[發明專利]轉接板、巨量轉移方法及Micro-LED顯示器有效
| 申請號: | 202010732107.0 | 申請日: | 2020-07-27 |
| 公開(公告)號: | CN112992722B | 公開(公告)日: | 2023-04-25 |
| 發明(設計)人: | 翟峰 | 申請(專利權)人: | 重慶康佳光電技術研究院有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/683;H01L27/15 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 熊永強 |
| 地址: | 402760 重慶市璧*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 轉接 巨量 轉移 方法 micro led 顯示器 | ||
本申請提供一種用于制作Micro?LED顯示器過程中實現LED巨量轉移的轉接板。所述轉接板包括基板以及層疊于所述基板上用于粘接并轉移所述LED的鍵合膠層。所述鍵合膠層采用有機硅或丙烯酸材料制備,厚度H滿足:10um≤H≤25um,同時孔隙率P滿足:20%≤P≤40%。這樣的設置可以使得所述鍵合膠層在第一溫度T1環境下具有第一粘合力F1,并在高于所述第一溫度T1的第二溫度環境T2下具有低于所述第一粘合力F1的第二粘合力F2。通過改變環境溫度,能夠調整所述轉接板對所述LED的粘合力,進而保證所述LED的順利轉移。本申請還涉及一種巨量轉移方法,以及一種采用該巨量轉移方法制備的Micro?LED顯示器。
技術領域
本發明涉及顯示技術制造領域,特別涉及一種應用于巨量轉移制程中的轉接板,以及一種巨量轉移方法,和采用該巨量轉移方法制備的Micro-LED顯示器。
背景技術
Micro-LED顯示器具有良好的穩定性,壽命,以及運行溫度上的優勢,同時也承繼了LED低功耗、色彩飽和度、反應速度快、對比度強等優點,Micro-LED的亮度比OLED高30倍,并且功率消耗量約為LCD的10%、OLED的50%。具有極大地應用前景。
目前的Micro-LED顯示器,通過生長基板培育出多個發光二極管(Light?EmittingDiode,LED),然后通過臨時基板將LED從生長基板上取下,最后利用轉移基板將LED對位安裝于Micro-LED顯示器的顯示背板上。LED從培育成型到固定于顯示背板上需要經歷兩次轉移動作。為了保證兩次轉移過程中LED的順利交接,則需要控制每次轉接過程中對LED的固持力逐級增大,以在每次交接過程中形成較明顯的固持力差異來保證LED的分離。
但是固持力的逐級增大會造成后續交接步驟中LED難以分離的現象,嚴重時可能傷害到LED本體或者顯示背板等。
發明內容
本申請的目的在于克服現有技術的不足,提供一種粘接力可調的轉接板用于LED的巨量轉移操作,具體包括如下技術方案:
一種轉接板,用于制作Micro-LED顯示器過程中實現LED的巨量轉移,所述轉接板包括基板以及層疊于所述基板上的鍵合膠層,所述鍵合膠層用于粘接并轉移所述LED,所述鍵合膠層采用有機硅或丙烯酸材料制備,所述鍵合膠層的厚度H滿足條件:10um≤H≤25um,且所述鍵合膠層的孔隙率P滿足條件:20%≤P≤40%,以使得所述鍵合膠層在第一溫度T1環境下具有第一粘合力F1,并在高于所述第一溫度T1的第二溫度T2環境下具有第二粘合力F2,且所述第一粘合力F1大于所述第二粘合力F2。
本申請轉接板通過所述鍵合膠層的相關設置,使得所述鍵合膠層在轉移所述LED的過程中能夠隨環境溫度的變化呈現出兩種不同大小的粘合力。在溫度較高的第二溫度T2環境中,鍵合膠層中的孔隙受熱膨脹,鍵合膠層對LED的接觸面積較小,故而粘附力也較小;在溫度較第的第一溫度T1環境中,鍵合膠層中的孔隙遇冷收縮,孔內氣壓減小形成負壓腔,增大了對LED的粘附力。進而在需要所述轉接板將所述LED固持時使得所述轉接板處于所述第一溫度T1的環境中,在需要所述轉接板減輕對所述LED的固持時使得所述轉接板處于所述第二溫度T2的環境中,便于在所述LED上形成固持力差異,保證所述LED的順利轉移。
一種實施例,所述鍵合膠層為經二甲苯稀釋的聚二甲基硅氧烷制備,且所述二甲苯與所述聚二甲基硅氧烷的成分配比為2:1~4:1。該成分配比可以保證制備所述鍵合膠層時材料的流動性。
一種實施例,所述鍵合膠層的孔徑d滿足條件:50nm≤d≤1000nm。該孔徑范圍內可以準確的控制所述鍵合膠層的粘合力。
一種實施例,所述第一溫度T1滿足條件:22℃≤T1≤28℃,所述第二溫度T2滿足條件:60℃≤T2≤90℃。控制所述第一溫度T1接近室溫范圍利于所述第一溫度T1的實現,控制所述第二溫度T2與所述第一溫度的差異可以保證所述粘合力的變化幅度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





