[發明專利]一種化學鍍錫液及其制備方法、使用

在審

• 申請號: 202010735714.2
• 申請日: 2020-07-28
• 公開（公告）號: CN111705312A
• 公開（公告）日: 2020-09-25
• 發明（設計）人: 張元正;張本漢
• 申請（專利權）人: 信豐正天偉電子科技有限公司
• 主分類號: C23C18/52
• 分類號: C23C18/52
• 代理公司: 上海微策知識產權代理事務所(普通合伙) 31333
• 代理人: 湯俊明

本發明屬于表面處理技術領域，具體的，涉及一種化學鍍錫液及其制備方法、應用。本發明的提供了一種化學鍍錫液，按照濃度包括：錫鹽5?25g/L，絡合劑70?80g/L，硫脲類物質100?120g/L，表面活性劑1?10g/L，還原劑40?70g/L，MZxOy 1?10g/L，其中M為V、Nb、Zr、Na中的至少一種；Z為雜元素；x為0?2；y為3?5。本申請人通過精心研究的化學鍍錫液，各個組分相互協同，共同發揮作用，沉積速率快，鍍層厚度大，鍍層均勻致密。

技術領域

本發明屬于表面處理技術領域，具體的，涉及一種化學鍍錫液及其制備方法、使用。

背景技術

錫是一種銀白色的金屬，具有抗腐蝕、無毒、易釬焊等優點，廣泛的應用于工業生產中的各個領域口。如錫制食品包裝盒，電子元件焊錫層。基于錫良好的釬焊性及抗腐蝕性，鍍錫在印制電鍍板和超大規集成電路芯片中也具有極大的應用價值。早期的電子封裝和電子線路板都是以錫鉛合金作為可焊性鍍層，具有低溫焊接，結合力高、不產生錫須等優點。

近年人類對健康和環境問題越來越重視，鍍錫層作為可焊性鍍層已廣泛應用于以銅和銅合金為基體的電子元器件和半導體封裝行業。鍍錫按照發展歷程可分為熱浸錫、電鍍錫和化學鍍錫三大類。化學鍍是在鍍液中，金屬離子在還原劑的作用下于基體活性表面上沉積的過程。一般分為置換法和還原法兩種，置換法遵循置換原理在基體表面沉積出一層很薄的金屬鍍層，因而應用有限。還原法是利用鍍液中的還原劑在基體表面不斷沉積金屬的一個過程，可以根據要求得到不同厚度的鍍層。化學鍍的優點是鍍液分散能力和覆蓋能力好，鍍層厚度均勻，不需要外加電源。

但是由于錫本身性質的影響以及施鍍條件的影響，鍍層厚度薄，沉積速度慢，都限制了化學鍍錫液的發展。

發明內容

為了解決上述技術問題，本發明的第一個方面提供了一種化學鍍錫液，按照濃度包括：錫鹽5-25g/L，絡合劑70-80g/L，硫脲類物質100-120g/L，表面活性劑1-10g/L，還原劑40-70g/L，MZxOy 1-6g/L，其中M為V、Nb、Zr、Na中的至少一種；Z為雜元素；x為0-2；y為3-5。

作為一種優選的技術方案，所述錫鹽選自甲基磺酸錫，鹽酸錫，硫酸錫，氟硼酸亞錫中的至少一種。

作為一種優選的技術方案，所述絡合劑包括檸檬酸、蘋果酸、枸櫞酸、酒石酸中的至少一種。

作為一種優選的技術方案，所述還原劑選自次磷酸鈉、氯化鈦、次磷酸銨、次磷酸鉀、硼氫化物、水合肼中的至少一種。

作為一種優選的技術方案，所述MZxOy，其中M為V、Na中的至少一種；Z為雜元素；x為0-2；y為3-5。

作為一種優選的技術方案，所述表面活性劑選自十六烷基三甲基溴化銨、十二烷基三甲基氯化銨、聚乙二醇、聚氧乙烯聚氧丙烯嵌段共聚物中的至少一種。

作為一種優選的技術方案，所述聚氧乙烯聚氧丙烯嵌段共聚物的平均分子量為2000-2800。

作為一種優選的技術方案，所述化學鍍錫液還包括含極性基團的不飽和化合物16-20g/L。

本發明的第二方面提供了所述的化學鍍錫液的制備方法，包括以下步驟：將各組分混合均勻即可。

本發明的第三方面提供了所述的化學鍍錫液的使用方法，所述化學鍍錫液的施鍍條件為40-45℃，時間為10-15min。

有益效果：本申請人通過精心研究的化學鍍錫液，各個組分相互協同，共同發揮作用，沉積速率快，鍍層厚度大，鍍層均勻致密。

具體實施方式