[發明專利]轉接板、巨量轉移方法及Micro-LED顯示器

有效

• 申請號: 202010732107.0
• 申請日: 2020-07-27
• 公開（公告）號: CN112992722B
• 公開（公告）日: 2023-04-25
• 發明（設計）人: 翟峰
• 申請（專利權）人: 重慶康佳光電技術研究院有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/683;H01L27/15
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 熊永強

1.一種轉接板，用于制作Micro-LED顯示器過程中實現LED的巨量轉移，其特征在于，所述轉接板包括基板以及層疊于所述基板上的鍵合膠層，所述鍵合膠層用于粘接并轉移所述LED，所述鍵合膠層采用有機硅或丙烯酸材料制備，所述鍵合膠層的厚度H滿足條件：10um≤H≤25um，且所述鍵合膠層的孔隙率P滿足條件：20％≤P≤40％，以使得所述鍵合膠層在第一溫度T1環境下具有第一粘合力F1，并在高于所述第一溫度T1的第二溫度T2環境下具有第二粘合力F2，且所述第一粘合力F1大于所述第二粘合力F2，所述鍵合膠層中孔隙的孔徑d滿足條件：50nm≤d≤1000nm。

2.根據權利要求1所述的轉接板，其特征在于，所述鍵合膠層為經二甲苯稀釋的聚二甲基硅氧烷制備，且所述二甲苯與所述聚二甲基硅氧烷的成分配比為2：1～4：1。

3.根據權利要求1所述的轉接板，其特征在于，所述第一溫度T1滿足條件：22℃≤T1≤28℃，所述第二溫度T2滿足條件：60℃≤T2≤90℃。

4.根據權利要求3所述的轉接板，其特征在于，所述第一粘合力F1與所述第二粘合力F2滿足條件：2:1≤F1：F2≤4:1。

5.根據權利要求4所述的轉接板，其特征在于，所述第一粘合力F1大于或等于0.6MPa。

6.一種巨量轉移方法，應用如權利要求1-5任一項所述的轉接板轉移LED，其特征在于，包括如下步驟：

在第一基板上設置多個所述LED；

在所述第二溫度T2的環境下將所述轉接板與所述第一基板對接，并使得所述鍵合膠層與至少部分所述LED貼合；

對所述轉接板降溫至所述第一溫度T1的環境，并將所述轉接板帶動其對應貼合的所述LED轉移至與第二基板對接，使得所述LED與所述第二基板貼合；

對所述轉接板升溫至所述第二溫度T2的環境，并將所述LED轉移至所述第二基板上。

7.根據權利要求6所述的巨量轉移方法，其特征在于，所述第一基板為生長基板，所述在第一基板上設置多個所述LED，包括：

在所述生長基板上培育多個所述LED。

8.根據權利要求7所述的巨量轉移方法，其特征在于，所述對所述轉接板降溫至所述第一溫度T1的環境，并將所述轉接板帶動其對應貼合的所述LED轉移至與第二基板對接，使得所述LED與所述第二基板貼合，包括：

對所述轉接板降溫至所述第一溫度T1的環境；

對所述轉接板與所述生長基板進行臨時鍵合，且所述臨時鍵合的壓力低于或等于5kg/f；

將所述轉接板帶動其對應貼合的所述LED轉移至與第二基板對接。

9.根據權利要求8所述的巨量轉移方法，其特征在于，所述對所述轉接板與所述生長基板進行臨時鍵合之后，還包括：

通過激光將全部所述LED從所述生長基板上剝離。

10.根據權利要求6所述的巨量轉移方法，其特征在于，所述將所述LED轉移至所述第二基板上之后，還包括：

通過所述第二基板將所述LED裝備于所述Micro-LED顯示器的顯示背板上。

11.根據權利要求6所述的巨量轉移方法，其特征在于，所述第二基板為所述Micro-LED顯示器的顯示背板，所述在第一基板上設置多個所述LED，包括：

將生長基板上培育形成的多個所述LED全部轉移至所述第一基板上。