[發明專利]一種顯示器件及其制備方法

在審

• 申請號: 202010732301.9
• 申請日: 2020-07-27
• 公開（公告）號: CN114005911A
• 公開（公告）日: 2022-02-01
• 發明（設計）人: 梁文林
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L27/15
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 劉芙蓉;徐凱凱

1.一種顯示器件的制備方法，其特征在于，包括步驟：

在襯底上形成呈陣列排列的多個藍光Micro LED；

剝離所述襯底上的部分藍光Micro LED，使得在相鄰藍光Micro LED之間得到綠光量子點單元生長區域和紅光量子點單元生長區域；

在綠光量子點單元生長區域形成綠光量子點單元，紅光量子點單元生長區域形成紅光量子點單元。

2.根據權利要求1所述的顯示器件的制備方法，其特征在于，所述藍光Micro LED的制備方法包括步驟：

在所述襯底上形成N型GaN層；

在所述N型GaN層上形成量子阱層；

在所述量子阱層上形成P型GaN層。

3.根據權利要求1所述的顯示器件的制備方法，其特征在于，采用激光剝離技術將所述襯底上每相鄰四個藍光Micro LED中的中間兩個藍光Micro LED剝離。

4.根據權利要求2所述的顯示器件的制備方法，其特征在于，所述在綠光量子點單元生長區域形成綠光量子點單元，紅光量子點單元生長區域形成紅光量子點單元的步驟，具體包括：

對所述P型GaN層進行部分縱向刻蝕，刻蝕深度穿透量子阱層，直至露出N型氮化鎵層，另一部分不做刻蝕處理；

在綠光量子點單元生長區域和紅光量子點單元生長區域的間隔處、綠光量子點單元生長區域與藍光Micro LED的間隔處、及紅光量子點單元生長區域與藍光Micro LED的間隔處均形成阻擋層；在綠光量子點單元生長區域和紅光量子點單元生長區域同時形成第一電極和第三電極；

在所述第一電極上形成綠光量子點層，第三電極上形成紅光量子點層；在所述綠光量子點層、紅光量子點層、未刻蝕處理的P型氮化鎵層及刻蝕露出的N型氮化鎵層上同時形成第二電極、第四電極、第五電極和第六電極。

5.根據權利要求4所述的顯示器件的制備方法，其特征在于，在綠光量子點單元生長區域和紅光量子點單元生長區域同時形成第一電極和第三電極的步驟的同時，還包括：在未刻蝕處理的P型氮化鎵層上形成電流擴散層；對應地，在所述電流擴散層上形成所述第五電極。

6.根據權利要求4所述的顯示器件的制備方法，其特征在于，還包括步驟：在所述第一電極上綠光量子點層未覆蓋區域形成第七電極；和/或，在所述第三電極上紅光量子點層未覆蓋區域形成第八電極。

7.一種顯示器件，其特征在于，包括：襯底、形成于所述襯底上的呈陣列排列的多個藍光Micro LED、相鄰藍光Micro LED之間橫向間隔排列有綠光量子點單元和紅光量子點單元、量子點單元之間及量子點單元與藍光Micro LED的間隔處均設置有阻擋層。

8.根據權利要求7所述的顯示器件，其特征在于，所述藍光Micro LED包括：形成于所述襯底上的N型GaN層、形成于所述N型GaN層上的量子阱層和形成于所述量子阱層上的P型GaN層；

所述P型GaN層部分縱向刻蝕至露出所述N型氮化鎵層，未刻蝕處理的所述P型氮化鎵層上形成有第五電極、刻蝕露出的所述N型氮化鎵層上形成有第六電極。

9.根據權利要求8所述的顯示器件，其特征在于，所述藍光Micro LED還包括：電流擴散層，所述電流擴散層形成于未刻蝕處理的所述P型氮化鎵層上，所述第五電極形成于所述電流擴散層上。

10.根據權利要求9所述的顯示器件，其特征在于，所述電流擴散層的材料包括ITO、Ag中的一種。

11.根據權利要求7所述的顯示器件，其特征在于，所述阻擋層的材料包括SiO₂、TiO₂和Si₃N₄中的一種或多種組合而成的材料。

12.根據權利要求7所述的顯示器件，其特征在于，

所述綠光量子點單元包括：形成于所述襯底上的第一電極、形成于所述第一電極上的綠光量子點層、形成于所述綠光量子點層上的第二電極；

所述紅光量子點單元包括：形成于所述襯底上的第三電極、形成于所述第三電極上的紅光量子點層、形成于所述紅光量子點層上的第四電極；

所述綠光量子點單元還包括：形成于所述第一電極上綠光量子點層未覆蓋區域的第七電極；和/或，所述紅光量子點單元還包括：形成于所述第三電極上紅光量子點層未覆蓋區域的第八電極。