[發明專利]一種硫化鎢納米顆粒修飾的硅光電陰極及其制備方法有效
| 申請號： | 202010732234.0 | 申請日： | 2020-07-27 |
| 公開（公告）號： | CN112030176B | 公開（公告）日： | 2022-01-18 |
| 發明（設計）人： | 林惠文;常焜;秦亞雷;徐旺;韓文君 | 申請（專利權）人： | 南京航空航天大學 |
| 主分類號： | C25B1/55 | 分類號： | C25B1/55;C25B1/04;C25B3/26;C25B3/21;C25B11/04;C25B11/091;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 江蘇圣典律師事務所 32237 | 代理人： | 賀翔 |
| 地址： | 210016 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 硫化 納米 顆粒 修飾 光電 陰極 及其 制備 方法 | ||
1.一種硫化鎢納米顆粒修飾硅的光電陰極制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
（1）將p型單晶硅在濃硫酸和雙氧水混合溶液中于40-80oC下清洗30-60min去除表面有機污染物，然后用0.5-10%含氟溶液刻蝕5-30min去除表面氧化層；
（2）將可溶性硫代鎢酸鹽溶解于溶劑中，配置0.05-0.5M的硫代鎢酸鹽溶液，靜置于5oC下備用；
（3）取一定體積步驟（2）制備的硫代鎢酸鹽溶液滴入氫氟酸溶液制得不同濃度的硫代鎢酸鹽混氫氟酸溶液，并將步驟（1）中已清洗的p型單晶硅平放于所述硫代鎢酸鹽混氫氟酸溶液中1-60min，然后清洗并在氬氣氣氛或真空中干燥，制得硫化鎢納米顆粒修飾的硅光電陰極。
2.根據權利要求1所述的硫化鎢納米顆粒修飾硅的光電陰極制備方法，其特征在于，步驟（1）中所述含氟溶液為氫氟酸或氟化銨溶液。
3.根據權利要求1所述的硫化鎢納米顆粒修飾硅的光電陰極制備方法，其特征在于，步驟（2）中可溶性硫代鎢酸鹽為(NH4)2WS4、Na2WS4或K2WS4，所述的溶劑為水或乙醇。
4.根據權利要求3所述的硫化鎢納米顆粒修飾硅的光電陰極制備方法，其特征在于，步驟（3）中所述硫代鎢酸鹽混氫氟酸溶液中硫代鎢酸銨的濃度為0.1-10mM，氫氟酸的質量百分比濃度為1-10%。
5.根據權利要求1所述的硫化鎢納米顆粒修飾硅的光電陰極制備方法，其特征在于，制備過程中可通過改變硫代鎢酸鹽的濃度和反應時間來控制硫化鎢納米顆粒層厚度。
6.根據權利要求1所述的硫化鎢納米顆粒修飾硅的光電陰極制備方法，其特征在于，所述硅光電陰極中p型單晶硅表面沉積硫化鎢納米顆粒，所述硫化鎢納米顆粒均勻分布于p型單晶硅表面。
7.根據權利要求5或6所述的硫化鎢納米顆粒修飾硅的光電陰極制備方法，其特征在于，硫化鎢納米顆粒層厚度為1-15nm。
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