[發明專利]一種顯示基板的制作方法、顯示基板和顯示裝置

有效

• 申請號: 202010737419.0
• 申請日: 2020-07-28
• 公開（公告）號: CN111863840B
• 公開（公告）日: 2023-07-18
• 發明（設計）人: 馮靖伊;張振華
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;G06V40/13
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 黃燦;顧春天

1.一種顯示基板的制作方法，其特征在于，所述顯示基板包括感光晶體管、氧化物晶體管和多晶硅晶體管，所述顯示基板的制作方法包括以下步驟：

提供一襯底基板；

在所述襯底基板上通過一次構圖工藝制作感光晶體管的柵極層、氧化物晶體管的柵極層和多晶硅晶體管的柵極層；

制作絕緣層，所述絕緣層覆蓋所述感光晶體管的柵極層、氧化物晶體管的柵極層和多晶硅晶體管的柵極層；

在所述絕緣層上通過一次構圖工藝制作感光晶體管的半導體層和氧化物晶體管的半導體層；

在所述感光晶體管的半導體層和所述氧化物晶體管的半導體層上制作發光單元。

2.如權利要求1所述的顯示基板的制作方法，其特征在于，所述制作絕緣層之后，還包括：

對所述絕緣層進行摻雜，以使所述感光晶體管成為耗盡型晶體管。

3.如權利要求1所述的顯示基板的制作方法，其特征在于，

所述在所述絕緣層上通過一次構圖工藝制作感光晶體管的半導體層和氧化物晶體管的半導體層之后，還包括：

制作遮光層，所述遮光層在所述襯底基板上的正投影與所述氧化物晶體管的半導體層在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊。

4.一種顯示基板，其特征在于，包括襯底基板、位于所述襯底基板上的感光晶體管和驅動電路層、以及位于所述驅動電路層上的發光單元，所述驅動電路層包括氧化物晶體管和多晶硅晶體管，所述感光晶體管的柵極層與所述多晶硅晶體管的柵極層、氧化物晶體管的柵極層同層同材料設置，所述感光晶體管的半導體層和所述氧化物晶體管的半導體層同材料設置；其中，絕緣層覆蓋所述感光晶體管的柵極層、氧化物晶體管的柵極層和多晶硅晶體管的柵極層。

5.如權利要求4所述的顯示基板，其特征在于，所述感光晶體管為耗盡型晶體管。

6.如權利要求4所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示基板還包括存儲電容，所述存儲電容包括第一極板和第二極板，所述第一極板與所述多晶硅晶體管的柵極層同層同材料設置。

7.如權利要求6所述的顯示基板，其特征在于，所述氧化物晶體管的柵極層位于所述氧化物晶體管的半導體層和所述襯底基板之間。

8.如權利要求7所述的顯示基板，其特征在于，還包括位于所述氧化物晶體管遠離所述襯底基板一側的遮光層，所述遮光層在所述襯底基板上的正投影與所述氧化物晶體管的半導體層在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊。

9.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求4至8中任一項所述的顯示基板。