[發(fā)明專利]一種顯示器件及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010732301.9 | 申請(qǐng)日: | 2020-07-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN114005911A | 公開(公告)日: | 2022-02-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 梁文林 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | TCL科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L33/00 | 分類號(hào): | H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司: | 深圳市君勝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 劉芙蓉;徐凱凱 |
| 地址: | 516000 廣東省惠州市*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 顯示 器件 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開一種顯示器件及其制備方法。所述顯示器件包括:襯底、形成于所述襯底上的呈陣列排列的多個(gè)藍(lán)光Micro LED、相鄰藍(lán)光Micro LED之間橫向間隔排列有綠光量子點(diǎn)單元和紅光量子點(diǎn)單元、量子點(diǎn)單元之間及量子點(diǎn)單元與藍(lán)光Micro LED的間隔處均設(shè)置有阻擋層;所述綠光量子點(diǎn)單元包括:形成于襯底上的第一電極、形成于第一電極上的綠光量子點(diǎn)層、形成于綠光量子點(diǎn)層上的第二電極;所述紅光量子點(diǎn)單元包括:形成于所述襯底上的第三電極、形成于所述第三電極上的紅光量子點(diǎn)層、形成于所述紅光量子點(diǎn)層上的第四電極。本發(fā)明無需巨量轉(zhuǎn)移,制造成本和維護(hù)成本低;避免引入熒光粉帶來的電流效率的降低和壽命的損失。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種顯示器件及其制備方法。
背景技術(shù)
目前的白光的LED元件主要技術(shù)都是藍(lán)光LED+黃色熒光粉(如:YAG)或者紫外LED+三色熒光粉,由于其工藝成本較低,廣泛被工業(yè)界采用。但是,這種熒光粉方案不可避免的缺點(diǎn)包括:自吸收、長(zhǎng)時(shí)間衰減、黃色熒光粉色轉(zhuǎn)換效率低。更為重要的是,現(xiàn)有的基于熒光粉光轉(zhuǎn)換的LED芯片,隨著注入電流密度的增加,輻射復(fù)合效率并沒有提高,而非輻射復(fù)合增加,如俄歇復(fù)合、缺陷復(fù)合等,因此,在大注入條件下,LED的發(fā)光效率逐步下降。
Micro LED的尺寸為傳統(tǒng)LED的1/100,每一個(gè)LED芯片即是一個(gè)顯示畫素,且具有優(yōu)異的顯示功能、低耗能與產(chǎn)品生命周期長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn),被視為下世代的顯示技術(shù)。
量子點(diǎn)電致發(fā)光是一種新型的固態(tài)照明技術(shù),具備低成本、重量輕、響應(yīng)速度快、色彩飽和度高等優(yōu)點(diǎn),擁有廣闊的發(fā)展前景,已成為新一代LED照明的重要研究方向之一。但是現(xiàn)在的藍(lán)光壽命不足以商業(yè)應(yīng)用,而且采用的印刷技術(shù)還沒成熟。
因此,現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進(jìn)和發(fā)展。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明的目的在于提供一種顯示器件及其制備方法,旨在解決現(xiàn)有采用顯示器件存在的電流效率低的問題。
本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
一種顯示器件的制備方法,其中,包括步驟:
在襯底上形成呈陣列排列的多個(gè)藍(lán)光Micro LED;
剝離所述襯底上的部分藍(lán)光Micro LED,使得在相鄰藍(lán)光Micro LED之間得到綠光量子點(diǎn)單元生長(zhǎng)區(qū)域和紅光量子點(diǎn)單元生長(zhǎng)區(qū)域;
在綠光量子點(diǎn)單元生長(zhǎng)區(qū)域形成綠光量子點(diǎn)單元,紅光量子點(diǎn)單元生長(zhǎng)形成紅光量子點(diǎn)單元。
一種顯示器件,其中,包括:襯底、形成于所述襯底上的呈陣列排列的多個(gè)藍(lán)光Micro LED、相鄰藍(lán)光Micro LED之間橫向間隔排列有綠光量子點(diǎn)單元和紅光量子點(diǎn)單元、量子點(diǎn)單元之間及量子點(diǎn)單元與藍(lán)光Micro LED的間隔處均設(shè)置有阻擋層。
有益效果:相對(duì)于現(xiàn)有顯示器件,本發(fā)明可以避免使用黃色熒光粉,避免引入熒光粉帶來的電流效率的降低和壽命的損失;本發(fā)明還可以避免使用液晶,從而減少了器件厚度及體積;而且Micro LED進(jìn)行陣列化、微型化,這樣分辨率更高,加上量子點(diǎn)的色域高,進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)超高顯色指數(shù)和色域。另外,Micro LED和QD單元的效應(yīng)時(shí)間是LCD的數(shù)量級(jí)的提升,從而實(shí)現(xiàn)高頻率的顯示;此外本發(fā)明無需巨量轉(zhuǎn)移,只需在原有基板上進(jìn)行電路鋪設(shè);且可以減少陣列化Micro LED的數(shù)量,陣列部分轉(zhuǎn)化為紅、綠量子點(diǎn)的發(fā)光層,進(jìn)一步簡(jiǎn)化工藝流程,并減少后期的維護(hù)成本。
附圖說明
圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示器件的制備方法的流程示意圖。
圖2為本發(fā)明具體的實(shí)施方式中經(jīng)步驟S10得到的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3為本發(fā)明具體的實(shí)施方式中經(jīng)步驟S20得到的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4為本發(fā)明具體的實(shí)施方式中經(jīng)步驟S31得到的結(jié)構(gòu)示意圖。
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