[發(fā)明專利]雙極晶體管位移損傷敏感部位的檢測(cè)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010735169.7
• 申請(qǐng)日: 2020-07-28
• 公開（公告）號(hào): CN111766496B
• 公開（公告）日: 2022-11-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李興冀;楊劍群;應(yīng)濤;呂鋼;董善亮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 哈爾濱工業(yè)大學(xué)
• 主分類號(hào): G01R31/26
• 分類號(hào): G01R31/26
• 代理公司: 北京隆源天恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11473
• 代理人: 胡天人

1.一種雙極晶體管位移損傷敏感部位的檢測(cè)方法，其特征在于，包括以下步驟：

S100、選擇輻照源，針對(duì)待測(cè)雙極晶體管開展輻照試驗(yàn)；

S200、將輻照后的雙極晶體管安裝到深能級(jí)瞬態(tài)譜儀的測(cè)試臺(tái)上，設(shè)置測(cè)試參數(shù)；

S300、選擇至少2個(gè)不同的偏置電壓，測(cè)試雙極晶體管獲取深能級(jí)瞬態(tài)譜；

S400、根據(jù)不同的偏置電壓下深能級(jí)瞬態(tài)譜中的信號(hào)峰變化，判定缺陷信號(hào)的類型，所述步驟S400具體包括：若信號(hào)峰位置不隨偏置電壓發(fā)生改變，峰高發(fā)生改變，則判定該缺陷為位移缺陷；若信號(hào)峰位置不隨偏置電壓發(fā)生改變，峰高不變，則判定該缺陷為固有缺陷；若信號(hào)峰位置隨偏置電壓的改變而發(fā)生改變，則判定該缺陷為界面態(tài)缺陷；

S500、根據(jù)缺陷信號(hào)類型的判定結(jié)果，判定雙極晶體管的位移損傷敏感區(qū)，所述步驟S500具體包括：若缺陷信號(hào)僅有位移缺陷信號(hào)，則判定雙極晶體管的位移損傷敏感區(qū)為中性基區(qū)β3；若缺陷信號(hào)僅有界面態(tài)信號(hào)，則判定雙極晶體管的位移損傷敏感區(qū)為發(fā)射結(jié)表面β1和中性基區(qū)表面β2；若缺陷信號(hào)同時(shí)包含位移缺陷信號(hào)和界面態(tài)信號(hào)，則判定雙極晶體管的位移損傷敏感區(qū)為發(fā)射結(jié)表面β1、中性基區(qū)表面β2和中性基區(qū)β3。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙極晶體管位移損傷敏感部位的檢測(cè)方法，其特征在于，所述步驟S100中，輻照源為光子或中子。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙極晶體管位移損傷敏感部位的檢測(cè)方法，其特征在于，所述步驟S100中，輻照源為帶電粒子。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的雙極晶體管位移損傷敏感部位的檢測(cè)方法，其特征在于，所述步驟S100具體包括：

選擇帶電粒子作為輻照源；

采用蒙特卡羅方法計(jì)算帶電粒子在雙極晶體管中的入射深度，保證入射深度大于雙極晶體管的氧化層厚度；

采用蒙特卡羅方法計(jì)算帶電粒子在雙極晶體管內(nèi)的電離吸收劑量I_d和位移吸收劑量D_d，保證log[(I_d+D_d)/D_d]＜5；

針對(duì)雙極晶體管開展輻照試驗(yàn)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一所述的雙極晶體管位移損傷敏感部位的檢測(cè)方法，其特征在于，所述步驟S100中，輻照試驗(yàn)時(shí)控制雙極晶體管的電性能參數(shù)變化率大于等于20％。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一所述的雙極晶體管位移損傷敏感部位的檢測(cè)方法，其特征在于，所述步驟S200中，測(cè)試參數(shù)具體為：溫度掃描范圍為4K至300K，步長(zhǎng)為0.1K，最大反偏電壓V_R小于50％的雙極晶體管額定電壓，脈沖電壓小于等于最大反偏電壓V_R，脈沖時(shí)間為1ns至1s。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的雙極晶體管位移損傷敏感部位的檢測(cè)方法，其特征在于，所述步驟S300中，偏置電壓的范圍為0.1V_R至V_R，V_R為最大反偏電壓。