹槽的底部之間固定。
8.根據權利要求7所述的芯片互連方法,其特征在于,還包括:
將邏輯芯片設置于所述基板設置有所述多個第一封裝元件一側,且所述邏輯芯片與所述L型硅橋和所述基板分別電連接,以使所述第一封裝元件通過所述L型硅橋、所述邏輯芯片與所述基板電連接。
9.根據權利要求1所述的芯片互連方法,其特征在于,所述將多個第一封裝元件層疊設置在基板上,包括:
將所述多個第一封裝元件之間通過非導電膠粘合固定;將粘合固定后的所述多個第一封裝元件與所述基板通過所述非導電膠粘合固定;或者,
將所述多個第一封裝元件依次通過非導電膠粘合固定于所述基板上。
10.根據權利要求1所述的芯片互連方法,其特征在于,所述將多個第一封裝元件層疊設置在基板上,包括:
將所述多個第一封裝元件和多個散熱片依次交替層疊設置于所述基板上,其中,相鄰所述第一封裝元件之間設置有一個所述散熱片。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于南通通富微電子有限公司,未經南通通富微電子有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010740324.4/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種芯片互連方法
- 下一篇:圖像的畸變校正方法、裝置及移動終端
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





