[發明專利]一種空腔電感結構及其制造方法

在審

• 申請號: 202010736129.4
• 申請日: 2020-07-28
• 公開（公告）號: CN111834528A
• 公開（公告）日: 2020-10-27
• 發明（設計）人: 陳天放;曹立強;徐成;孫鵬
• 申請（專利權）人: 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司
• 主分類號: H01L49/02
• 分類號: H01L49/02
• 代理公司: 上海智晟知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31313
• 代理人: 張東梅

1.一種空腔電感結構，其特征在于，包括：

硅襯底，所述硅襯底包括空腔結構；

螺旋電感結構，其形成于所述硅襯底的第一表面，且位于所述空腔結構內；

絕緣層，其覆蓋所述硅襯底的第一表面；

銅柱；

第一金屬層，其電連接至所述螺旋電感結構的外側端口以及所述銅柱的第一端；

第一介質層，其包覆所述第一金屬層的表面及間隙；

第二金屬層，其電連接至所述第一金屬層；

第二介質層，其包覆所述第二金屬層的表面及間隙；

第三金屬層，其電連接至所述銅柱的第二端；

第三介質層，其包覆所述第三金屬層的間隙；以及

外接焊球，其電連接至所述第三金屬層。

2.如權利要求1所述的空腔電感結構，其特征在于，所述絕緣層的材料為氧化硅。

3.如權利要求1所述的空腔電感結構，其特征在于，所述螺旋電感結構為四邊形、六邊形或八邊形。

4.如權利要求1所述的空腔電感結構，其特征在于，所述第一金屬層實現對所述螺旋電感結構的外側端口的扇出功能。

5.如權利要求1所述的空腔電感結構，其特征在于，所述第二金屬層實現對所述螺旋電感結構的內側端口的扇出功能。

6.如權利要求1所述的空腔電感結構，其特征在于，所述第一金屬層和/或所述第二金屬層和/或所述第三金屬層的材料為銅、鋁、鎢或其合金。

7.如權利要求1所述的空腔電感結構，其特征在于，所述第一介質層和/或所述第二介質層和/或所述第三介質層的材料為樹脂、PI、氧化硅或氮化硅。

8.一種空腔電感結構的制造方法，其特征在于，包括步驟：

在硅襯底的第一表面刻蝕深槽，形成螺旋線圈圖形以及盲孔；

在所述硅襯底的第一表面及所述深槽內形成絕緣層；

在所述深槽內填充電鍍銅，形成螺旋電感結構及銅柱；

在所述硅襯底的第一表面形成第一金屬層、第一介質層、第二金屬層以及第二介質層；

將所述硅襯底的第一表面與載片粘合；

去除部分硅襯底，使得所述銅柱的第二端暴露出來；

在所述硅襯底的第二表面形成第三金屬層、第三介質層以及外接焊球；

在所述硅襯底的第二表面未與所述螺旋電感結構對應的區域涂膠；

從所述第二表面刻蝕硅襯底與所述螺旋電感結構對應的區域，形成空腔結構；以及

去膠及去除載片。

9.如權利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述絕緣層通過沉積氧化硅形成。

10.如權利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述盲孔的高度大于所述螺旋線圈圖形的高度。