[發明專利]一種顯示基板的制作方法、顯示基板和顯示裝置有效
| 申請號: | 202010737419.0 | 申請日: | 2020-07-28 |
| 公開(公告)號: | CN111863840B | 公開(公告)日: | 2023-07-18 |
| 發明(設計)人: | 馮靖伊;張振華 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;G06V40/13 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 黃燦;顧春天 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 制作方法 顯示裝置 | ||
本發明提供一種顯示基板的制作方法、顯示基板和顯示裝置。顯示基板包括感光晶體管、氧化物晶體管和多晶硅晶體管,顯示基板的制作方法包括:提供一襯底基板;在所述襯底基板上通過一次構圖工藝制作所述感光晶體管的柵極層和所述多晶硅晶體管的柵極層;制作絕緣層,所述絕緣層覆蓋所述感光晶體管的柵極層和多晶硅晶體管的柵極層;在所述絕緣層上通過一次構圖工藝制作感光晶體管的半導體層和氧化物晶體管的半導體層;在所述感光晶體管的半導體層和所述氧化物晶體管的半導體層上制作發光單元。本申請能夠節約工藝步驟,避免額外使用掩膜版而導致的成本增加。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種顯示基板的制作方法、顯示基板和顯示裝置。
背景技術
隨著屏下指紋識別技術的發展,利用晶體管的半導體層的閾值電壓會隨著光照條件發射偏移這一特性制作屏下指紋識別模組成為一種選擇,然而相關技術中,為了制作進行指紋識別的晶體管,需要額外增加較多的工藝步驟,導致生產成本顯著增加。
發明內容
本發明實施例提供一種顯示基板的制作方法、顯示基板和顯示裝置,以解決相關技術中具有屏下指紋識別模組的顯示裝置成本較高的問題。
第一方面,本發明實施例提供了一種顯示基板的制作方法,所述顯示基板包括感光晶體管、氧化物晶體管和多晶硅晶體管,所述顯示基板的制作方法包括以下步驟:
提供一襯底基板;
在所述襯底基板上通過一次構圖工藝制作所述感光晶體管的柵極層和所述多晶硅晶體管的柵極層;
制作絕緣層,所述絕緣層覆蓋所述感光晶體管的柵極層和多晶硅晶體管的柵極層;
在所述絕緣層上通過一次構圖工藝制作感光晶體管的半導體層和氧化物晶體管的半導體層;
在所述感光晶體管的半導體層和所述氧化物晶體管的半導體層上制作發光單元。
可選的,所述制作絕緣層之后,還包括:
對所述絕緣層進行摻雜,以使所述感光晶體管成為耗盡型晶體管。
可選的,所述在所述襯底基板上通過一次構圖工藝制作感光晶體管的柵極層和多晶硅晶體管的柵極層,包括:
在所述襯底基板上通過一次構圖工藝制作感光晶體管的柵極層、氧化物晶體管的柵極層和多晶硅晶體管的柵極層;
所述在所述絕緣層上通過一次構圖工藝制作感光晶體管的半導體層和氧化物晶體管的半導體層之后,還包括:
制作遮光層,所述遮光層在所述襯底基板上的正投影與所述氧化物晶體管的半導體層在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊。
第二方面,本發明實施例提供了一種顯示基板,其特征在于,包括襯底基板、位于所述襯底基板上的感光晶體管和驅動電路層、以及位于所述驅動電路層上的發光單元,所述驅動電路層包括氧化物晶體管和多晶硅晶體管,所述感光晶體管的柵極層與所述多晶硅晶體管的柵極層同層同材料設置,所述感光晶體管的半導體層和所述氧化物晶體管的半導體層同材料設置。
可選的,所述感光晶體管為耗盡型晶體管。
可選的,所述顯示基板還包括存儲電容,所述存儲電容包括第一極板和第二極板,所述第一極板與所述多晶硅晶體管的柵極層同層同材料設置。
可選的,所述氧化物晶體管的柵極層位于所述氧化物晶體管的半導體層遠離所述襯底基板的一側,且所述氧化物晶體管的柵極層與所述第二極板同層同材料設置。
可選的,所述氧化物晶體管的柵極層位于所述氧化物晶體管的半導體層和所述襯底基板之間,所述氧化物晶體管的柵極層與所述多晶硅晶體管的柵極層同層同材料設置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





