[發明專利]基板的結構的狀態的基于X射線的評估

在審

• 申請號: 202010738103.3
• 申請日: 2020-07-28
• 公開（公告）號: CN112378935A
• 公開（公告）日: 2021-02-19
• 發明（設計）人: D·史密什
• 申請（專利權）人: 應用材料以色列公司
• 主分類號: G01N23/044
• 分類號: G01N23/044;G01N23/225
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖;張鑫

1.一種用于基板的結構的狀態的基于X射線的評估的方法，所述方法包括：

獲取包括所述結構的所述基板的區域的電子圖像；

獲取所述結構的X射線圖像；和

至少基于從所述結構發射的X射線光子的數量來評估所述結構的所述狀態。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述結構是具有超過三微米的深度的孔或溝槽。

3.如權利要求1所述的方法，包括在所述電子圖像中檢測所述結構。

4.如權利要求3所述的方法，其中在所述電子圖像中檢測所述結構之后，獲取所述結構的X射線圖像。

5.如權利要求3所述的方法，其中在所述電子圖像中檢測所述結構之前，產生指示從所述區域發射的X射線光子的X射線檢測信號。

6.如權利要求5所述的方法，其中在所述電子圖像中檢測所述結構之后，檢索指示從所述結構發射的X射線光子的X射線檢測信號。

7.如權利要求1至6中任一項所述的方法，其中基于至少第一數量的X射線光子來評估所述結構的所述狀態，所述X射線光子從所述結構發射并且具有在第一能量范圍內的能量。

8.如權利要求1至6中任一項所述的方法，其中基于至少以下兩項來評估所述結構的所述狀態：(a)第一數量的X射線光子，所述第一數量的X射線光子從所述結構發射，并且具有在第一能量范圍內的能量；和(b)第二數量的X射線光子，所述第二數量的X射線光子從所述結構發射，并且具有在第二能量范圍內的能量，其中所述第二能量范圍與所述第一能量范圍不同。

9.如權利要求1至6中任一項所述的方法，其中評估所述結構的所述狀態包括檢測所述結構中的缺陷。

10.如權利要求1至6中任一項所述的方法，其中評估所述結構的所述狀態包括將所述結構中的缺陷分類。

11.如權利要求1至6中任一項所述的方法，其中評估所述結構的所述狀態包括將從所述結構發射的所述X射線光子的數量與X射線光子的參考數量進行比較。

12.如權利要求1至6中任一項所述的方法，其中評估所述結構的所述狀態包括將從所述結構發射的所述X射線光子的數量與從一個或多個其他結構發射的X射線光子的一個或多個數量進行比較。

13.如權利要求1至6中任一項所述的方法，包括評估包括所述結構的一組結構的狀態，其中評估所述組的所述狀態至少部分地基于從所述組的每一結構發射的所述X射線光子的數量。

14.一種包括計算機可讀指令的非瞬態計算機可讀介質，所述計算機可讀指令一旦由計算機化系統執行，就引起所述計算機化系統執行以下過程，所述過程包括：

獲取包括所述結構的所述基板的區域的電子圖像；

獲取所述結構的X射線圖像；和

至少基于從所述結構發射的X射線光子的數量來評估所述結構的所述狀態。

15.一種包括帶電粒子光學元件和處理器的帶電粒子系統，其中所述處理器被配置以控制所述系統以：

獲取包括所述結構的所述基板的區域的電子圖像；

獲取所述結構的X射線圖像；和

至少基于從所述結構發射的X射線光子的數量來評估所述結構的所述狀態。